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[发明专利]一种户外光伏组件PID效应快速发生装置及评估方法-CN202211198761.3在审
发明人：冯天顺;荣丹丹;蒋京娜;张颖;耿亚飞;李亚彬;郑炯;夏新中;麻超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种户外光伏组件PID效应快速发生装置及评估方法，属于光伏发电技术领域，包括安装架和喷淋组件，安装架上用于安装被测光伏组件；喷淋组件连接有储水箱，储水箱内设有盐水，盐水通过喷淋组件喷洒在被测光伏组件上。本发明提供的一种户外加速光伏组件PID的试验装置可以促使户外光伏组件快速发生PID效应，并可利用该装置对户外光伏组件发生不同PID效应时所经历的时间进行评估。
一种户外组件 pid 效应快速发生装置评估方法

[发明专利]一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法-CN202211223189.1在审
发明人：郎芳;潘明翠;夏新中;王红芳;翟金叶;孟庆超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种保护TOPCon电池正面掩膜的方法，属于太阳能电池技术领域，包括在硅片进入HF刻蚀段之前，在硅片的掩膜层上喷洒含有非极性溶剂的溶液，以在掩膜层上形成第一水膜。本发明提供的保护TOPCon电池正面掩膜的方法，通过在用于设置第一水膜的溶液中增加一种或多种非极性溶剂，从而使第一水膜具备非极性溶剂的性质，由于HF为极性溶质，使得挥发的HF药液不再容易浸润到第一水膜中，从而可以避免第一水膜变化为HF溶液，对掩膜层形成腐蚀。
一种保护 topcon 电池正面方法

[发明专利]一种TOPCon电池硅片刻蚀装置及方法-CN202211280059.1在审
发明人：郎芳;潘明翠;夏新中;王红芳;翟金叶;孟庆超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池硅片刻蚀装置及方法，属于太阳能电池技术领域，包括作业台、传输组和真空吸盘，作业台包括上料台、药液槽和下料台；真空吸盘与真空泵相连接；传输组包括设于作业台上方的传输轨道、行走机构和升降机构，行走机构连接在传输轨道上，升降机构连接行走机构，升降机构的作业端连接真空吸盘，行走机构沿在传输轨道移动，以借助升降机构带动硅片传输。本发明提供的TOPCon电池硅片刻蚀装置，通过在工作台上方设置真空吸盘和传输组来固定和传输硅片，使硅片在药液中刻蚀时，不受药液浮力作用影响，硅片不易倾翻，从而避免了药液翻到硅片正面的问题发生。
一种 topcon 电池硅片刻蚀装置方法

[发明专利]一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置-CN202211134022.8有效
发明人： 夏新中;潘明翠;孟庆超;郎芳;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，包括刻蚀组件及加热组件，刻蚀组件包括传输轨道及酸液槽，硅片放置在传输轨道上，硅片的下端面与氢氟酸接触；加热组件包括导体线圈与电源件，电源件设置在导体线圈的两端，导体线圈沿着传输轨道的传送方向设置，导体线圈设置在硅片的外侧，电源件供电产生交流电流，导体线圈在交流电流的作用下产生交变的磁场，所产生的磁场穿过硅片引起感应电动势和涡流，涡流使硅片发热，温度升高。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，通过提高了反应温度，提高了生产效率，提升了产能。
一种氢氟酸刻蚀太阳能电池半导体硅片装置

[实用新型]光伏电池串及光伏组件-CN202222367261.X有效
发明人：张颖;杨燕;蒋京娜;荣丹丹;耿亚飞;何毅;李亚彬;麻超;夏新中 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏电池串及光伏组件，属于太阳能电池技术领域，其中光伏电池串包括多个电池片和多个焊带；焊带连接相邻的两个电池片，焊带包括连接电池片上端面的第一段带、连接相邻的电池片下端面的第二段带、连接第一段带和第二段带的过渡段带，第一段带和第二段带上均设有第一粘胶段和焊接段；过渡段带上设有第二粘胶段。本实用新型提供的光伏电池串，通过在焊带上设置第一粘胶段，实现了对焊带的初步固定，避免焊带在与电池片焊接过程中发生偏移、变形；以及在两个电池片的连接处设置第二粘胶段，由弹性粘结代替焊带直接焊接，减小了在层压以及使用过程中焊带与电池片的压应力，提高了光伏电池串的抗隐裂可靠性。
电池组件

[实用新型]电池片背面和侧面硼硅玻璃去除装置及链式设备-CN202222392581.0有效
发明人： 夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电池片背面和侧面硼硅玻璃去除装置及链式设备，属于光伏太阳能电池技术领域，包括：热风喷淋单元和/或加热单元，热风喷淋单元包括热风管及多个与热风管并联连通的喷淋头，其中，热风管设置于水膜喷淋槽和刻蚀槽的上方，喷淋头一一对应于水膜喷淋槽和各刻蚀槽的上方；加热单元设置于水膜喷淋槽和刻蚀槽之间，且位于传输的电池片的下方。本实用新型采用热风喷淋单元和加热单元的方式对电池片直接进行加热，而不是采用对药液加热或提升药液的浓度，大大降低了氢氟酸药液的消耗，在提升电池片背面和侧面硼硅玻璃去除、提升刻蚀速率、提升生产效率的同时，保护电池片正面不被腐蚀，大大降低了资源的消耗，降低了企业的生产成本。
电池背面侧面玻璃去除装置链式设备

[实用新型]加速去除太阳能电池硼硅玻璃的系统-CN202222408115.7有效
发明人： 夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种加速去除太阳能电池硼硅玻璃的系统，属于太阳能电池技术领域，包括传输装置和喷雾装置；传输装置包括用于承载待处理的硅片的传输带；喷雾装置包括氢氟酸溶液槽和喷头，喷头借助增压泵连接氢氟酸溶液槽；喷头的出口端设有多孔物质层。本实用新型提供的加速去除太阳能电池硼硅玻璃的系统，通过设置增压泵和喷头，将氢氟酸溶液加压喷出并借助多孔物质层实现雾化，增加了氢氟酸溶液与硅片的接触面积，使反应更加充分；且喷射时产生的风压可以直接将产物带走，消除了产物对氢氟酸的阻挡作用，从而提高了反应速率。
加速去除太阳能电池玻璃系统

[实用新型]一种氢氟酸刻蚀硅片的装置-CN202222408167.4有效
发明人： 夏新中;潘明翠;孟庆超;郎芳;王红芳;翟金叶 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，包括刻蚀组件及超声组件，刻蚀组件包括传输轨道及酸液槽，酸液槽用于盛装氢氟酸，传输轨道设置在酸液槽内，硅片放置在传输轨道上，硅片的下端面与氢氟酸接触；超声组件包括超声波发生换能件与震板，酸液槽的下端面设置有安装槽，安装槽的上端设有用于安装震板的开口，震板的上端与氢氟酸接触，超声波发生换能件的发生端设置在震板的下端，震板用于将超声波发生换能件所产生的的超声波向氢氟酸传递。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置，加快了反应速率，提高了生产效率，提升了产能。
一种氢氟酸刻蚀硅片装置

[实用新型]一种黑色汇流带以及光伏组件-CN202222409629.4有效
发明人：杨燕;麻超;张颖;夏新中;苑北海;王会晓 -专利权人：英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H02S40/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种黑色汇流带以及光伏组件，属于太阳能组件技术领域。本实用新型提供的一种黑色汇流带，包括铜基材，铜基材包括焊接区与引线区，焊接区的下端面设置有焊接锡层，焊接锡层用于与焊带进行焊接，焊接区的上端面设置有黑色涂层，引线区的下端面设置有助焊层，引线区用于与接线盒的金属端子焊接。本实用新型提供的一种光伏组件，使用了黑色汇流带。本实用新型提供的一种黑色汇流带，焊接区的黑色涂层直接涂覆在铜基材表面，在黑色汇流带和焊带进行焊接时，黑色涂层不会因焊锡熔融而脱落，进而避免开焊，引线区不设置黑色涂层，避免黑色涂层影响引线区与接线盒的金属端子焊接，进而避免开焊。
一种黑色汇流以及组件

[发明专利]一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法-CN202211188840.6在审
发明人：潘明翠;郎芳;李锋;夏新中;王红芳;翟金叶;马红娜;孟庆超;李青娟 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法。所述单面制绒的单晶硅片的制备方法包括以下工艺步骤：a、将液体硅酸钠涂覆至单晶硅片的非制绒面并烘干，得到涂覆硅酸钠层的单晶硅片；b、将涂覆硅酸钠层的单晶硅片的制绒面进行制绒，然后酸洗去除硅酸钠层，得到单面制绒的单晶硅片。TOPCon电池片的制备方法为：将单面制绒的单晶硅片依次进行扩散、去BSG/PSG、制备隧穿氧化层、多晶硅沉积+磷扩散/原位掺杂、清洗、正面氧化铝沉积、正面氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、印刷+烧结处理得到。本发明提供的单面制绒的单晶硅片的制备方法具有成本低，易操作，电转化效率高的优势。
一种单面单晶硅 topcon 电池制备方法

[发明专利]一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置-CN202211197604.0在审
发明人： 夏新中;孟庆超;王红芳;潘明翠;翟金叶;郎芳 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，包括载片舟及沉积炉，载片舟包括舟体，舟体上设置有多组插片槽，插片槽的宽度大于硅片的厚度；沉积炉包括炉管主体、旋转组件以及驱动件，旋转组件包括转轴和用于支撑固定舟体的底托，转轴与炉管主体转动连接，转轴沿竖直方向贯穿炉管主体的底部，底托设置在转轴顶部，驱动件驱动转轴转动。本发明提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，硅片插入插片槽中，硅片背面贴紧插片槽远离舟体中心一侧的舟壁上，载片舟设置在底托上，转轴转动，利用离心力将硅片紧贴在舟壁上，避免绕扩或绕镀的发生，提升了生产效率。
一种消除太阳能电池装置

[实用新型]一种晶硅生长用坩埚网格结构-CN202222167655.0有效
发明人：孟庆超;夏新中;潘明翠;张莉沫;张任远;李英叶;张丽娜 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展(天津)有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体硅生产技术领域，具体公开了一种晶硅生长用坩埚网格结构，设置在坩埚内，该网格结构包括若干间隔排列的条形凸起，所述条形凸起的凸起面呈圆弧状，所述条形凸起的高度为1～10mm，宽度为1～10mm，相邻的所述条形凸起间隔≥30mm；所述网格结构设置于坩埚的内部表面熔体流速最大的区域，产生降低坩埚内壁表面附近熔体流速的作用力，抑制坩埚杂质向熔体内的扩散。本实用新型的结构能使坩埚内的高温硅熔体流动速度减缓，从而减少对坩埚和涂层的冲刷，同时可以部分隔绝熔体与壁面的接触，降低了硅与坩埚的反应面积，最终达到降低内壁表面的化学反应速度和杂质向熔体扩散速度的目的。
一种生长坩埚网格结构

[发明专利]一种晶硅生长用坩埚网格结构-CN202210987698.5在审
发明人：孟庆超;夏新中;潘明翠;张莉沫;张任远;李英叶;张丽娜 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展(天津)有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅生产技术领域，具体公开了一种晶硅生长用坩埚网格结构，设置在坩埚内，该网格结构包括若干间隔排列的条形凸起，所述条形凸起的凸起面呈圆弧状，所述条形凸起的高度为1～10mm，宽度为1～10mm，相邻的所述条形凸起间隔≥30mm；所述网格结构设置于坩埚的内部表面熔体流速最大的区域，产生降低坩埚内壁表面附近熔体流速的作用力，抑制坩埚杂质向熔体内的扩散。本发明的结构能使坩埚内的高温硅熔体流动速度减缓，从而减少对坩埚和涂层的冲刷，同时可以部分隔绝熔体与壁面的接触，降低了硅与坩埚的反应面积，最终达到降低内壁表面的化学反应速度和杂质向熔体扩散速度的目的。
一种生长坩埚网格结构

[实用新型]包覆式加热器及单晶炉-CN202221115761.8有效
发明人： 夏新中;潘明翠;孟庆超;张莉沫;张任远 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种包覆式加热器及单晶炉，属于单晶生长技术领域，包括加热器本体，加热器本体具有围设于坩埚外侧的加热直筒及包覆坩埚弧形底部的弧形加热底，加热直筒的下边沿与弧形加热底的上边沿无缝衔接。本实施例提供的包覆式加热器，侧部和底部加热器采用一体化设计，形成弧面全包覆结构，与坩埚外形相贴合，消除了加热空白区域，使得硅料熔化速率更快；同时显著降低了熔液内部的非纵向温差，消除了紊乱湍流，形成稳态对流效应，杂质偏析分凝降低，沉降速率增大，显著提升了单晶硅棒的品质。
包覆式加热器单晶炉

[实用新型]液相滴定反向掺杂装置及单晶炉-CN202221608455.8有效
发明人：潘明翠;夏新中;孟庆超;王红芳;马红娜;张莉沫;张任远;张雷 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种液相滴定反向掺杂装置及单晶炉，包括掺杂埚、送料管以及加热元件，掺杂埚连接于炉体的内壁上；送料管连通于掺杂埚的底部，且向下延伸至坩埚内，送料管上设有控制阀门；加热元件设置于掺杂埚的周壁上。本实用新型提供的液相滴定反向掺杂装置，利用掺杂埚容纳反向掺杂剂，并通过加热元件对掺杂埚内的反向掺杂剂进行加热，使反向掺杂剂处于熔化状态，并借助送料管向坩埚内输送反向掺杂剂，以避免因分凝而造成的目标掺杂元素浓度的上升，反向掺杂剂的添加量根据装料重量和拉晶速度等参数进行实时换算得到，反向掺杂剂的添加量通过控制阀门进行控制，使制得的单晶棒的电阻率具有均匀性。
滴定反向掺杂装置单晶炉