[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板在审

专利信息
申请号: 202010103889.1 申请日: 2020-02-20
公开(公告)号: CN111593400A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 冈山芳央;小松真介;多田昌浩;森勇介;今西正幸;吉村政志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学
主分类号: C30B15/22 分类号: C30B15/22;C30B15/36;C30B28/10;C30B29/38;C30B25/00;C30B29/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张涛
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题,本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括:籽晶准备工序,在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶;晶体生长工序,在包含氮的环境下,使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液,来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中,将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
搜索关键词: iii 氮化物 晶体 制造 方法 晶种基板
【主权项】:
暂无信息
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  • 秦瑞锋;李洋 - 山东有研艾斯半导体材料有限公司
  • 2021-12-02 - 2022-03-29 - C30B15/22
  • 本发明公开了一种快速控制直拉单晶硅直径的方法。该方法包括在单晶硅与石英坩埚之间增设可上下移动的挡板;在单晶等径生长过程中,当单晶硅直径较目标直径减小时,向下移动挡板至遮挡直径减小部位的位置,单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射减少,单晶硅直径增加;当单晶硅直径较目标直径增大时,向上移动挡板离开直径增大部位的位置,单晶硅受到石英坩埚壁的热辐射增加,单晶硅直径减小。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的挡板实现对热辐射量的直接控制,从而快速改变相变界面周围的温度,以达到辅助拉速控制单晶直径的目的,减小甚至消除拉速的变化。
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