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[发明专利]RAMO4-CN201711280650.6有效
发明人： 小松真介;冈山芳央;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
ramo base sub

[发明专利]结晶生长装置以及结晶制造方法-CN201710445532.X有效
发明人：森勇介;今出完;小松真介;吉野道朗 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
结晶生长装置以及制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板-CN202010103889.1在审
发明人：冈山芳央;小松真介;多田昌浩;森勇介;今西正幸;吉村政志 -专利权人：松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
iii 氮化物晶体制造方法晶种基板

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN202010094897.4在审
发明人：森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;小松真介;多田昌浩;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN201910296956.3在审
发明人：多田昌浩;小松真介;森勇介;今西正幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
基底基板混合熔液锂化合物单晶基板碱金属制造蓝宝石结晶生长抑制装置盛具冷却腐蚀

[发明专利]有机EL元件的制造方法和有机EL元件-CN201210120571.X无效
发明人： 小松真介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种使亮度提高的有机EL元件的制造方法和有机EL元件。在具有阴极、与阴极对置的阳极、以及被配置在阴极和阳极之间的有机层的有机EL元件的制造方法中，准备有机EL元件，将脉冲激光透过阴极而照射到有机层，从而在有机层中形成具有比有机层的电阻值更低的电阻值的导电性的有机层。
有机 el 元件制造方法

[发明专利]带滤光片有机EL器件及其修理方法-CN200980113834.0有效
发明人：铃木规之;小松真介;中桥昭久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：提供一种带滤光片有机EL器件及其修理方法，能够使按滤光片类别在漏光的检测时的漏光的透过条件和用于修理的激光的透过条件之条件偏差减少。带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收。
滤光有机 el 器件及其修理方法

[发明专利]超声波测量方法和装置-CN200880000125.7有效
发明人： 小松真介;上田阳一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01N29/44 文献下载
摘要：通过从合格品的观测对象物(2)的波形信号生成的模板数据和从未测量的观测对象物得到的波形信号的比较，来校正观测对象物上产生的时间相位差，并进一步检测与模板数据的差异。作为第1阶段，通过使用了所生成的模板数据的长区间模板数据来对未测量的观测对象物进行好坏判断(步骤S31～S33)，校正时间相位差(步骤S34)。接着，作为第2阶段，根据以时间轴分割后的短区间模板数据与同样分割后的观测对象物的波形信号来进行好坏判断(步骤S35、S36)。由此，校正观测对象物(合格品和不合格品)间产生的时间相位差，并可通过与合格品的波形信号的比较来进行高精度的好坏判断。
超声波测量方法装置

[发明专利]超声波测定方法、电子部件制造方法及半导体封装-CN200810190886.5有效
发明人： 小松真介;上田阳一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G01N29/11 文献下载
摘要：本发明提供一种超声波测定方法、电子部件制造方法及半导体封装。能分别接收在测定对象物内的多个界面上反射的超声波的波形信号，基于接收到的波形信号的振幅，检测测定对象物内部的基准界面上的反射波的波形信号，以基准界面上的反射波的波形信号为基础，评价测定对象界面的接合状态。
超声波测定方法电子部件制造半导体封装

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