专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]RAMO4-CN201810467353.0有效
  • 上田章雄 - 松下电器产业株式会社
  • 2018-05-16 - 2022-07-26 - H01L33/16
  • 本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置,该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向,能够使III为了实现上述目的,设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板,通式中,R表示从Sc、In、Y、及镧系元素中选择的一个或多个三价元素RAMO4基板的主表面具有从C面相对于M轴方向倾斜θa°的偏离角a,并满足0.05°≤|θa|≤0.8°。
  • ramobasesub
  • [发明专利]RAMO4-CN201711280650.6有效
  • 小松真介;冈山芳央;信冈政树 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-12-06 - 2021-03-19 - H01L33/00
  • 本发明的目的在于,提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板,其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中,R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素,A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素,M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板,所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽,所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ,将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx,并将所述凸部的高度记作
  • ramobasesub
  • [发明专利]RAMO4-CN201911239070.1在审
  • 领木直矢;宫野谦太郎;信冈政树;石桥明彦 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2019-12-05 - 2020-06-16 - C30B25/18
  • 本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板,其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中,R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素,M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素),在通过上述RAMO4
  • ramobasesub

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