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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810314086.3有效
发明人：欧阳自明;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含在半导体基底上形成多个位线结构，其中位线结构之间包含多个沟槽。半导体装置的制造方法也包含形成第一氧化层顺应性地覆盖位线结构和沟槽，以及在沟槽中和第一氧化层上形成光刻胶材料层，其中光刻胶材料层的刻蚀选择性高于第一氧化层。半导体装置的制造方法更包含移除光刻胶材料层以在位线结构之间形成电容接触孔，以及在电容接触孔中形成电容接触件。本发明可有效降低半导体装置的寄生电容，进而增加电容放大信号。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110018081.8在审
发明人：王启安;任楷;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供衬底，其中所述衬底具有电容区与周边区，所述电容区中的衬底中形成有晶体管，且所述周边区中的衬底中形成有导电组件；于所述电容区中的所述衬底上形成电容器，其中所述电容器与所述晶体管电性连接，且所述电容器的上电极层延伸至所述周边区中的所述衬底上；于所述上电极层上形成保护层；于所述电容区中的所述保护层的至少表面中形成掺杂层；以及以所述掺杂层为掩模，进行蚀刻工艺，以移除所述周边区中的所述保护层与所述上电极层。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]增强离子电流的发射极结构-CN202110870227.1在审
发明人：赖韦侨;林君岳;黄英硕;张维哲;萧静瑜;游宇丰;杨宗宇 -专利权人：埃尔思科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种增强离子电流的发射极结构，包含一针尖部及一针柄部。针尖部形成于增强离子电流的发射极结构的前端，具有针尖点、第一直径以及曲率半径。针柄部形成于增强离子电流的发射极结构前端的针尖部之后，其中针柄部连同针尖部的长度由针尖部的针尖点至针柄部的第一端点位置计算，针尖点至第一端点位置的第一距离为300倍的该第一直径，针尖部的曲率半径介于50奈米至5微米之间，第一直径为2倍该曲率半径。
增强离子电流发射极结构

[发明专利]一种导管装置及近接治疗系统-CN201711346758.0有效
发明人：杨凯琳;王暄棉;张维哲;周正堉;赖宗佑;陈明正 -专利权人：贝克生医股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A61M36/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种导管装置，其包括：一多管腔管路结构，为一体成型，具有一近端方向及一远端方向，其中，所述多管腔管路结构包括一管状结构及复数个流体流管结构，所述管状结构及所述复数个流体流管结构沿着所述多管腔管路结构的一第一轴方向设置；至少一管套膜元件，包覆所述多管腔管路结构的外缘，其中，所述至少一管套膜元件包括一强化结构和/或一缓冲结构；以及一尖端，所述尖端接合于所述多管腔管路结构，使所述尖端牢牢固定于所述多管腔管路结构。本发明还提供了一种采用该导管装置的近接治疗系统，可用于治疗食道癌等腔内肿瘤。
一种导管装置治疗系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010715585.0在审
发明人： 张维哲;任楷;王喻柏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述结构包含半导体基底以及设置于半导体基底中的隔离部件。隔离部件包含沿着隔离部件与半导体基底之间的边界设置的衬层、设置于衬层之上的第一氧化物填充层、以封闭环形方式围绕第一氧化物填充层的介电阻挡结构、以及设置于介电阻挡结构之上且邻近衬层的第二氧化物填充层。本申请可改善半导体装置的漏电流，从而提升半导体装置的效能，还可阻隔氧化物填充层的杂质扩散至主动区中，从而改善半导体装置的可靠性和制造良品率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法-CN202011228956.9在审
发明人：田中义典;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体隔离结构，包括：衬底，具有第一沟槽及第二沟槽分别在衬底的第一区及第二区；填充层，位于第一沟槽以及第二沟槽中；衬层，在第一沟槽及第二沟槽的侧壁与底面；固定负电荷层，位于第一沟槽及第二沟槽中的填充层与衬层之间；以及固定正电荷层，位于第一沟槽中的固定负电荷层与衬层之间。在第一沟槽之中的衬层、固定正电荷层、固定负电荷层及填充层形成第一隔离结构。在第二沟槽之中的衬层、固定负电荷层及填充层形成第二隔离结构。本发明实施例的半导体隔离结构及其形成方法，可以减少PMOS装置的漏电流，并且可以避免正电荷引发NMOS装置的驼峰效应。
半导体隔离结构及其形成方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201710564443.7有效
发明人：竹迫寿晃;陈皇男;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，包括：衬底、多个隔离结构、多个字线组、多个位线结构、多个间隙壁、多个电容器以及多个电容器接触窗。隔离结构位于衬底中，以将衬底分隔成多个有源区。有源区被配置成带状且排列成一阵列。字线组沿着Y方向平行配置于衬底中。位线结构沿着X方向平行配置于衬底上，且横越字线组。间隙壁沿着X方向平行配置于位线结构的侧壁上，其中间隙壁包括氧化硅。电容器分别配置于有源区的长边的两端点上。电容器接触窗分别位于电容器与有源区之间。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201810512816.0有效
发明人：颜英竹;张维哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C21/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置的制造方法，该方法包含形成氧化物层于半导体基底上，形成隔离结构于半导体基底和氧化物层中，隔离结构定义出主动区，形成字线和位线于半导体基底中，其中位线位于字线上方，移除氧化物层，形成凹陷部位于隔离结构与位线之间，以及形成储存节点接点于凹陷部内。此外，由俯视观之，存储器装置包含的储存节点接点与相对应的主动区重叠。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储器装置-CN201710431435.5有效
发明人：颜英竹;张维哲;田中义典 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置包括一半导体基底，具有由一装置隔离结构所定义出的至少一主动区。存储器装置更包括二个相邻的埋入式字元线，设置于主动区的半导体基底内。存储器装置更包括一沟槽隔离结构，设置于该等埋入式字元线之间的该半导体基底内。
存储器装置

[发明专利]产品成交总额的预测方法、系统、电子设备和存储介质-CN201911053194.0在审
发明人： 张维哲;吴亚熙;高云;肖宁;戚学鋆 -专利权人：北京京东尚科信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种产品成交总额的预测方法、系统、电子设备和存储介质，所述预测方法包括：获取每个品类的产品在历史设定时间段内的历史成交总额；获取任意两个品类的产品的历史成交总额的相似度；根据相似度对不同品类的产品进行聚类处理，获取聚类类型；对于同一聚类类型的产品，将聚类类型作为输入，将属于聚类类型的产品的历史成交总额作为输出，建立预测模型；获取目标品类的产品对应的目标聚类类型；将目标聚类类型输入至预测模型，获取目标品类的产品在目标设定时间段内的目标成交总额。本发明实现了在减少训练模型次数的同时，有效地提高了产品的成交总额的预测精度；另外，通过对数损失函数对预测模型进行优化，进一步提高了预测精度。
产品成交总额预测方法系统电子设备存储介质

[实用新型]一种搓牙机油烟的收集装置-CN202021854549.4有效
发明人： 张维哲 -专利权人：苏州上格五金有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种搓牙机油烟的收集装置，包括设置在搓牙机一侧可调节位置的支撑装置以及设置在该支撑装置端部的油烟收集罩，所述油烟收集罩设置在所述搓牙机搓牙位置的正上方，所述油烟收集罩包括设置在内部导流风扇和弧形过滤网，以及设置弧形过滤网底部的集油槽，油烟收集罩顶部还设有排烟管。本实用新型能有效降低搓牙机工作过程中产生的油烟污染厂房空气，保证工作人员得工作环境，避免工作人员遭受油烟的危害。
一种机油收集装置

[实用新型]一种清洗螺丝的装置-CN202021854626.6有效
发明人： 张维哲 -专利权人：苏州上格五金有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗螺丝的装置，包括清洗箱以及设在清洗箱内部的震动篮，震动篮配设有驱动其左右往复运动的支撑架和驱动气缸，清洗箱底部还设有搅动其内部清洗液的波轮，波轮通过波轮轴连接到清洗箱下方驱动电机。本实用新型螺丝的清洗装置，其能对螺丝进行清洗处理。
一种清洗螺丝装置

[实用新型]一种螺丝打头机的不良品分离装置-CN202021757055.4有效
发明人： 张维哲 -专利权人：苏州上格五金有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种螺丝打头机的不良品分离装置，螺丝打头机上设有出料槽和不良品检测器，分离装置包括：活动挡板、驱动装置、电磁吸附装置和电磁吸附控制单元，检测器检测到不良品时发出信号，电磁吸附控制单元根据信号控制电磁吸附装置吸附不良品螺丝，驱动装置驱动活动挡板向上翻动，将不良品螺丝分离。本实用新型结构合理，能使该螺丝打头机所制造的不良品不会混入已制好的大量良品中，而达到节省人力及时间并维持产品的品质。
一种螺丝打头不良分离装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710532559.2有效
发明人： 张维哲;田中义典 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括基底、设置在基底中的多个第一隔离结构、至少一条埋入式字元线与至少一个第二隔离结构。埋入式字元线与第一隔离结构相交。第二隔离结构与第一隔离结构相交。第二隔离结构的至少一部分的材料与第一隔离结构的材料不同。本发明还提供所述半导体结构的制造方法。上述半导体结构及其制造方法可有效地防止主动区的尺寸缩小，且可避免在接触窗之间产生短路的问题。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种螺丝螺母防拆卸的连接结构-CN202021855807.0有效
发明人： 张维哲 -专利权人：苏州上格五金有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： F16B41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种螺丝螺母防拆卸的连接结构，包括螺丝以及与该螺丝配套的螺母，所述螺丝的丝杆内部设有滑槽，所述螺母上套设有防拆环套，所述防拆环套通过其内部的卡钩结构与螺母卡合固定，所述螺母完全嵌入所述防拆环套内，且所述防拆环套与滑槽配合使螺母无法拆卸。本实用新型通过罩设在螺母上的防拆环套，使螺丝螺母实现防拆卸效果，其结构巧妙，使用操作过程简单，实用性强。
一种螺丝螺母拆卸连接结构