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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]保护膜形成用复合片及其制造方法-CN201880084834.1有效
发明人：佐伯尚哉;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处切取试验片，并分别求出这5片试验片的粘着剂层的基材侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差、及保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差时，所述粘着剂层的基材侧的面的最大高低差的平均值为1～7μm，且所述保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面的最大高低差的平均值为2μm以下。
保护膜形成复合及其制造方法

[发明专利]保护膜形成用复合片、及带保护膜的半导体芯片的制造方法-CN202010468045.7有效
发明人：米山裕之;山本大辅;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备防污片、与形成在所述防污片的一个面上的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片的宽度的最大值为155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，宽度为15mm的所述防污片的试验片能够伸长15％以上，且在伸长10％时的拉伸强度为4.0N/15mm以上。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]工件处理片及器件制造方法-CN202280007249.8在审
发明人： 古野健太;福元彰朗;若山洋司;古川喜章 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种工件处理片1，其具备基材12与界面烧蚀层11，界面烧蚀层11层叠在基材12的单面侧、能够保持工件小片且通过激光照射进行界面烧蚀，界面烧蚀层11含有活性能量射线固化性成分、光聚合引发剂及紫外线吸收剂。即使是微小的工件小片，该工件处理片也能够良好地进行处理。
工件处理器件制造方法

[发明专利]支撑片及保护膜形成用复合片-CN201880086844.9有效
发明人：佐伯尚哉;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并求出这5片试验片中的粘着剂层的所述基材侧的相邻的凸部的顶点间的间距的平均值时，所述间距的平均值为3μm以上且小于15μm。保护膜形成用复合片在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。
支撑保护膜形成复合

[发明专利]工件处理片及器件制造方法-CN202280007251.5在审
发明人： 古野健太;福元彰朗;若山洋司;古川喜章 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种工件处理片1，其具备基材11与界面烧蚀层12，界面烧蚀层12层叠在基材11的单面侧、能够保持工件小片且通过激光照射进行界面烧蚀，界面烧蚀层12含有光聚合引发剂，工件处理片1对波长355nm的光线的吸光度为1.5以上。即使是微小的工件小片，该工件处理片也能够良好地进行处理。
工件处理器件制造方法

[发明专利]工件处理片及器件制造方法-CN202180063345.X在审
发明人： 古野健太;福元彰朗;若山洋司;山口征太郎 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C09J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种工件处理片1，其具备基材12及界面剥蚀层11，所述界面剥蚀层11层叠在基材12的一个面侧上，所述界面剥蚀层11可以在保持工件小片2的同时，通过激光的照射进行界面剥蚀，所述工件处理片1的特征在于，界面剥蚀层11含有紫外线吸收剂。这样的工件处理片即使是微细的工件小片也可以良好地进行处理。
工件处理器件制造方法

[发明专利]工件处理片、工件小片的处理方法、器件制造方法及工件处理片的应用-CN202180063657.0在审
发明人：古川喜章;古野健太;福元彰朗;若山洋司;山口征太郎 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使为微细的工件小片也能够良好地进行处理的工件处理片。一种工件处理片1，其具备基材11与界面剥蚀层12，所述界面剥蚀层12层叠在基材11的一个面侧上，所述界面剥蚀层12能够保持工件小片，同时通过激光的照射而进行界面剥蚀，所述工件处理片1的特征在于：对进行了以190mJ/cm2的光量照射波长为365nm的紫外线的第一紫外线照射的工件处理片1进一步进行以950mJ/cm2的光量照射波长为365nm的紫外线的第二紫外线照射的情况下，界面剥蚀层12将所述第二紫外线照射中的紫外线的光能转换为热能时的转换效率为60％以上。
工件处理小片方法器件制造应用

[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201780014930.4有效
发明人： 古野健太;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜同时满足以下条件：条件(1)：波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；条件(2)：波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。保护膜形成用复合片具备支撑片，并在支撑片上具备该保护膜形成用膜。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法-CN202211159504.9在审
发明人： 古野健太;米山裕之;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C08L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。
热固性保护膜形成复合芯片制造方法

[发明专利]热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法-CN201980059711.7有效
发明人： 古野健太;米山裕之;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。
热固性保护膜形成复合芯片制造方法

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的剥离方法-CN202180010299.7在审
发明人：根本拓;田村樱子;古野健太;古贺遥 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序(S1)：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层(X1)的工序；工序(S2)：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。
保护膜半导体芯片剥离方法

[发明专利]被粘附物的剥离方法-CN202180010325.6在审
发明人：篠田智则;根本拓;古野健太;古贺遥 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。
粘附剥离方法

[发明专利]保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法-CN201980006068.1有效
发明人： 古野健太;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B32B7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体-CN202080026612.1在审
发明人：上道厚史;根本拓;中石康喜;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B32B27/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种第三层叠体(19)的制造方法，其中，工件(14)的一个面为电路面(14a)，另一个面为背面(14b)，背面保护膜形成用膜(13)的一个面为平滑面(13b)，另一个面为比平滑面(13b)粗糙的粗糙面(13a)，所述制造方法依次包括：将背面保护膜形成用膜(13)的粗糙面(13a)朝向工件(14)的背面(14b)进行贴附的第一层叠工序；及在背面保护膜形成用膜(13)的平滑面(13b)上贴附支撑片(10)的第二层叠工序。
第三层叠制造方法第四背面保护膜半导体装置以及

[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201980079821.X在审
发明人： 古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片(101)，其具备支撑片(10)与形成在所述支撑片(10)的一个面上的保护膜形成用膜(13)，所述支撑片(10)具备基材(11)与形成在所述基材的一面或两面上的抗静电层(17)，将保护膜形成用复合片(101)的所述支撑片(10)的总透光率设为85％以上、或将雾度设为43％以下，将所述保护膜形成用复合片(101)的表面电阻率设为1.0×1011Ω/□以下。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

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