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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910342853.6有效
发明人：郑恩宅;申重植;尹智慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：一种三维(3D)半导体存储器件包括：源极结构，设置在水平半导体层上，并包括顺序地堆叠在水平半导体层上的第一源极导电图案和第二源极导电图案；电极结构，包括垂直堆叠在源极结构上的多个电极；以及穿透电极结构和源极结构的垂直半导体图案，其中垂直半导体图案的侧壁的一部分与源极结构接触。第一源极导电图案包括不连续界面，不连续界面在水平半导体层的顶表面与第二源极导电图案的底表面之间的水平处。
三维半导体存储器件

[发明专利]垂直存储器件-CN201710223451.5有效
发明人：尹永培;申重植;金光浩;朴玄睦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直存储器件，该垂直存储器件包括在基板上的沟道、栅线和切割图案。沟道在基本上垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。栅线在第一方向上彼此间隔开。每条栅线围绕沟道并在基本上平行于基板的上表面的第二方向上延伸。切割图案包括在第二方向上延伸并切割栅线的第一切割部分以及交叉第一切割部分并与第一切割部分合并的第二切割部分。
垂直存储器件

[发明专利]包括支撑物的3D半导体器件及其形成方法-CN201910269680.X有效
发明人：洪祥准;金利柱;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在衬底上的下导电层。导电线在下导电层上。提供在导电线中的掩埋沟槽。提供在导电线上并在掩埋沟槽中延伸的支撑物。包括交替堆叠的多个绝缘层和多个导电层的堆叠结构在支撑物上。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的沟道结构。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的隔离沟槽。
包括支撑半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201810725247.8有效
发明人：辛承俊;朴玄睦;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。
半导体器件

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310058816.9在审
发明人：孙仑焕;金味昭;申重植;吴民在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：公开了半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和第二区域；第一堆叠结构，其位于第一区域中；第一沟道结构，其穿透第一堆叠结构并且与衬底接触；以及第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构和第一沟道结构上。该装置还包括：第二沟道结构，其穿透第二堆叠结构并且连接到第一沟道结构；第一模制结构，其位于第二区域中；第一对准结构，其穿透第一模制结构并且与衬底接触；以及第二模制结构，其位于第一模制结构和第一对准结构上。该装置还包括：第二对准结构，其穿透第二模制结构并且连接到第一对准结构；以及保护层，其位于第一模制结构与第二模制结构之间。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件和电子系统-CN202211002748.6在审
发明人：孙仑焕;金亨珍;辛承俊;申重植;申旻树;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。
半导体器件电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统-CN202210423960.3在审
发明人：孙仑焕;申民洙;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底；堆叠结构，包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间介电层和栅电极，并包括位于衬底上的第一堆叠结构和位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；种子层，介于第一和第二堆叠结构之间并在水平方向上延伸；竖直沟道结构，贯穿堆叠结构并与衬底接触；第一接触插塞，贯穿堆叠结构并与栅电极中的一个接触。种子层可以包括包围竖直沟道结构和第一接触插塞的第一种子图案和第二种子图案，并且第一种子图案和第二种子图案可以在水平方向上彼此间隔开。
三维半导体存储器件以及包括电子系统

[发明专利]具有倾斜栅电极的三维半导体存储器件-CN201810105509.0有效
发明人： 申重植;朴志勋;孙龙勋;禹钟昊;郑恩宅;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。
具有倾斜电极三维半导体存储器件

[发明专利]包括分离图案的半导体器件以及电子系统-CN202210008951.8在审
发明人： 申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：提供了一种包括分离图案的半导体器件以及电子系统。该半导体器件包括：水平布线层；堆叠结构，包括交替地堆叠在水平布线层上的多个模层和多个布线层；延伸穿过堆叠结构的多个沟道结构；以及延伸穿过堆叠结构的多个分离图案，其中所述多个分离图案中的每个包括多个第一部分和与所述多个第一部分相邻的多个第二部分，其中所述多个第一部分中的每个具有比所述多个第二部分中的每个小的宽度。
包括分离图案半导体器件以及电子系统

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111534109.X在审
发明人：林根元;高秉贤;权容真;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与栅电极相交；块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；第一坝区域和第二坝区域，彼此间隔开，在平面图中均具有闭合环并且均切割模制结构；垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠，并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及贯穿过孔，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，位于位于第一坝区域中但是不位于第二坝区域中。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法、以及海量数据存储系统-CN202111077117.6在审
发明人：姜珉准;朴昞坤;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在基板上的栅电极结构，栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在第二方向上延伸；存储器沟道结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，该存储器沟道结构包括沿第一方向延伸的沟道；电荷储存结构，围绕沟道的外侧壁；第一填充图案，填充由沟道形成的内部空间；以及第一封盖图案，位于沟道和第一填充图案上的；以及虚设电荷储存结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，所述虚设电荷储存结构包括沿第一方向延伸的第二填充图案；虚设电荷储存结构，围绕第二填充图案的外侧壁；以及第二封盖图案，位于第二填充图案上。
半导体器件及其制造方法以及海量数据存储系统

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202110836683.4在审
发明人：高秉贤;宋承砇;申重植;权容真;金振赫;孙洪翼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列和延伸区域；栅电极结构，具有沿第一方向堆叠的栅电极；沟道，在单元阵列区域上穿过栅电极结构；第一划分图案，在单元阵列和延伸区域上沿第二方向延伸，该第一划分图案位于栅电极结构在第三方向上的相对侧；绝缘图案结构，在延伸区域上部分地穿过栅电极结构；通孔，穿过绝缘图案结构；以及支撑层，在栅电极结构上并在单元阵列和延伸区域上延伸，该支撑层接触第一划分图案的上侧壁，并且该支撑层不接触延伸区域上的第一划分图案与绝缘图案结构相邻的部分的上表面。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202111429771.9在审
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构；在薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，上结构在连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构；形成掩模图案，掩模图案暴露上结构的第一阶梯结构和第二阶梯结构在连接区上的一部分以及薄层结构在连接区上的一部分；以及使用掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻上结构的一部分和薄层结构的一部分。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202111431970.3在审
发明人：郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成薄层结构；形成第一掩模图案；使用第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻薄层结构；执行减小第一掩模图案的面积的第一修整工艺；交替地且重复地执行第一蚀刻工艺和第一修整工艺以在连接区上形成上结构；形成第二掩模图案；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻薄层结构和上结构；执行减小第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及交替地且重复地执行第二蚀刻工艺和第二修整工艺以在上结构下方形成多个中间结构。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统-CN202111046611.6在审
发明人：林根元;姜珉准;朴昞坤;申重植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括下部结构和堆叠结构，该堆叠结构具有交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层。第一坝竖直结构穿透堆叠结构。第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域。水平层包括栅极堆叠区域中的栅极水平层和绝缘体堆叠区域中的绝缘水平层。存储器竖直结构和支撑体竖直结构穿透栅极堆叠区域。分离结构穿透栅极堆叠区域。一个分离结构包括第一侧表面、不与第一侧表面垂直的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面。连接侧表面高于栅极水平层的最上栅极水平层。
半导体器件包括数据存储系统

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