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- [发明专利]一种埋置元件的封装方法及封装结构-CN202011536527.8有效
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王琇如;唐和明
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2020-12-22
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2022-04-22
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H01L21/56
- 本发明公开一种埋置元件的封装方法及封装结构,该埋置元件的封装方法,包括:将半导体元件结合于引线框架;压合DAF材料,形成DAF层;加工第一导通孔;设置第一导电结构;将引线框架刻为图案化导电层,形成第一导电部;位于半导体元件相对两侧的第一导电结构与同一第一导电部电连接,形成电磁干扰屏蔽结构;该埋置元件的封装结构包括:引线框架,其为图案化导电层,其包括第一导电部;半导体元件,其结合于第一导电部;DAF层,其覆盖引线框架的正面及半导体元件;半导体元件的正面电极接点露出;第一导电结构,其与第一导电部结合形成电磁干扰屏蔽结构。该埋置元件的封装方法及封装结构,在缩小产品尺寸的同时具备电磁干扰防护功能,散热性能良好。
- 一种元件封装方法结构
- [实用新型]一种高灵敏度霍尔器件-CN202122651544.2有效
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曹周;周刚
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2021-11-01
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2022-04-19
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H01L23/495
- 本实用新型公开一种高灵敏度霍尔器件,包括芯片以及引线框架,所述引线框架包括框架第一部分和框架第二部分;所述框架第二部分与所述芯片之间通过导线柱连接;所述框架第一部分包括输入引脚、输出引脚和连接部,所述连接部两端分别连接所述输入引脚和输出引脚,所述连接部位于所述芯片正下方,且所述连接部朝向所述芯片的表面为连接部内表面,所述输入引脚和输出引脚与所述连接部内表面同一侧的表面为引脚内表面,所述连接部内表面相对于所述引脚内表面向远离所述芯片的方向凹陷,从而增大所述连接部内表面与所述芯片表面之间的距离。其能够解决现有技术中存在的框架第二部分距离芯片较远,器件寄生电阻大,灵敏度低的技术问题。
- 一种灵敏度霍尔器件
- [实用新型]一种改善塑封气洞的半导体封装结构-CN202120868573.1有效
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周刚;刘思勇;曹周
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2021-04-25
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2021-12-07
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H01L23/31
- 本实用新型公开一种改善塑封气洞的半导体封装结构,属于半导体封装技术领域。该半导体封装结构包括:引线框架,其包括基岛以及管脚;管脚包括基部,以及与基部连接的焊接部,焊接部的顶面高于基部的顶面;焊接部远离基部的一端的部位为第一焊接段;半导体元件,其固定于基岛;电连接件,其一端与正面电极连接,另一端与焊接部的顶面连接;封装体,其包覆引线框架以及半导体元件;第一焊接段的底面至封装体的底面的间距为a,封装体的厚度为b;a/b≥0.25,或a/b=0。该半导体封装结构,通过调整管脚背离电连接件一侧的模流通道的大小,改善管脚旁侧的模流状态,避免由于模流不均产生反包气洞,提高塑封质量,提升封装可靠度,提高封装良品率。
- 一种改善塑封半导体封装结构
- [实用新型]一种金属桥框架及半导体封装结构-CN202120880269.9有效
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周刚;刘思勇;曹周
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2021-04-25
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2021-12-07
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H01L23/495
- 本实用新型公开一种金属桥框架及半导体封装结构,属于半导体封装技术领域。该金属桥框架包括依次连接的第一连接部、基部以及第二连接部;基部相对第一连接部、第二连接部向上凸出;第一连接部用于与半导体元件连接,第二连接部用于与管脚连接;第一连接部接近基部一侧的部位为连接近段,远离基部一侧的部位为连接远段;连接近段的底面为第一底面,连接远段的底面为第二底面,第二底面高于第一底面;该半导体封装结构包括上述的金属桥框架,还包括引线框架以及半导体元件。本实用新型的金属桥框架及半导体封装结构,通过调整金属桥框架的第一连接部的形状,保证结合材料的最小厚度,避免损伤半导体元件,保证电性能良好,提升了封装可靠度。
- 一种金属框架半导体封装结构
- [实用新型]晶圆级封装结构-CN202120075382.X有效
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唐和明
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2021-01-12
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2021-09-10
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H01L23/498
- 本实用新型公开一种晶圆级封装结构,包括芯片本体,芯片本体具有相互平行的第一表面以及第二表面,第一表面形成有芯片源极和芯片栅极,第二表面形成有芯片漏极,芯片漏极通过贯穿芯片本体的导电金属连接到第一表面,第一表面设置有通过重布线形成的金属焊盘,芯片源极、芯片栅极以及芯片漏极分别电连接于金属焊盘。通过在芯片漏极上设置贯穿芯片本体设置的导电金属,以使芯片漏极导出到第一表面上,以使三个电极能够位于同一平面上,不需要再采用引线框架进行电极导出,其能够直接安装在PCB板上,使得安装更加方便,同时,也有效地节省了整体生产成本。
- 晶圆级封装结构
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