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[发明专利]一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210205185.4在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;龚灿;周雨威;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。
一种基于对称欧姆再生区域线性 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种硅酸钙板施工墙体外饰面的连接构造-CN202220828231.1有效
发明人：任光强;李玉昊;尤佳;郭伟;刘洋;杨凌;谢博;王茜;熊京璐 -专利权人：中建二局装饰工程有限公司;中国建筑第二工程局有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：一种硅酸钙板施工墙体外饰面的连接构造，包括调平龙骨与结构墙体连接的硅酸钙板墙面；硅酸钙板墙面由若干9mm厚的硅酸钙板单元拼接而成，硅酸钙板单元为矩形板状结构，四周端面均垂直于端面设有拼接缝，左右相邻硅酸钙板单元水平向拼接缝之间设有接缝条，上下相邻硅酸钙板单元竖向拼接缝之间设有竖向拼接线，竖向拼接线为丁型，丁型上横部两侧紧贴两侧硅酸钙板单元外侧板面，下横部紧贴单侧硅酸钙板单元内侧板面。本实用新型墙体外饰面为硅酸钙板墙面，硅酸钙板墙面由若干硅酸钙板单元拼接而成，上下相邻硅酸钙板单元之间通过J字型竖向拼接线，左右相邻硅酸钙板单元之间通过形状各异的接缝条进行拼装，满足各种装饰需求。
一种硅酸施工墙体外饰面连接构造

[实用新型]一种阴角收口构造及利用其施工的墙体外饰面-CN202220828249.1有效
发明人：任光强;李玉昊;尤佳;张新颖;杨义涛;郭伟;刘洋;杨凌;王亚奇;陈琦 -专利权人：中建二局装饰工程有限公司;中国建筑第二工程局有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： E04F13/22 文献下载
摘要：一种阴角收口构造及利用其施工的墙体外饰面，包括分别卡固在墙体阴角两侧硅酸钙板墙面的两L型卡接部和设于两L型卡接部之间的弧形顺接部，L型卡接部卡固在硅酸钙板墙面靠墙侧阳角部，两L型卡接部的相邻侧板宽度与所述硅酸钙板墙面板厚相同，弧形顺接部的弧口朝向墙体外侧设置，L型卡接部的一侧侧板通过钻尾螺丝与调平龙骨固定。本实用新型可设计成一体成型件，材料可优先采用不锈钢和铝合金，表面根据需要进行颜色喷涂，尾部通过钻尾螺丝与调平龙骨固定，强度高，整体性好，结构简单。
一种收口构造利用施工墙体外饰面

[实用新型]链篦机溜槽-CN202220641868.X有效
发明人：杨凌;万文余;倪禄 -专利权人：新余钢铁股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： F27B7/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种链篦机溜槽，包括依次设置的水平导料段、倾斜导料段和底部导料段，所述底部导料段的顶面为与球团相接触的导料面，导料面为向下倾斜延伸的斜平面，导料面与所述倾斜导料段之间的夹角为钝角。本实用新型的链篦机溜槽，缩短球团在下部的停留时间，球团料流从链篦机至回转窑下滑非常顺畅，可以减少球团的堆积，阻止结瘤产生。
链篦机溜槽

[发明专利]插电式混合动力汽车燃油特性的区域综合能源系统优化调度方法-CN202210478528.4在审
发明人：王秀云;张成林;王汝田;崔本旺;文湘雲;杨凌 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明是一种插电式混合动力汽车燃油特性的区域综合能源系统优化调度方法，其特点是：所述方法同时考虑插电式混合动力汽车动力系统的主动力系统和从动力系统，在主动力系统中，电池组在充电装置的作用下将电能进行存储，电能传输到电动机进行利用，在从动力系统中，发动机对油箱中汽油的化学能进行利用；两套动力系统的耗电特性和燃油特性相互协同，更为灵活改变车辆的行驶规律和调度车辆的充电负荷；在区域综合能源系统中考虑插电式混合动力汽车燃油特性，兼顾综合能源系统与新能源汽车用户双方的利益与需求，提高综合能源利用率和可再生能源消纳率，降低负荷波动性，增强系统供电可靠性。
插电式混合动力汽车燃油特性区域综合能源系统优化调度方法

[发明专利]基于P型区的异质结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202210190201.7在审
发明人：张濛;贾富春;常青原;杨凌;侯斌;武玫;宓珉瀚;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型区的异质结势垒肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、P型区、阳极，其中，所述n‑‑Ga2O3漂移层的上表面设有若干多阶斜槽形结构，所述P型区位于所述多阶斜槽形结构内；所述阳极位于所述n‑‑Ga2O3漂移层和所述P型区上方。其中，P型区采用氮化镓材料。本发明通过采用多阶斜槽结构形成P型区，增大了P型区与漂移层的接触面积，使得pn结对电场的调制作用更加明显，利用产生的横向PN结分散肖特基结边缘处的电场，使器件具有更平滑的等电位轮廓，电场分布更加均匀，有效地缓和了电场集中，提升了器件的击穿电压，同时以P型GaN作为P型区规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
基于异质结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法-CN202210190204.0在审
发明人：马晓华;侯斌;常青原;杨凌;张濛;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，包括n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3层、p+型金刚石层、p++型金刚石层、阴极层和阳极层，其中，所述阴极层、所述n+‑Ga2O3衬底层、所述n‑‑Ga2O3层和所述p+型金刚石层自下而上依次设置，所述p++型金刚石层设置在所述p+型金刚石层上表面，且所述p++型金刚石层上开设有多个沟槽，所述阳极层覆盖在所述多个沟槽内部和所述p++型金刚石层的上表面；所述n‑‑Ga2O3层的掺杂浓度小于所述n+‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度，所述p++型金刚石层的掺杂浓度大于所述p+型金刚石层的掺杂浓度。本发明基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管结构可以增强PIN二极管的耐压性、减小导通电阻、减小反向漏电流、改善导热性能，提高器件的可靠性。
基于氧化金刚石 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]基于n型氧化镓-p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法-CN202210190219.7在审
发明人：马晓华;侯斌;常青原;武玫;杨凌;张濛;朱青;宓珉瀚;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于n型氧化镓‑p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层、p型金刚石结区、阳极、绝缘介质和阴极；阴极、n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层依次层叠；p型金刚石结区分布在n型氧化镓外延层的表层中，形成终端结构；阳极位于n型氧化镓外延层上，且其两个端部分别与p型金刚石结区部分交叠；绝缘介质位于n型氧化镓外延层上，且与阳极的两端相接触。该二极管改善了氧化镓基肖特基势垒二极管反向偏压低、反向漏电流大、热效应明显、以及异质肖特基结附近电场集中效应等问题，获得了更大的功率容量以及较高的器件可靠性。
基于氧化金刚石肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法-CN202210192790.2在审
发明人：武玫;杨凌;贾富春;王雨晨;侯斌;张濛;朱青;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法，采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结，阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构，相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处的曲率，从而极大的抑制了接触位置的电场集中效应。另一方面增大了阳极金属与p型材料的接触面积，改善欧姆接触特性，降低欧姆接触电阻，从而降低二极管的导通电阻；且p型金刚石具有更高的热导率、更宽的禁带宽度，能够提升二极管散热以及耐压性能。
一种氧化金刚石 mps 二极管及其制备方法

[发明专利]具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法-CN202210192800.2在审
发明人：杨凌;张濛;王平;侯斌;武玫;宓珉瀚;朱青;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法，其特征在于，该二极管包括阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层、P型区、阳极；其中，阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3缓冲层自下而上依次设置；n‑‑Ga2O3缓冲层左右两端各设有一组凹槽结构，P型区覆盖于凹槽结构内和凹槽结构上方的n‑‑Ga2O3缓冲层表面，以形成结终端延伸结构；阳极覆盖在n‑‑Ga2O3缓冲层中间的上表面，并向两端延伸至覆盖部分P型区的上表面。其中，P型区采用氮化镓材料。本发明采用结终端延伸结构，引入深度递增的P型凹槽，利用产生的横向PN结分散肖特基结边缘处的电场，使器件具有更平滑的等电位轮廓，降低了峰值电场，同时以P型GaN作为P型区规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
具有终端延伸结构肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法-CN202210192802.1在审
发明人：杨凌;武玫;王平;侯斌;张濛;宓珉瀚;朱青;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、阳极，其中，n‑‑Ga2O3漂移层和阳极接触面上设有若干重掺杂P型岛；重掺杂P型岛下方对应设有若干轻掺杂P型区，以与n‑‑Ga2O3漂移层形成超结结构；其中，重掺杂P型岛和轻掺杂P型区均采用氮化镓材料。本发明提供的基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管采用了若干重掺杂P型岛结构，并在其下方引入了轻掺杂P型区域，形成超结结构，通过耗尽肖特基接触区域下方的电子，降低了器件反向泄漏电流，增加了器件击穿电压，同时以P型GaN作为重掺杂P型岛和轻掺杂P型区的材料规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
基于结构混合 pin 肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法-CN202210192822.9在审
发明人：武玫;马晓华;杨凌;贾富春;侯斌;张濛;朱青;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层、漂移层、若干P型金刚石区、阴极和阳极，其中，阴极、衬底层、漂移层依次层叠；若干P型金刚石区间隔分布在漂移层的表层中；阳极位于漂移层的表面，且阳极的一端与一P型金刚石区部分交叠，另一端与另一P型金刚石区部分交叠；P型金刚石区包括第一阶区域和第二阶区域，第一阶区域位于第二阶区域上，第一阶区域的侧面和第二阶区域的侧面中至少一个侧面相对于漂移层的表面倾斜。该肖特基二极管缓和了结势垒肖特基二极管的电场集中问题，同时规避了制备P型Ga2O3的难题，实现了高质量的肖特基二极管。
基于金刚石氧化镓异质结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种拉曼光谱增强装置及气体分析系统-CN202110346685.5有效
发明人：侯春彩;杨申昊;杨凌;赵韦静;贾日波;李鑫 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一八研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种拉曼光谱增强装置及气体分析系统，拉曼光谱增强装置包括光源系统、增强腔、样品池及表面增强结构；增强腔为近共心腔，样品池位于增强腔中心位置，表面增强结构设置在样品池中心；光源系统提供的光束由入射孔进入，在增强腔内来回多次反射，在样品池中心处形成两个聚焦点，两个聚焦点分别汇聚在表面增强结构的两个侧面，增强拉曼散射光。气体分析系统包括拉曼光谱增强装置、散射光收集系统和分析系统；样品池中心处的拉曼散射光经散射光收集系统汇聚耦合后，由分析系统进行气体拉曼信号分析。本发明能够提升拉曼散射信号强度，进而提高拉曼光谱气体检测的灵敏度。
一种光谱增强装置气体分析系统

[实用新型]一种装饰墙-CN202220828055.1有效
发明人：谢博;任光强;李玉昊;尤佳;张新颖;杨义涛;刘洋;杨凌;王茜 -专利权人：中建二局装饰工程有限公司;中国建筑第二工程局有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：一种装饰墙，装饰墙的装饰板为硅酸钙板墙面，硅酸钙板墙面与结构墙体通过调平龙骨连接，硅酸钙板墙面顶部与吊顶之间设有拼接件；拼接件包括用于卡固硅酸钙板墙面端部的U型卡接件，以及用于承接吊顶的T型承接部，T型承接部的T型竖部与U型卡接件侧板之间的空间为吊顶限位空间，T型竖部与U型卡接件之间的T型横部朝向吊顶外侧拱起形成抗变形空间；硅酸钙板墙面底部与地板饰面之间设有踢脚线；硅酸钙板墙面与未铺设硅酸钙板墙面的结构墙体之间还设有收边条。本实用新型硅酸钙板墙面与地板饰面之间设有强度相对较高的踢脚线，增加墙体的稳固性及耐用性。
一种装饰

[实用新型]一种Z型墙体的装饰面板收边体系-CN202220828070.6有效
发明人：谢博;任光强;李玉昊;尤佳;张新颖;杨义涛;刘洋;杨凌;王茜 -专利权人：中建二局装饰工程有限公司;中国建筑第二工程局有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：一种Z型墙体的装饰面板收边体系，Z型墙体前后两墙面均设有装饰面板，装饰面板为硅酸钙板墙面，位于Z型阴角部位的硅酸钙板墙面之间设有阴角构件，位于Z型阳角部位的硅酸钙板墙面之间设有阳角构件；阳角构件包括固定在调平龙骨外侧阳角处的L型异形基础件和设于L型异形基础件阳角部、两侧硅酸钙板墙面之间的类矩形封口件，类矩形封口件远离L型异形基础件的角部为R角，类矩形封口件两侧相邻侧板紧贴两侧硅酸钙板墙面的端面，宽度与硅酸钙板墙面厚度相同。本实用新型阳角部位、阴角部位的装饰面板由阴阳构件和阴角构件包覆连接，不易被碰坏磨碎，装饰面板单元上下之间设有竖向拼接线，左右之间设有土字条，避免卫生死角，增加装饰墙面美观度。
一种墙体装饰面板体系