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[发明专利]用于辅助金属绕线的方法及设备-CN201510689740.5有效
发明人：袁磊;I·林;桂宗郁;M·拉希德 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于辅助金属绕线的方法及设备。具体实施例可包括：判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成集成电路(IC)的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部分；以及判定基于该辅助金属部分的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。
用于辅助金属方法设备

[发明专利]使用多重图案化制程的图案化线式特征的方法-CN201510085028.4有效
发明人：袁磊;桂宗郁;H·J·莱文森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本案为一种使用多重图案化制程的图案化线式特征的方法，涉及识别用于使用在图案化线式特征的整体目标裁切掩模的图案，所述特征包括具有内、凹角的目标非矩形开口特征，将所述整体目标裁切掩模图案分解为第一以及第二次目标图案，其中所述第一次目标图案包含对应所述目标非矩形开口特征的第一部分、而非全部的第一矩形形状开口特征，以及所述第二次目标图案包含对应于所述目标非矩形开口特征的第二部分、而非全部的第二矩形形状开口特征，所述第一及第二开口与相邻内部、凹型角落重迭，并且产生对应于第一及第二次目标图案的第一以及第二掩模数据组，其中第一以及第二掩模数据组中的至少一者是基于所识别的接点至裁线端间距规则所产生。
开口特征目标图案非矩形图案化多重图案矩形形状掩模数据整体目标裁切制程间距规则掩模图案凹角凹型裁线掩模重迭开口图案分解

[发明专利]二维自对准的晶体管接触-CN201510162184.6有效
发明人： A·C-H·魏;G·布赫;M·A·扎勒斯基;T·G·尼奥吉;J·E·史蒂芬斯;桂宗郁;J·曾 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及二维自对准的晶体管接触，其中，本发明的具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准的晶体管接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层用于栅极覆盖，而另一覆盖层用于源极/漏极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的栅极和源极/漏极敞开，而阻隔掩模则用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开的元件接触，以在两者之间提供电连接性。
覆盖层自对准晶体管二维选择性蚀刻源极/漏极覆盖半导体结构敞开电连接性金属化线连接架构元件接触改良型沉积掩模阻隔制造

[发明专利]产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法-CN201410525042.7有效
发明人：袁磊;S·H·崔;桂宗郁;H·J·莱文森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本文揭露一种产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法，该方法还含括产生一组心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则、以及虚拟、软体式非心轴金属掩膜。本方法也包括建立一组其为心轴掩膜规则仿件的虚拟非心轴掩膜规则、基于心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则及虚拟非心轴掩膜规则产生一组金属绕线设计规则、基于金属绕线设计规则产生电路绕线布局、将电路绕线布局分解成心轴掩膜图型及阻隔掩膜图型、产生对应于心轴掩膜图型的第一组掩膜资料、以及产生对应于阻隔掩膜图型的第二组掩膜资料。
掩膜心轴掩膜图阻隔电路布局金属绕线绕线布局设计规则虚拟图型化自对准绕线产生电路规则产生金属掩膜软体制造电路分解

[发明专利]用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备-CN201510035958.9有效
发明人：袁磊;M·拉希德;桂宗郁 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备，揭露一种用于经修改单元构造以及所产生元件的方法。实施例可包括决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距，每一个第一路径具有第一宽度，决定IC设计中第二路径的第二垂直轨道间距，第二路径具有第二宽度，以及基于第一及第二垂直轨道间距，指定IC设计中单元垂直尺寸。
用于修改单元构造以及产生元件方法设备

[发明专利]用于金属布线的自对准双重图案化工艺-CN201610211455.7有效
发明人：袁磊;桂宗郁;H·J·莱文森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭露用以形成位于导电线之间并连接该导电线的金属布线的自对准双重图案化工艺。实施例包括在介电层上方形成硬掩膜；形成包括位于该硬掩膜上的多个平行线性元件的图案化模板，其中，该硬掩膜暴露于相邻平行线性元件之间；形成覆盖该相邻平行线性元件及它们之间的间隙的部分的块体掩膜；通过该块体掩膜以及定义多条平行线的该图案化模板蚀刻该硬掩膜的暴露部分；移除该块体掩膜以及该图案化模板；在该硬掩膜上方形成截切掩膜，以定义垂直于并连接两条相邻平行线的开口；通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜并移除该截切掩膜；通过该硬掩膜在该介电层中蚀刻凹槽；移除该硬掩膜；以及使用导电材料填充该凹槽。
用于金属布线对准双重图案化工

[发明专利]形成用于心轴及非心轴互连线的自对准连续性区块的方法-CN201710172840.X在审
发明人： 桂宗郁;王艳;汪辰辰;王文辉;袁磊;曾嘉;古拉梅·伯奇 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成用于心轴及非心轴互连线的自对准连续性区块的方法，其中，在集成电路中形成用于互连线的图案的方法包含提供一结构，其具有第一光刻堆叠、心轴层及设置于介电堆叠上面的图案层。图案化该结构以在该心轴层中形成数个心轴以及设置间隔体层于该心轴上面。蚀刻该间隔体层以形成设置于该心轴的侧壁上的数个间隔体。该间隔体及心轴界定贝塔及伽马区域。贝塔区域包括贝塔区块掩模部以及伽马区域包括该图案层的伽马区块掩模部。该方法也包括蚀刻在该贝塔区块掩模部上面的贝塔柱体以及蚀刻在该伽马区块掩模部上面的伽马柱体。该方法也包括蚀刻该结构以在该图案层中形成一图案，该图案包括该伽马及贝塔区块掩模部。
形成用于心轴互连对准连续性区块方法

[发明专利]使用SADP技术制造电路布局的方法-CN201410494410.6有效
发明人：袁磊;桂宗郁;H·J·莱文森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本文揭露一种使用SADP技术制造电路布局的方法，其涉及验证整体图像布局中的多个特征，使用SADP程序无法分解该多个特征，其中，至少第一和第二相邻特征被要求为同色特征，减少该第一和该第二相邻特征间的间隔，以使该第一特征和该第二特征变为异色特征，从而使用该SADP程序可分解该多个特征，将该整体图像布局分解成芯棒屏蔽图像(mandrel mask)和块屏蔽(block mask)图像，以及产生对应于该芯棒屏蔽图像和该块屏蔽图像的屏蔽信息集合。
使用 sadp 技术制造电路布局方法

[发明专利]兼容无色M1绕线的双重图案化-CN201310445431.4有效
发明人：袁磊;桂宗郁;M·拉希德;Q·王 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明揭露一种兼容无色M1绕线的双重图案化，其中，所揭露的是利用无色DPT M1绕线摆置进行电路设计时能维持高绕线效率并且保障目标图案的M1可分解性以及最终电路的方法。具体实施例包括决定邻接IC中第一与第二单元的边界；决定第一单元中第一边脚面向第二单元中第二边脚的侧的一侧；决定第一边脚的该侧的至少一部分的第一垂直区段和第二边脚的该侧的至少一部分的第二垂直区段；指定介于第一垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第一部分；以及指定介于第二垂直区段与边界间的区域作为绕线区的第二部分。
兼容无色 m1 双重图案

[发明专利]具有三重图案化金属层结构的位格-CN201310410551.0有效
发明人： J·金;桂宗郁 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：揭示一种具有三重图案化金属层结构的位格。具体实施例包括经由金属层的第一图案化制程，提供为字符线结构、接地线结构、电源线结构及位线结构中的第一者的第一结构；经由该金属层的第二图案化制程，提供与该第一结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第二者的第二结构；以及经由该金属层的第三图案化制程，提供与该第一结构及该第二结构不同而且为该字符线结构、该接地线结构、该电源线结构及该位线结构中的第三者的第三结构。
具有三重图案金属结构

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