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[发明专利]一种蓝宝石衬底上发光二极管芯片的制作方法-CN201210485520.7无效
发明人：武胜利;肖志国;王景伟;刘琦;闫晓红;薛念亮 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2012-11-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底上发光二极管芯片的制作方法。基本特征包括以下部分：1.以二氧化硅(或其他材料)作为牺牲层，来固定发光二极管的透明电极与发光平台边缘之间的距离。2.此结构形成在芯片发光平台的边缘处。3.采用这种方法加工发光二极管，会在简化光刻工艺校对过程的同时，使产品的加工结果达到较高的精度和重复性，提高生产效率。
一种蓝宝石衬底发光二极管芯片制作方法

[发明专利]一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法-CN201210485519.4在审
发明人：武胜利;肖志国;刘琦;闫晓红;李倩影;唐勇 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2012-11-18 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多膜块透明导电层的GaN基发光二极管及其制作方法。发光二极管中发光平台表面的ITO透明导电层是各自独立的膜块，它们之间由Ni/Au导电材料连接起来，分立的透明导电膜块之间的距离是6-20μm，导电介质可以是NiAu、ZnO，起到导通ITO膜块的作用。通过制备多膜块的透明导电层，可以降低大尺寸芯片整体ITO导电层的应力，改善芯片在长时间电流作用下ITO材料与GaN接触特性变差的情况。
一种具有多膜块透明导电 gan 发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法-CN201210549917.8在审
发明人：肖志国;展望;杨天鹏;刘俊;芦玲;武胜利 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法，在下P型GaN层和P型AlGaN层之间引入P-In_xGa_1-xN/P-Al_yIn_zGa_1-y-zN空穴注入层，引入P-InGaN层有利于空穴的积累，从而增加P-InGaN处空穴浓度，增强空穴的注入。同时P-AlInGaN的引入提高了有效势垒高度减少了电子的泄漏，使电子和空穴在发光量子阱区域的复合效率得到提高，进而提高器件内量子效率。本发明的外延片按常规芯片工艺，制成单颗尺寸为10×23mil、以ITO为透明电极的LED芯片，经过芯片测试，测试电流20mA，单颗芯片光输出功率可得到10%-25%的提升。
一种提高量子效率 led 外延结构生长方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN200910219699.X在审
发明人：刘硕;武胜利;陈向东;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，通过在外延片中加入电流扩展曾，使用键合材料和半导体材料形成肖特基势垒的方法阻挡和扩展电流，增加电流密度，提高发光二极管亮度，亮度提升范围是5％-10％。本发明避免采用二次外延技术，这样可以降低生产成本，简化生产过程，缩短生产时间，提高良率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法-CN200910219611.4在审
发明人：张玉涛;王景伟;朱世斌;陈向东;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法，本方法好处在于通过调控腐蚀剂的浓度、温度和腐蚀时间，迅速把半导体封装结构中环氧树脂去除掉，再用清洗剂把裸露出的半导体发光二极管芯片进行清洗，以达到把半导体发光芯片完好的从封装结构中取出目的。本方法简单易操作，对半导体发光芯片表面和性能无本质影响，是半导体发光芯片失效分析中一种非常重要的方法。
一种用于发光二极管失效分析芯片取出方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制作方法-CN200910219700.9无效
发明人：刘硕;武胜利;刘丽;柯志杰;陈向东;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制作方法，适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)在衬底上生长发光二极管，在p型电极和透光层间加反射电极层，电极反射层的材料为Ag、Al、Pb、Rh中的一种或两种，其厚度是100-600nm，电极反射层使射向p电极的光被反射回去，经反射层反射后射出，减少电极的挡光，增加发光二极管的亮度，亮度约增加5％。
一种 gan 发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-CN200810229846.7在审
发明人：杨天鹏;郭文平;陈向东;刘海燕;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，即在氮化镓基LED外延片中引入电容式结构，该电容式结构包括n型电容式结构和p型电容式结构，n型电容式结构为氮化镓基n型层/非掺杂层/氮化镓基n型层结构；p型电容式结构为氮化镓基p型层/非掺杂层/氮化镓基p型层结构；通过在n型和p型氮化镓层中形成电容式外延结构，缓解静电对氮化镓基LED芯片的冲击，提高LED芯片对静电的耐受能力。
一种氮化 led 外延及其生长方法

[发明专利]四元发光二极管制造方法-CN200710002851.X无效
发明人：廖奇德 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明四元发光二极管的基板上依序设有缓冲层、第一型磊晶层、活性层以及第二型磊晶层，其第二型磊晶层表面利用粗糙化处理而形成有粗化表面，该粗糙化处理利用碘酸、硫酸以及氢氟酸以特定比例混合后，由该混合液体浸洗该第二型磊晶层表面，使第二型磊晶层则形成有复数凹部，藉由该凹部可将全反射而无法出射的光线直接折射，经由不规则变化的光线进行方向，使得光线在一次折射或是极少数几次反射再折射之后，便可以出射至四元发光二极管外部，而得到较高的光线出射效率。
发光二极管制造方法

[发明专利]一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法-CN200610077626.8在审
发明人：何晓光;武胜利;曾凡明;王强;张舜;郭建华;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法，特别涉及一种在蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的切割分离方法。本发明的重点在于利用外延层与蓝宝石衬底的晶格失配产生的应力场来控制切割劈裂方向；方法是通过干法刻蚀部分外延层，导致在沿表面方向应力场的变化，有效控制劈裂方向。此方法将提高发光二极管芯片在切割分离过程中的成品率。同时可以在维持成品率的基础上，减小切割道的尺寸。
一种蓝宝石衬底发光二极管芯片制作方法

[发明专利]一种发光二极管的电极制备方法-CN200510107751.4无效
发明人：何晓光;武胜利;柯志杰;郑远志;韩晓翠 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2005-10-06 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片的电极制备方法。制备包括两部分：1.在常规打线盘与半导体发光结构之间加入一层粘附性强的粘附层以避免打线盘脱离。2.将打线盘表面粗糙化以提高打线盘与外部焊线的连接强度。
一种发光二极管电极制备方法

[发明专利]氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片-CN200510071592.7在审
发明人：王省莲;马欣荣;陈向东;肖志国 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片，利用蓝宝石做衬底，在其上生长多层GaInN/AlGaN/GaN量子阱结构，利用电子束蒸镀方法将透明导电层和P、N电极覆盖在台阶上，采用光刻技术制作出一种特殊的P电极和N电极横向结构，该结构使LED的电流均匀分布，强化LED的光发射功率、效率和可靠性。
氮化镓基高亮度功率蓝绿发光二极管芯片

[发明专利]一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法-CN200410097276.2在审
发明人：肖志国;王省莲;马欣荣;陈向东 -专利权人： 大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了制作一种小体积高亮度，具有特殊表面几何图形的氮化镓发光二极管芯片的制造方法，这种小芯片面积为0.15×0.15mm²～0.3×0.3mm²；厚度50±10μm～80±10μm；P电极为圆形，直径φ为60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ为60mm～110mm。通过(一)外延生长、(二)蒸发透明电极、(三)刻蚀台阶、(四)钝化、(五)P、N电极制作、(六)退火、(七)参数测试、(八)研磨、切割、(九)测试分类九大工艺步骤制作一种的小芯片。本发明制作的芯片具有体积小，亮度高，生产效率高，低成本，应用范围宽等优点。
一种体积亮度氮化发光二极管芯片制造方法

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