[发明专利]半导体存储器设备在审
| 申请号： | 202211345568.8 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN116156898A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李容在;金景洙;朴珍荣;李槿熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N52/80;H10N52/00;H10N50/80 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李婧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器设备。半导体存储器设备可以包括磁隧道结图案、与磁隧道结图案的第一部分接触的自旋轨道矩(SOT)图案、电连接到磁隧道结图案的第二部分且被配置为通过第一字线控制的第一晶体管、以及电连接到自旋轨道矩图案的第一端并且被配置为通过第二字线控制的第二晶体管。第一晶体管的有效沟道宽度可以不同于第二晶体管的有效沟道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】：
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