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[发明专利]存储器及其制备方法-CN202310780515.7在审
发明人：胡强;梁成栋;何亮亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器及其制备方法，所述存储器的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隔离层；在所述隔离层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成电荷俘获层；执行高压退火工艺，所述高压退火工艺采用的气体为氘气；在所述电荷俘获层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成栅电极层。本发明的技术方案能够在采用多晶硅沟道取代晶体硅沟道的同时，还能提高器件的性能和可靠性。
存储器及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310582115.5在审
发明人：戴莉;梁成栋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括由下至上的下层衬底、埋氧层和顶层半导体层，所述顶层半导体层上形成有栅氧层，所述栅氧层两侧的所述顶层半导体层上形成有外延层；形成阶梯式铁电层于所述栅氧层上；形成金属层于所述阶梯式铁电层上；形成侧墙于所述栅氧层、所述阶梯式铁电层和所述金属层的侧壁上。本发明的技术方案能够改善晶体管的亚阈值摆幅开关极限，使得晶体管能够在极低电源电压下进行工作，从而降低晶体管的能耗并保持晶体管的高性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备-CN202310475302.3在审
发明人： 梁成栋;何亮亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备，所述半导体器件的寿命预测方法包括：根据半导体器件的使用寿命与所述半导体器件的衬底电流和饱和电流的比值的历史数据，建立寿命预测模型；测试当前半导体器件的衬底电流和饱和电流，并计算所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值；将所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值代入所述寿命预测模型中，以计算获得所述当前半导体器件的使用寿命。本发明的技术方案能够快速且准确预估半导体器件的使用寿命，从而缩短半导体器件的开发周期。
半导体器件寿命预测方法可读存储介质电子设备

[发明专利]半导体器件及芯片的制造方法-CN202310465648.5在审
发明人：丁一凡;梁成栋;何亮亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及芯片的制造方法，所述半导体器件包括：一晶圆，具有多个曝光区以及连接相邻所述曝光区之间的第一切割道区，所述曝光区具有多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的第二切割道区；多个测试结构，位于所述第一切割道区和/或所述曝光区的拐角和中心处。本发明的技术方案能够有效提高每片晶圆切割形成的芯片的数量的同时，还能保证芯片的质量，从而提高生产的芯片的市场竞争力。
半导体器件芯片制造方法

[发明专利]一种双栅MOSFET晶体管及其形成方法-CN202310340615.8在审
发明人：徐文灿;邓建宁;梁成栋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种双栅MOSFET晶体管及其形成方法，双栅MOSFET晶体管的形成方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第二衬底表面形成有间隔设置的两个凸起结构；对凸起结构执行N型离子注入工艺；平坦化处理第二绝缘层，并将第一衬底和第二衬底进行键合处理，第一绝缘层朝向第二绝缘层设置；在第二衬底远离第一衬底的一侧中形成源极和漏极，并在源极和漏极之间的第二衬底上形成浮栅，源极和漏极分别与一个凸起结构交叠设置。本发明通过N型掺杂的凸起结构优化了漏极的电场强度和空穴浓度。N型离子注入工艺使得凸起结构的热导率较第一绝缘层和第二绝缘层的热导率高，有效地改善了双栅MOSFET晶体管的浮体效应和自热效应。
一种 mosfet 晶体管及其形成方法

[发明专利]一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法-CN202310085973.9在审
发明人：乔伟娜;梁成栋;何亮亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，提供基底，在基底上形成STI区和有源区；在有源区内形成阱区；在基底上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成伪栅结构；在伪栅结构侧壁形成第一侧墙；在伪栅结构两侧的基底内形成LDD区；形成依附于第一侧墙的第二侧墙；在伪栅结构两侧的基底内形成源漏区；在伪栅结构两侧的基底上覆盖CESL层，并在CESL层上填充ILD层；移除伪栅结构和位于伪栅结构下的栅氧层，形成底部为基底上表面的凹槽；垂直于基底上表面在所述凹槽区域向基底内注入Halo离子，形成自对准掺杂区；在凹槽内形成金属栅结构；对金属栅结构进行金属化。
一种用于 hk 金属对准 halo 补偿沟道注入方法

[发明专利]井下风筒接口封闭装置及方法-CN202310007770.8在审
发明人：田如;王东;王长禄;张浪;姚海飞;王耀强;孙宁;梁成栋;王森;包良成 -专利权人：陕西煤业化工集团孙家岔龙华矿业有限公司;煤炭科学技术研究院有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E21F1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种井下风筒接口封闭装置和方法，所述井下风筒接口封闭装置包括安装组件和紧固组件，所述安装组件包括法兰和弹性件，所述弹性件套设于所述法兰，所述弹性件的外周壁上设有多个第一凸起，多个所述第一凸起沿所述弹性件的周向间隔分布，所述紧固组件包括连接件和锁止件，所述锁止件连接于所述连接件的一端，所述锁止件用于连接所述连接件的两端。本发明的井下风筒接口封闭装置通过安装组件将两个柔性风筒连接，减少了两个柔性风筒接口处产生的褶皱并防止大褶皱的产生，随后通过安装组件将两个柔性风筒压设在安装组件上，且避免因使用钢丝导致柔性风筒被戳破，减少了柔性风筒接口处漏风的概率和漏风量。
井下接口封闭装置方法

[实用新型]一种采煤机调高泵泵箱吸油过滤器-CN202222843049.6有效
发明人：高俊林;梁成栋;王森 -专利权人：陕西煤业化工集团孙家岔龙华矿业有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F16N39/06 文献下载
摘要：本申请涉及采煤机技术领域，且公开了一种采煤机调高泵泵箱吸油过滤器，包括吸油管，吸油管的一端固定连接有连接螺筒，吸油管的管壁均匀开设有多个条形吸油口，吸油管的一端外侧固定套接有第一压接筒，吸油管远离连接螺筒的一端固定卡接有U形固定板，U形固定板的两端固定连接有同一个第二压接筒，第二压接筒活动套设在吸油管外，第一压接筒和第二压接筒内卡压有同一个环形过滤网，环形过滤网包覆在吸油管外。本申请使得液压系统中运行介质更为干净，解决了吸油管直接吸入泵箱内润滑油中杂质而损坏液压元件的问题，从而延长了采煤机液压系统元器件的使用寿命，降低了设备故障率。
一种采煤机调高泵泵箱吸油过滤器

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211043342.2在审
发明人：刘强;梁成栋;何亮亮;孙昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、栅极结构及第一金属层；其中，栅极结构位于衬底上，栅极结构两侧的衬底内具有源区及漏区，栅极结构包括第一浮栅层，第一浮栅层覆盖部分源区及至少部分衬底；第一金属层，位第一浮栅层上。取消了源区与漏区之间的漂移区，使所述半导体器件的耐压性能主要由源区与漏区之间的衬底承担，提供较大的击穿电压；且当所述半导体器件工作时，所述半导体器件的导通电阻与第一金属层上施加的电压的大小有关，且所述导通电阻可调，本实施例中提供的半导体器件的击穿电压与导通电阻之间不会相互影响，使得器件具有较大击穿电压且导通电阻可变。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法-CN202211343819.9在审
发明人：戴莉;梁成栋;何亮亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底、第一氮化铝镓层、第一栅极、第二栅极、第二氮化铝镓层及源漏区，其中第一氮化铝镓层位于衬底上，第一栅极位于第一氮化铝镓层上，第二栅极位于第一栅极的两侧，第二氮化铝镓层位于第一氮化铝镓层上，第二氮化铝镓层覆盖第一栅极并延伸覆盖部分氮化铝镓层及第二栅极沿第二方向上的部分宽度，第一方向与第二方向垂直；源漏区位于第二栅极远离第一栅极一侧的第一氮化铝镓层内及第二栅极上方的第二氮化铝镓层内。第二栅极部分嵌入第二氮化铝镓层内，嵌入式的第二栅极可以有效加强栅极对沟道区内电子的控制能力，使场效应晶体管拥有更好的阈值特性及稳定性。
一种场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]矿用开槽机的行走机构-CN202221809944.X有效
发明人：赵米真;曹国选;李春;刘军生;王力;王东;田如;王森;梁成栋 -专利权人：陕西煤业化工集团孙家岔龙华矿业有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B61C9/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种矿用开槽机的行走机构，包括车架、连接于所述车架的发动机、连接于所述车架的分动箱、连接于所述车架的液压泵、连接于所述车架的油路块、连接于所述车架的第一液压马达、连接于所述车架的第二液压马达、连接于所述车架的前驱动桥、连接于所述车架的后驱动桥和连接于所述车架的转向制动泵。本申请提供的行走机构，可以解决现有技术中的矿用开槽机设计尺寸、动力传动不稳定的问题。
开槽行走机构

[发明专利]一种芯片的布局结构-CN202210911088.7在审
发明人： 梁成栋;何亮亮;孙昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的布局结构，包括：排布在基板上的多个芯片阵列，每个所述芯片阵列中设置有多个功能芯片和至少一个测试芯片，所述所述测试芯片中集成有芯片阵列内的至少部分功能芯片的良率测试结构，用于对相应的功能芯片进行良率测试。本发明中，通过将多个功能芯片的良率测试结构集成在一个测试芯片上，减少功能芯片上所需布局的结构，以缩小功能芯片的面积，从而增大晶圆上可布局的功能芯片的数量，有助于降低生产成本，提高市场竞争力。
一种芯片布局结构

[实用新型]一种可调节式巷道腰线牌支架-CN202220177831.6有效
发明人：高俊林;刘成武;梁成栋 -专利权人：陕西煤业化工集团孙家岔龙华矿业有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节式巷道腰线牌支架，包括底座，所述底座表面连接有往下延伸的调节杆，所述调节杆下端表面滑动套设有与其适配的调节筒，所述调节筒一端侧固接有支撑杆，所述支撑杆另一端固接有腰线牌，所述调节筒另一端侧设置有螺纹延伸至其内腔的调节螺栓，所述调节杆下端的表面等距开设有与调节螺栓适配的调节螺孔；该支架可根据巷道高低起伏调节每个腰线牌的高度，同时每个底座均单独的固定在煤壁上，实现每个腰线牌的单独调节，减少腰线牌的损坏程度，便于对其的维护。
一种调节巷道腰线牌支架

[发明专利]一种半导体器件-CN202210420868.1在审
发明人：刘强;梁成栋;何亮亮;孙昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、超级结构和栅极结构。其中，超结结构，形成在所述漂移区中并位于所述阱区和所述漏区之间，并且所述超结结构的尺寸小于所述阱区至所述漏区之间的间隔尺寸，以使所述超结结构和所述阱区间隔设置。在本发明提供的半导体器件中，减小超结结构的长度，在阱区与超结结构间保留部分漂移区，通过阱区与超结结构之间的漂移区与衬底进行相互耗尽，提高源端的电场强度，降低超结结构中的电荷非平衡，从而有助于消除衬底辅助耗尽效应，提高器件表面的电场分布的均匀性，大幅提高器件的击穿电压。同时，栅极结构覆盖阱区并延伸至超结结构，有助于提高器件表面的电场均匀性，可进一步提高击穿电压。
一种半导体器件

[发明专利]大规模自组织麦克风阵列下帧级多通道的说话人确认方法-CN202111576469.6在审
发明人：张晓雷;梁成栋;姚嘉迪 -专利权人：西北工业大学;西北工业大学深圳研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G10L17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大规模自组织麦克风阵列下帧级多通道的说话人确认方法，在单通道说话人确认系统的池化层之前加入时空处理块，分别建模通道内、通道间以及跨时间的上下文关系，进一步提升远场ASV的性能。包括如下步骤：1)在池化层之前加入由跨帧处理层(Cross‑Frame Processing Layer,CFL)和跨通道处理层(Cross‑Channel Processing Layer,CCL)组成的时空处理块；2)为了使噪声通道的通道权重为零，将跨通道处理层的softmax算子改进为sparsemax算子。在Libri‑adhoc‑simu数据集上的结果表明，STB的多通道ASV系统实现了低于oracle one‑best基线33％的等错误率(EER)；在Libri‑adhoc40数据集上的结果表明，STB的多通道ASV系统实现了低于oracle one‑best基线27％的等错误率，同时也实现了低于话语级跨通道自注意力ASV系统9％的等错误率，达到了优越的性能。
大规模组织麦克风阵列下帧级多通道说话确认方法

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