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[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制造方法-CN202110225691.5有效
发明人：田金朋;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体场效应晶体管，包括：衬底；第一绝缘层，位于所述衬底上方；半导体层，位于所述第一绝缘层上方；导电接触层，覆盖所述半导体层的一部分；第二绝缘层，位于所述导电接触层上方，所述导电接触层在所述第二绝缘层的第一端露出一部分，所述第二绝缘层的与所述第一端相对的第二端延伸超出所述导电接触层预定长度；第一电极，连接到所述导电接触层的在所述第二绝缘层的第一端露出的部分；以及第二电极，连接到所述半导体层的超出所述第二绝缘层的第二端的部分。本发明还提供一种上述半导体场效应晶体管的制造方法。
一种半导体场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种二维半导体材料晶体管及其制备方法-CN202110805312.X在审
发明人：彭雅琳;张广宇;杨蓉;杨威;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种顶栅二维半导体材料晶体管、其制备方法及相应的CMOS工艺兼容的集成电路制备方法。所述结构的晶圆级顶栅晶体管可以实现优异的电学性能和极高的成品良率，且该结构的制备方法不涉及任何二维材料通常采用的干法或湿法转移过程，所采用的所有工艺均与当前CMOS集成电路工艺兼容，具有很高的实际应用价值。
一种二维半导体材料晶体管及其制备方法

[发明专利]一种光伏高反射油墨用釉粉及其制备方法-CN202211038415.9在审
发明人： 时东霞;蔡步军;王岁英;李光辉;肖耀峰 -专利权人：咸阳彩虹光伏玻璃有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏高反射油墨用釉粉及其制备方法，包括基础玻璃粉和添加剂填料，基础玻璃粉占釉粉的比例为40％—65％，所述添加剂填料为TiO2，占釉粉的比例为35％‑60％；所述基础玻璃粉按如下重量百分比组成：ZnO 40％‑60％、B2O3 15％‑25％、SiO2 3％‑10％、Al2O3 0％‑5％、R2O 10％‑20％；将基础玻璃粉各组分经混合、熔解、粉碎后，再与添加剂填料按比例称取并充分混合均匀，制备成光伏高反射油墨用釉粉；本发明能够满足高反射率(反射率≥75％)，在低于压花玻璃或者浮法玻璃的钢化温度工艺下完全烧结(即釉粉的转变温度≤500℃)，且与压花玻璃或者浮法玻璃的膨胀系数相匹配(即：膨胀系数为(75‑85)×10‑7/℃)的特性，保证膜面加工后的反射率、附着力，并满足一定的耐酸碱、耐候性以及电性能等相关指标要求。
一种光伏高反射油墨用釉粉及其制备方法

[发明专利]一种用于光伏玻璃背板的高反射油墨及其制备方法-CN202211039800.5在审
发明人： 时东霞;蔡步军;王岁英;李光辉;肖耀峰 -专利权人：咸阳彩虹光伏玻璃有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光伏玻璃背板的高反射油墨及其制备方法，按质量百分比，包括调墨油15％—30％和釉粉70％—85％；所述调墨油按以下质量百分比计组成：溶剂75％—95％、溶质5％—25％、分散剂0％—3％、消泡剂0％—3％；所述釉粉按以下质量百分比计组成：玻璃粉40％—65％、钛白粉35％—60％；将配方配比的调墨油和釉粉经搅拌、粉碎、混合后，至达到所需粒径标准，制备成高反射油墨；本发明能够大幅提高生产效率，减小油墨粒度，提升反射率。
一种用于玻璃背板反射油墨及其制备方法

[发明专利]一种二维材料的转移方法和二维材料及其应用-CN202110249478.8在审
发明人：刘杰英;张广宇;杨蓉;时东霞;赵交交 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了一种二维材料转移方法及获得的二维材料及其应用。根据一实施例，该转移方法包括如下步骤：将衬底上承载有二维材料的一面与另一二维材料/衬底相对，并分别加热至指定温度，然后使其接触并对两衬底进行加压，加压一定时间后，撤去压力，实现二维材料的转移和二维材料之间的堆叠。该转移方法无需腐蚀衬底，可以避免二维材料在转移过程中受到污染。而且，该方法可以避免转移过程中经常出现的褶皱、气泡以及杂质等现象。该方法可实现大面积的二维材料的转移和堆叠，获得洁净的多层堆叠二维材料。
一种二维材料转移方法及其应用

[发明专利]一种基于二维材料的微流通道的制备方法和微流控制器件-CN202110280105.7有效
发明人：郭玉拓;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：提供了一种基于二维材料的微流通道的制备方法及微流控制器器件。根据一实施例，该制备方法包括如下步骤：在衬底上生长二维材料薄膜，然后在二维材料薄膜上沉积保护层，最后通过磁控溅射继续沉积一定厚度的无机薄膜。当遇到水等激发源时，薄膜中的应力将得以部分释放并产生形变，从而在二维材料和衬底的界面处产生中空结构的微流通道。不仅操作简便而且制备的微流通道内壁具有原子级平整的表面，有利于液体在微流管道中的传输。
一种基于二维材料流通制备方法控制器件

[发明专利]一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品-CN202110749551.8在审
发明人：李佳蔚;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有可拉伸场效应的晶体管器件，所述器件包括：可拉伸的柔性衬底；经沉积的金属栅电极；二维绝缘材料和/或柔性介电层；生长于所述柔性衬底上的二维半导体材料；和源漏金属电极。还提供了该器件的制备方法和应用。本发明对器件的制作方法进行了改进，先将要制作器件的柔性衬底进行预拉伸固定，然后直接在拉伸后的衬底上转移二维半导体材料进行器件制备。二维半导体材料如二硫化钼作为器件的沟道材料，二维绝缘材料如氮化硼作为器件的介电层。在器件制作完成后释放衬底，让衬底上的材料收缩，形成褶皱结构的可拉伸器件。成功制备出了稳定的场效应晶体管三端器件，可以应用于逻辑电路，光电探测，神经突触形态器件。有效解决了二维半导体材料柔性器件不能承受较大应变，在应变条件下不能稳定工作的问题。
一种具有拉伸场效应晶体管器件及其制备方法产品

[发明专利]非易失性存储器及其制备方法-CN201810427560.3有效
发明人：王硕培;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器及其制备方法，涉及半导体领域。本发明的非易失性存储器包括从下到上依次分布的基底、下介质层、导电层、上介质层和电荷存储层，导电层包括第一电极、沟道层和第二电极，沿水平方向第一电极和第二电极分别位于沟道层相对的两侧且与沟道层电性连接，其中，第一电极和第二电极上施加固定电压后，在基底上施加偏压以实现存储器的编程和擦除。在上述存储器中，通过顶栅(基底)和底栅(电荷存储层)之间的电容耦合作用，可优化电荷存储层中的电荷分布以及保持特性，由于其关态电流很小，在10‑12A量级，可以大大降低器件的损耗功率。
非易失性存储器及其制备方法

[发明专利]一种用于制备二维材料的方法-CN202110517464.X在审
发明人：魏争;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制备二维材料的方法，其包括：(1)：将衬底置于化学气相沉积系统中，高温退火衬底；(2)：将表面改性材料粘贴在经退火的衬底的表面上；(3)：将表面改性材料移除；(4)：将用于形成二维材料的物质与经表面改性处理的衬底依次放置于三温区化学气相沉积系统的第一温区、第二温区与第三温区，形成二维材料；(5)：停止氧气的通入，停止加热，自然降温至室温取出样品；(6)：将二维材料与衬底分离，得到目标产物。本发明可实现二维材料与衬底轻松剥离，避免引入污染物与缺陷，有效保证了样品的质量。
一种用于制备二维材料方法

[发明专利]一种光伏压延玻璃三棱锥形防眩光花纹结构-CN202011635360.0在审
发明人：卢雁鹏;仝小飞;吴文超;王教育;时东霞;杜健文;吴哲 -专利权人：彩虹集团新能源股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种光伏压延玻璃三棱锥形防眩光花纹结构，包括三棱柱A和三棱柱B，每一个三棱柱A对应三个三棱柱B，所述三棱柱B拼接在三棱柱A的三个边长处，组成一个单元体，单元体依次拼接形成相应的三棱柱玻璃。本发明能够将照射到花纹表面的光线，利用光的折反射原理，使反射光发散形成漫反射，减少或消除炫目的效果，起到了一定的防眩光的作用；该结构使用简单、安装容易、维护方便。
一种压延玻璃三棱锥形眩光花纹结构

[发明专利]二维三元原子晶体的制备方法-CN201910414775.6有效
发明人：魏争;汤建;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备二维三元原子晶体的方法，包括：在化学气相沉积系统中放入衬底，通入氩氧混合气，加热至一定温度保持一段时间进行退火处理，使得所述衬底产生周期性的台阶；将两种反应源以一定比例与退火后的所述衬底依次置于化学气相沉积系统的第一、第二与第三温区；通入载气并持续通入一定流量的氧气，在一定气压下，将三个温区的温度分别升温，持续一段时间后，形成所述二维三元原子晶体MXO。本发明提供的外延生长方法不仅简单快捷、成本低廉，而且制备的单晶薄膜洁净、无损，具有优异的性质，可用于制备高性能的电子学器件、光电器件以及用于电催化。
二维三元原子晶体制备方法

[发明专利]一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法-CN201910161220.5有效
发明人：李娜;张广宇;时东霞;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，属于纳米科技技术领域。其包括以下步骤：在氧化硅衬底上剥离单层或多层的二维材料；将剥离的二维材料在高温下退火去除表面吸附；将剥离的或者直接生长的二维材料放入原子层沉积系统中进行若干个沉积循环生长氧化铝的沉积的原子层。本发明提供的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，能够通过物理吸附使氧化铝沉积在二维材料的表面，不仅简单方便，而且还可以避免在二维材料的表面引入杂质和缺陷，从而保持了其本征特性。
一种二维材料表面生长氧化铝原子沉积方法

[发明专利]晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法-CN201611022096.7有效
发明人：张广宇;余画;杨蓉;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法。一种通过化学气相沉积来制备单层MoS₂膜的方法包括：通过第一通道将第一载气引导至衬底，所述第一通道中设置有固态S前体；通过第二通道将第二载气引导至所述衬底，所述第二通道中设置有固态MoO₃前体，所述第二载气包含有氧气，其中，所述固态S前体、所述固态MoO₃前体和所述衬底分别被加热至第一温度、第二温度和第三温度。该方法可以快速且低成本地在衬底上外延生长晶圆级单层MoS₂膜。
晶圆级单层二硫化钼及其制备方法

[发明专利]用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备-CN201710315987.X有效
发明人：张广宇;卢晓波;时东霞;杨蓉;汤建 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备。根据一示例性实施例，一种真空转移设备可包括：真空腔；二维样品驱动模块，安装在所述真空腔上并且包括延伸到所述真空腔内的二维驱动杆，所述二维驱动杆的延伸到所述真空腔内的末端用于支承第一样品；以及四维样品驱动模块，安装在所述真空腔上并且包括延伸到所述真空腔内的四维驱动杆，所述四维驱动杆的延伸到所述真空腔内的末端用于支承第二样品，其中，所述二维驱动杆能在二维平面内调整所述第一样品的位置，所述四维驱动杆能在三维空间内调整所述第二样品的位置，并且能绕与所述二维平面垂直的轴旋转所述第二样品，从而使所述第一样品与所述第二样品彼此贴附在一起。
用于制备二维材料范德华异质结真空转移设备

[发明专利]石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法-CN201410174485.6有效
发明人：王多明;张广宇;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法。该方法包括：形成石墨烯/六方氮化硼的初步堆叠结构；对初步堆叠结构进行热处理，以得到石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构。基于热处理时石墨烯会在六方氮化硼晶体上发生旋转，有利于两者的晶向匹配，从而得到了具有高度完美晶向匹配的石墨烯/氮化硼堆叠结构。该方法避免了现有技术中的机械对准方式所存在不确定性，且与石墨烯及六方氮化硼的边界晶向无关，即使无规则边界的石墨烯和六方氮化硼也能进行高度匹配。此外，该方法加工及操纵技术成熟，不仅适用于石墨烯/六方氮化硼堆叠结构，还可以延伸到制备其它类似的结构中，如石墨烯/石墨体系。
石墨烯六方氮化硼堆叠结构晶向匹配制备热处理不确定性高度匹配机械对准氮化硼无规则石墨延伸成熟加工

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