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- [发明专利]碳纳米管的制造装置和制造方法-CN202080054471.4有效
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野田优;并木克也;张子豪;大沢利男;杉目恒志
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学校法人早稻田大学;株式会社名城毫微碳
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2020-07-27
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2023-06-30
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C01B32/162
- 本发明提供一种碳纳米管的制造装置和制造方法。所述碳纳米管的制造装置以及制造方法能够在浮游催化剂化学气相沉积(FCCVD)法中实现催化剂原料的高温加热，且能够提高被合成的碳纳米管的品质和产量。碳纳米管的制造装置1包含：用于合成碳纳米管的合成炉2、将用于合成碳纳米管的催化剂原料供给至合成炉2的催化剂原料供给喷嘴3、以及能够将催化剂原料供给喷嘴3的内腔部4的温度设定为比合成炉2的反应场5的温度高的喷嘴温度调整单元6。通过将催化剂原料加热至催化剂金属不凝缩的温度，且将已被分解的催化剂原料供给至合成炉2，并且将已被分解的催化剂原料在合成炉2内迅速地冷却至CVD温度，能够在反应场5的空间中高密度地生成微小的催化剂金属粒子，从而能够以高密度使小直径的碳纳米管气相沉积。
- 纳米制造装置方法
- [发明专利]金刚石场效应晶体管及其制造方法-CN202180018650.7在审
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川原田洋;费文茜;毕特;岩泷雅幸
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学校法人早稻田大学
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2021-02-17
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2022-10-25
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H01L29/78
- 本发明提供一种金刚石场效应晶体管及其制造方法，为了降低界面能级密度而使用氧化硅膜作为具有含C‑Si键的硅终止层的栅极绝缘膜。FET(100A)包括在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的氧化硅膜(3A)、以氧化硅膜(3A)为掩模在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的非掺杂的金刚石层(4A)、在非掺杂的金刚石层(2A)和氧化硅膜(3A)的界面以及非掺杂的金刚石层(4A)和氧化硅膜(3A)的界面上形成的硅终止层(5A)、以及在氧化硅膜(3A)上形成的栅极(12A)。FET(100A)将氧化硅膜(3A)和在氧化硅膜(3A)上形成的绝缘膜(10A)作为栅极绝缘膜(11A)，将非掺杂的金刚石层(4A)作为源极区域和漏极区域进行动作。
- 金刚石场效应晶体管及其制造方法
- [发明专利]二次电池-CN201780081766.9有效
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野田优
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学校法人早稻田大学;日本瑞翁株式会社
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2017-12-22
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2022-06-28
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H01M10/058
- 本发明提供一种能够在充放电时维持电池整体的稳定性并且具有高容量密度的二次电池。该二次电池的特征在于：包括隔着间隔件设置的正极20和负极30的电极结构10，所述正极20在放电时或充电时膨胀或收缩从而体积发生变化，所述负极30的体积与所述正极20相反地发生变化，所述正极20和所述负极30的体积比为1.1以上，所述体积比为所述正极20和所述负极3的膨胀时的体积除以收缩时的体积而得到的值，所述正极20或所述负极30的所述体积比为1.9以上，所述正极20和所述负极30的总体积比为1.2以下，所述总体积比为通过将所述放电时的所述正极20和所述负极30的总体积以及所述充电时的所述正极20的体积和所述负极30的体积的总体积中的较大值除以较小值而得到的值。
- 二次电池
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