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[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶-CN201980071989.6有效
发明人：谭金光;栉引了辅;青野雅广;渡边恭伸 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的CoPt‑氧化物系的面内磁化膜。本发明是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜(10)，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于面内磁化膜(10)的金属成分的合计，含有55原子％以上且小于95原子％的金属Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金属Pt，相对于面内磁化膜(10)的整体，含有10体积％以上且42体积％以下的所述氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下。
磁化多层结构偏置磁阻效应元件溅射

[发明专利]面内磁化膜多层结构、硬偏置层和磁阻效应元件-CN202180031697.7在审
发明人：栉引了辅;金光谭;镰田知成 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜多层结构。该面内磁化膜多层结构是作为磁阻效应元件(20)的硬偏置层(22)使用的面内磁化膜多层结构(10)，其中，具有两个以上面内磁化膜(12)和非磁性中间层(14)，非磁性中间层(14)配置在面内磁化膜(12)彼此之间，并且，夹着非磁性中间层(14)相邻的面内磁化膜(12)彼此进行了铁磁性耦合，面内磁化膜(12)含有金属Co和金属Pt，相对于面内磁化膜(12)的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，两个以上面内磁化膜(12)的合计厚度为30nm以上。
磁化多层结构偏置磁阻效应元件

[发明专利]一种垂直膜面方向具有硬磁性能且在面内方向具有软磁性能的磁性薄膜及其制备方法-CN202110708000.7有效
发明人：于广华;刘冕宸;徐秀兰;冯春;滕蛟;李明华 -专利权人：广东麦格智芯精密仪器有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直膜面方向具有硬磁性能且在面内方向具有软磁性能的磁性薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜制备技术领域。本发明所述磁性薄膜是利用磁控溅射仪于室温下在基底材料上沉积而成，包括从下而上依次层叠的基底、AlNiCo永磁合金和Ag。所述制备方法包括：利用磁控溅射仪于室温条件下通过直流溅射金属靶材，在基底材料上依次沉积AlNiCo永磁合金和Ag；再将薄膜材料从磁控溅射仪中取出，放入超高真空退后炉中，在真空度优于5.0×10‑7Torr的条件下进行退火处理，退火温度为750℃‑900℃。利用该制备方法得到的磁性薄膜沿面内方向具有软磁性能且同时沿具垂直膜面方向有硬磁性能，拓宽了AlNiCo薄膜材料的使用性能，不仅可以用作磁码盘材料，还可用作磁传感器材料。
一种垂直方向具有磁性薄膜及其制备方法

[发明专利]一种Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法-CN201610638117.1有效
发明人：吴小平;王顺利;史建君;李小云;金立;杨欧 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法。涉及Sm‑Co基永磁薄膜技术领域，包括基体和位于基体表面的Sm‑Co薄膜层，所述的基体与Sm‑Co薄膜层之间设置缓冲层，所述的缓冲层是四层结构，一层是位于基体表面的Cu薄膜层，在Cu薄膜层表面的是W‑Cu薄膜，位于W‑Cu薄膜层表面的Ni‑W薄膜层，位于Ni‑W薄膜层表面的Ni薄膜层。使用磁控溅射方法，得到的Sm‑Co基永磁薄膜具有较好的膜基结合力，经过高温处理也未出现裂纹，且具有较好的磁性能。
一种 sm co 永磁薄膜及其制备方法

[发明专利]具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构及制备方法-CN201610279012.1有效
发明人：米文博;张岩 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构及制备方法。在室温条件下，以Si为基底，溅射电流为0.02A，溅射电压为975V，CoFeB薄膜的厚度为160nm时，CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构具有大的磁电阻效应。Si基底晶格排列有序，CoFeB薄膜晶格排列无序，SiO2层厚度为2.5nm，界面两侧干净尖锐；电阻随温度的升高呈现先减小后增大的趋势；在200K温度和50kOe磁场下，磁电阻高达2300％。本发明所采用的磁控溅射法，与分子束外延法和化学方法相比，在工业化生产上具有明显优势。
具有磁电效应 cofeb sio sub si 结构制备方法

[发明专利]具有高膜基结合力的Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法-CN201410350870.1有效
发明人：祁晓玉;王永;张健;杜娟;夏卫星;闫阿儒;刘平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高膜基结合力的Sm‑Co基永磁薄膜，该Sm‑Co基永磁薄膜与基体之间是缓冲层，该缓冲层是两层结构，一层是与位于基体表面的铜薄膜层，另一层是位于铜薄膜层表面的钨薄膜层，该缓冲层能够有效提高Sm‑Co基永磁薄膜与基体的结合力。实验证实，具有该结构的Sm‑Co基永磁薄膜在热处理过程中的热处理温度得到大幅度提高，能够从现有的600℃～800℃上升至900℃以上，甚至当热处理温度高达1000℃时仍与基体结合完好，未出现脱落现象。
具有高膜基结合 sm co 永磁薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法-CN201210200142.3有效
发明人：张昀;张健;刘平;闫阿儒 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。与现有技术中所采用的铬作为缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜相比，本发明提供的具有钨缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜具有薄膜质量好，与基底材料表面的附着力强，经过800℃高温退火处理后，薄膜不脱落，具有良好的应用前景。
一种基底材料表面 sm co 永磁薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铁钴软磁薄膜的电沉积制备方法-CN201110418872.6有效
发明人：陆伟;何晨冲;王岗;严彪 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电沉积铁钴软磁薄膜的电化学制备方法，属于软磁合金领域。本发明的铁钴软磁薄膜的制备，以石墨板作为阳极，铜片作为阴极，铁的硫酸盐和钴的硫酸盐作为主盐，将基体进行预处理后放置于pH已调至1-5、温度控制为室温—60℃的电镀液中，在恒温电磁搅拌条件下，通过直流稳压电源提供电流进行电镀，镀层厚度通过施镀温度和时间来控制。该铁钴软磁性薄膜的制备工艺简单、成本低廉、反应条件温和可控以及制备效率高等优点。
一种铁钴软磁薄膜沉积制备方法

[发明专利]磁性薄膜及其成膜方法以及磁性薄膜的应用装置-CN200910152089.2有效
发明人：岛津武仁;佐藤英夫;北上修;冈本聪;青井基;片冈弘康 -专利权人：国立大学法人东北大学;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L1₁型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
磁性薄膜及其方法以及应用装置

[发明专利]磁性材料和天线器件-CN200780018738.9有效
发明人：米津麻纪;中川直之;末永诚一;末纲伦浩;樱田新哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具备复合磁性膜的磁性材料，所述复合磁性膜中，含有磁性金属或磁性合金的柱状体的体积百分率高，并且导磁率实部(μ’)与导磁率虚部(μ”)之比(μ’/μ”)大。本发明的磁性材料，其具备基板和复合磁性膜，所述复合磁性膜具备形成于该基板上、纵向朝向相对于上述基板的表面垂直的方向的含有从Fe、Co和Ni的至少一种中选出的磁性金属或磁性合金的多个柱状体、和形成于上述柱状体之间的选自金属的氧化物、氮化物、碳化物和氟化物中的至少一种的无机绝缘体，并且与上述基板表面平行的表面内的最小各向异性磁场Hk1和与上述基板的表面平行的表面的最大各向异性磁场Hk2之比Hk2/Hk1大于1。
磁性材料天线器件

[发明专利]一种软磁薄膜及制备方法-CN200810145591.6无效
发明人：王璇;郑富;刘曦;刘朝阳;魏福林 -专利权人：兰州大学
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明公开一种用于磁记录的写磁头的磁性薄膜材料及这种材料的制备方法。本发明的软磁薄膜材料是在基层材料上有包括铁钴成份的磁性薄膜，其中薄膜的铁钴磁性成份中掺杂有质量比大于零、小于或等于5％的铝、氧和碳元素。本发明的制备方法是采用溅射工艺制备，所用的溅射靶成分与拟溅射的磁性薄膜成分相同，溅射气体为Ar，在溅射靶上分别放置至少一个由三氧化二铝制备的小片和一个用纯的高分子材料制备的小片，三氧化二铝小片与高分子小片的面积和与溅射靶的溅射总面积的比为0.060～0.075。
一种薄膜制备方法

[发明专利]磁性膜、硬盘驱动装置的记录磁头和固体器件-CN200810082575.7无效
发明人：野间贤二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供了磁性膜、硬盘驱动装置的记录磁头和固体器件。所述磁性膜可以抑制由磁头受热引起的磁极突出，可以应用于能以高记录密度记录数据的硬盘驱动装置的磁头，并包含至少含铁(Fe)、钴(Co)和铂(Pt)的合金制成的合金膜，其中，铂(Pt)的摩尔含量大于等于2％，并且铁(Fe)的摩尔含量是69－70％。
磁性硬盘驱动装置记录磁头固体器件

[发明专利]一种横向交换耦合的磁信息存储介质材料及其制备方法-CN200710050346.2无效
发明人：钟智勇;刘爽;张怀武;荆玉兰;唐晓莉;苏桦;贾利军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，涉及超高密度磁信息存储技术。本发明的磁信息存储单元由高/低各向异性常数磁性薄膜在横向方向上交换耦合而成。制备时，先制备高各向异性常数磁性薄膜，经退火处理后，采用离子注入或离子扩散工艺对其进行部分改性，降低改性部分的各向异性和矫顽力，从而形成低各向异性常数磁性薄膜；最终由高/低各向异性常数磁性薄膜在横向上耦合成横向交换耦合的磁信息存储介质材料。本发明解决了纵向交换耦合复合磁信息存储介质在高温处理过程中因界面扩散、记录层恶化引起的信息存储单元翻转场分布增大和信息记录稳定性降低的不足，能够进一步降低信息存储单元翻转场，使信息记录更加稳定，满足超高密度磁信息存储的要求。
一种横向交换耦合信息存储介质材料及其制备方法

[发明专利]磁头制造方法及磁头-CN200610136670.1无效
发明人：三宅裕子;松冈正昭 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁头制造方法及磁头。该磁头制造方法能够稳定形成写入头的磁极的经镀覆的磁膜的淀积速度。在该方法所制造的磁头中，写入头的磁极由磁膜制成，该磁头制造方法包括如下步骤：在工件的表面上形成由Ru制成的种子层；在该种子层的表面上形成盖层，以便稳定该磁膜的淀积速度；以及，通过电镀形成磁膜，并将该种子层和该盖层用作用于进行所述电镀的馈电层。
磁头制造方法

[发明专利]电磁噪声抑制薄膜-CN200580007538.4有效
发明人：岛田宽;吉田荣吉;小野裕司;伊藤哲夫 -专利权人： NEC东金株式会社;岛田宽
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
电磁噪声抑制薄膜

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