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[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202180086706.2在审
发明人：篠田智则;根本拓;田村樱子 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片的制造方法，其依次包括工序(S1)、(S2)、(S3)、(S3α)及(S4)，并进一步在工序(S4)之后依次包括工序(S5)及工序(S6)(工序(S5)～(S6)如说明书中定义的那样)。
半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180035591.4在审
发明人：篠田智则;根本拓;田村樱子 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供即使用以形成屏蔽层的导电材料绕入到了半导体晶片的凸块形成面侧也能够充分抑制在凸块形成面上形成导电材料的半导体芯片的制造方法。该方法是包括下述工序(A)的半导体装置的制造方法。工序(A)：在设置有凸块的半导体晶片的凸块形成面被由固化性树脂的固化物形成的保护层所保护的半导体芯片形成屏蔽层的工序，其中，在上述凸块及上述凸块形成面中的至少任一者被包覆用片所包覆的状态下，在上述半导体芯片的从上述包覆用片露出的部分中的至少一部分形成屏蔽层。
半导体装置制造方法

[发明专利]保护膜形成用片-CN202180020576.2在审
发明人：根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。
保护膜形成

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的剥离方法-CN202180010299.7在审
发明人：根本拓;田村樱子;古野健太;古贺遥 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序(S1)：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层(X1)的工序；工序(S2)：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。
保护膜半导体芯片剥离方法

[发明专利]套件及半导体芯片的制造方法-CN202080090569.5在审
发明人：篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
套件半导体芯片制造方法

[发明专利]固化性树脂膜、复合片、及半导体芯片的制造方法-CN202080090576.5在审
发明人：篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。条件(I)在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。
固化树脂复合半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202080090603.9在审
发明人：篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。
半导体芯片制造方法

[发明专利]认证授权系统、信息处理装置、设备、认证授权方法及程序-CN201980064745.5在审
发明人： 田村樱子;永井彰 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：一种认证授权系统，包括：多个设备；及服务器，生成所述设备的私钥，并对扩展识别符和所述私钥进行分发，所述扩展识别符包含对所述设备进行识别的识别符和所述设备的授权信息。所述认证授权系统的特征在于，所述服务器具有：保持单元，对所述设备的识别符和所述设备的授权信息进行保持；生成单元，根据包含对所述设备进行识别的识别符和所述设备的授权信息的所述扩展识别符来生成所述设备的私钥；及分发单元，将由所述生成单元生成的所述私钥和所述扩展识别符分发给所述设备。所述多个设备中的每个设备具有：认证单元，使用本设备的扩展识别符和私钥，在本设备和其它设备之间相互进行认证；及授权单元，在所述认证单元进行的本设备和所述其它设备之间的认证成功了的情况下，根据所述其它设备的扩展识别符中包含的授权信息，允许从所述其它设备向本设备的请求。
认证授权系统信息处理装置设备方法程序

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