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[发明专利]基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池及其制备方法-CN202210910290.8在审
发明人：高鹏;宋志成;郭永刚;刘大伟;张春福;倪玉凤;张敏;杨超;刘建达;张博 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池，其包括钙钛矿底电池、碳纳米管互联层和有机顶电池；所述碳纳米管互联层沉积形成在所述钙钛矿底电池上，所述有机顶电池键合结合在所述碳纳米管互联层上。其制备方法包括：分别制备获得所述钙钛矿底电池和所述有机顶电池；在所述钙钛矿底电池上沉积形成所述碳纳米管互联层；将所述有机顶电池键合在所述碳纳米管互联层上并采用固化胶固化连接。本发明以机械堆叠的方式，将钙钛矿电池和有机电池堆叠形成两端叠层太阳电池，顶电池和底电池之间能够有效地进行电学串联和光学耦合，并且降低叠层电池的制备工艺难度。
基于纳米管互联两端式叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路-CN202210412224.8在审
发明人： 张春福;张泽阳;成亚楠;陈大正;郭云峰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，包括待测N型FinFET管M0、第一电流镜、第二电流镜、第一电阻R0和第二电阻R1，其中，待测N型FinFET管M0的栅极连接外部电源信号VG，漏极同时连接第一电流镜的输入端和第二电流镜的输入端，源极连接接地端；第一电阻R0连接在接地端与第二电流镜的输出端之间，第二电阻R2连接在接地端与第一电流镜的输出端之间；第一电流镜和第二电流镜均用于捕获待测N型FinFET管M0发生单粒子效应后产生的瞬态电流。本发明的FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，当器件发生单粒子效应后，产生瞬态电流被电流镜捕获，根据电流大小，器件的漏端电压通过内部电路进行偏置，减弱了外加电源对瞬态特性的噪声影响。
一种 finfet 单管单粒子瞬态效应测试电路

[发明专利]基于二维和三维钙钛矿复合结构的突触晶体管及其制备方法-CN202010487655.1有效
发明人：陈大正;张春福;田百川;庞商政;朱卫东;樊刚;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法，主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题，其自下而上，包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料，导电沟道层采用二维钙钛矿材料；利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运；器件栅极模拟突触前膜作输入端；器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流，本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程，实现对源漏电流的调控，提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性，可用于模拟人类神经突触，构建神经网络系统。
基于维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制备方法

[发明专利]基于阵列肖特基漏的功率开关器件-CN202210583562.8在审
发明人：毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;张春福;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阵列肖特基漏的功率开关器件，主要解决现有器件开启电压高及阻断能力有限的问题，其包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，钝化层左侧为源极槽和源极；势垒层和钝化层的右侧为M组阵列条，每组阵列条包括N个左阵列块和(N+1)个右阵列块，其中左、右阵列块为交错分布，这些阵列块的底部位于过渡层内；这些阵列块的上侧为互连金属；源极与最左侧阵列条之间的钝化层内为凹槽，其内部自下而上为P型块、i‑GaN块、栅极；源极、栅极与M组阵列条及互连金属构成HEMT结构，M组阵列条与其接触的势垒层和钝化层形成二极管结构，HEMT与二极管构成双向耐压器件。本发明开启电压低，阻断特性好，可用于电力电子系统。
基于阵列肖特基漏功率开关器件

[发明专利]一种全透明钙钛矿太阳能电池及其制作方法-CN202210457243.2在审
发明人：董鹏;郭永刚;宋志成;倪玉凤;刘大伟;张敏;陈丹;朱卫东;张春福 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种全透明钙钛矿太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：在透明导电基板上形成电子传输层；在电子传输层上形成PbCl2薄膜；将CsCl水溶液旋涂在PbCl2薄膜上，以反应生成钙钛矿光活性层；在钙钛矿光活性层上依序形成层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层；在第二空穴传输层上形成ITO电极。该制作方法该制作方法通过利用CsCl水溶液与PbCl2薄膜反应来制备CsPbCl3钙钛矿光活性层，更有利于保证制备获得完整的高质量的CsPbCl3钙钛矿光活性层，提高电池的光电转换效率。并且，所述全透明钙钛矿太阳能电池的每一层材料均为透明材料，在实现透明钙钛矿太阳能电池更高的光电转化效率的同时实现了更高的透光度。
一种透明钙钛矿太阳能电池及其制作方法

[发明专利]金属网格互联层的钙钛矿/GaAs两端机械叠层太阳电池-CN202210675836.6在审
发明人：朱卫东;韩天娇;张春福;习鹤;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属网格互联层的钙钛矿/GaAs两端机械叠层太阳电池及其制备方法，以金属网格为互联层实现钙钛矿顶电池和GaAs底电池的互联，可在降低光学寄生吸收和载流子非辐射复合的同时，简化电池的制备工艺和成本，进而达到二者间的光学和电学耦合而获得两端叠层太阳电池器件。本发明不仅具有传统钙钛矿/GaAs两端叠层太阳电池效率高、成本较低的优势，而且可以有效降低互联层光学、电学性质的苛刻要求，并同时避免高温、溶液等工艺对造成GaAs太阳电池损伤的突出难题，具有效率高、制备工艺简单、成本低廉、可批量生产的特点，展现出显著的产业化优势。
金属网格互联层钙钛矿 gaas 两端机械太阳电池

[发明专利]基于牵引动力模型的电网智能调度系统-CN202111173927.1有效
发明人：刘洪星;赵文明;王文会;李洪华;张春福;马淑辉;徐烨炜;王仲;徐壮;王宇 -专利权人：国网山东省电力公司武城县供电公司;武城县星宇安装工程有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于牵引动力模型的电网智能调度系统，属于电网智能调度技术领域。本发明包括：电网调度层：用于接收信道传输的消息并进行远程调度；电力物理层：用于采集负载的信息并选择空闲的信道进行传递；调度服务器：用于接收若干个信道传递的信息并进行调度处理；调度备用机：用于调度服务器出现宕机时进行替代并与信道重新联接；若干负载与信道通信联接，若干负载在在统一的通信协议下自组牵引动力模型并通过信道连接调度服务器，调度服务器受到攻击宕机时，实时与调度服务器相连的调度备用机分别与若干个信道通过局域网络协议通信互联；本发明兼顾了调度过程中的安全问题，当遇到宕机时依然能提高平台负载均衡能力，并且支持横向扩展。
基于牵引动力模型电网智能调度系统

[发明专利]一种高效稳定钛矿太阳能电池的制备方法-CN202210590796.5在审
发明人：习鹤;丁李淞;张春福;朱卫东;陈大正 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效稳定钛矿太阳能电池的制备方法，在钛矿太阳能电池制备过程中，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿吸光层，钝化缺陷添加剂的小分子结构包括羰基、氨基、苯环和氟基。其中羰基能与钙钛矿溶液中配位不足的Pb2+离子结合，或者是与其他缺陷态的阳离子结合，形成刘易斯络合物，从而钝化薄膜缺陷；氟基团有着较强的疏水性，可以提高钙钛矿太阳能器件的稳定性，并且是钙钛矿层与空穴传输层之间有效电荷的传输通道；而氨基提高了C＝O和Pb2+的配位能力，减少晶粒表面的缺陷，提高钙钛矿成膜质量，并且氨基与碘化物结合可以抑制离子迁移，进一步增强钝化效果。
一种高效稳定太阳能电池制备方法

[发明专利]一种高效稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210590797.X在审
发明人：习鹤;丁李淞;徐庄婕;吕玲;张春福;朱卫东;陈大正 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在钛矿太阳能电池制备过程中，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿吸光层，钝化缺陷添加剂的小分子结构包括磺酰基、氨基、氟基和苯环，其中，磺酰基O＝S＝O结构可以有效抑制氧元素对于钙钛矿的影响，延长钙钛矿器件的使用寿命，而且氨基提高了O＝S＝O和Pb2+的配位能力，大大减少了钙钛矿吸光层中的空位缺陷，对薄膜中的缺陷位置起到了钝化作用，很大程度上减少了薄膜的缺陷，提高了光电转化效率。氟基团有着较强的疏水性，这对于提高钙钛矿薄膜在常温下稳定性有着重要意义，又是钙钛矿和HTL之间有效电荷传输的桥梁，从而大大地提高了钙钛矿薄膜有效电荷的传输效率。
一种高效稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist-CVD设备-CN202210361984.0在审
发明人： 张春福;张泽雨林;宋庆文;陈大正;闫芃如;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist‑CVD设备，Mist‑CVD设备包括：多个雾化腔室，每个所述雾化腔室设置有用于进行雾化或者承载第一气体的雾化源空腔；每个所述雾化腔室上均设置有连通所述雾化源空腔的第一载气入口，所述第一载气入口可用于通入第二气体；混气腔室，所有所述雾化腔室均可独立通断的连接至所述混气腔室，所述雾化腔室设置有用于使雾化气体混合均匀的混气空腔；反应腔室，所述混气腔室连通所述反应腔室，所述反应腔室设置有接收所述雾化气体、以用于反应生长的反应空腔。本发明的Mist‑CVD设备在可以实现多掺杂源的同时，还能兼容液体源和/或气体源的同时使用。
一种具有分时分步输运功能雾化 mist cvd 设备

[发明专利]一种电力电缆安装用张紧装置及其安装方法-CN202110091381.9有效
发明人： 张春福 -专利权人：广东立胜综合能源服务有限公司;广东电网有限责任公司佛山供电局
申请日： 2021-01-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02G9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电力电缆安装技术领域，具体地说，涉及一种电力电缆安装用张紧装置及其安装方法。其包括张紧装置和设置在张紧装置外部的支撑架。本发明中通过设置的调节螺帽带动移动杆纵向移动，以实现拉伸式张紧架相互交错，从而通过在横向距离不变的情况下，对纵向进行拉伸，以提高电缆紧绷度，另外通过组合使用的方式提高张紧效果，同时通过纵向张紧轮的转动连接，实现对该装置进行移动，进而解决在电缆的任何位置进行使用的问题，还能降低对电缆的磨损。
一种电力电缆安装用张紧装置及其方法

[发明专利]基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法-CN201910465077.9有效
发明人：张雅超;马德璞;许晟瑞;王学炜;张进成;马佩军;张春福;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
基于掺杂 alscn 晶格势垒层高效发光二极管制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法-CN202210363685.0在审
发明人：董鹏;郭永刚;宋志成;倪玉凤;刘大伟;张敏;陈丹;朱卫东;张春福 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：在透明衬底上形成阴极；在阴极上形成电子传输层；在电子传输层上形成三维钙钛矿光吸收层；利用真空镀膜法在三维钙钛矿光吸收层上形成二维钙钛矿光吸收层；其中，二维钙钛矿光吸收层的材料为(COOH(CH2)3NH3)2PbI4或(COOH(CH2)7NH3)2PbI4；在二维钙钛矿光吸收层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成阳极，以获得所述钙钛矿太阳能电池。本发明所提供的制作方法采用真空蒸镀法代替溶液法，构建二维/三维钙钛矿异质结构，避免了由于加入溶剂所引起的不方便以及不确定性，并且还有利于改善三维钙钛矿薄膜的质量、光电性质、稳定性和界面特性，进而有利于提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和效率。
一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种基于GaN的横向结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202010887566.6有效
发明人：赵胜雷;朱丹;张进成;张春福;王中旭;张苇杭;吴银河;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒层的一端，P注入区包括若干P区和若干N区，且两个相邻所述P区之间未进行P注入的区域由于存在二维电子气即为N区；阳电极，位于P注入区的上表面；阴电极，位于势垒层的上表面，且位于势垒层远离阳电极的一端。本势垒肖特基二极管及其制备方法，通过P注入区与二维电子气形成梳状的横向PN结，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，提高击穿电压，同时保持较低的开启电压。
一种基于 gan 横向结势垒肖特基二极管及其制备方法

[外观设计]桌面伸缩手机支架-CN202230170718.0有效
发明人： 张春福 -专利权人：深圳市峰尚科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： 14-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌面伸缩手机支架。2.本外观设计产品的用途：用于办公居家放置手机用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
桌面伸缩手机支架