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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法-CN202310870051.9在审
发明人：赖奕彬;金力;喻文辉;杨杰 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法，其中，新型反射结构包括：介电反射层，由介电材料形成有第一区域和第二区域，第一区域和第二区域于介电反射层的边缘处相接形成一台阶状结构；台阶状结构中，位于第一区域的介电反射层包括第一表面，位于第二区域的介电反射层包括第二表面，且第一表面高度大于第二表面高度；金属反射层，形成于介电反射层的第二区域表面。其通过将介电反射层边缘区域形成台阶状结构，且形成第一透明导电层后，在台阶状结构第三表面和第一透明导电层的侧边之间形成空隙，以此避免在光刻胶侧壁大量堆积甚至出现毛刺的现象，降低芯片可能出现的漏电风险。
新型反射结构 gan led 芯片及其制备方法

[发明专利]MicroLED显示组件及其制备方法-CN202311169648.7在审
发明人：黄涛 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED显示组件及其制备方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，且半导体发光结构表面被划分为用于形成像素单元的像素区域和形成于像素单元之间的沟槽区域；于像素区域的各像素单元表面形成对应的第一键合层；提供驱动底板，驱动底板上配置有相互独立的驱动电极，且各驱动电极表面形成有对应的第二键合层；基于任意一位置和/或角度，通过形成的第一键合层将半导体发光结构键合至驱动底板的第二键合层上，每个第二键合层至少与一个第一键合层接触；去除半导体发光结构上的生长衬底，完成MicroLED显示组件的制备。其能够在无需键合预对位的前提下直接进行键合操作，提高键合效率的同时节约工序。
microled 显示组件及其制备方法

[发明专利]倒装结构LED芯片及其制备方法-CN202310694213.8在审
发明人：喻文辉;金力 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装结构LED芯片及其制备方法，其中，制备方法包括：制备外延片，外延片表面包括发光区域和电极区域；对外延片的电极区域进行刻蚀至n型GaN层；于外延片的发光区域表面形成反射金属结构；于外延片表面形成绝缘层；对电极区域中n型GaN层表面的绝缘层进行刻蚀形成n型电极通孔，及对部分发光区域表面的绝缘层进行刻蚀形成p型电极通孔；对电极区域中n型GaN层表面的绝缘层进行刻蚀形成n型电极通孔中，包括采用等离子体对n型GaN层进行刻蚀的步骤；使用连接层分别将n型电极通孔和p型电极通孔连接起来，形成n型焊盘和p型焊盘。其有效解决现有倒装结构LED芯片制备中刻蚀绝缘层存在的技术问题。
倒装结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]MicroLED像素单元形成方法-CN202311068064.0在审
发明人：黄涛 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED像素单元形成方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且半导体发光结构表面被划分为像素区域和沟槽区域；在半导体发光结构的像素区域表面形成掩膜材料；对沟槽区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，将形成有沟槽的半导体发光结构键合至支撑基板表面；去除生长衬底；对去除了生长衬底的整面半导体发光结构进行处理，直至将沟槽区域剩余的半导体发光结构去除干净，完成对半导体发光结构的像素化，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效提升像素单元形成过程中图形化的稳定性。
microled 像素单元形成方法

[发明专利]MicroLED像素化方法-CN202311006293.X在审
发明人：黄涛 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效降低MicroLED出现边缘缺陷的概率。
microled 像素方法

[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法-CN202310746737.7有效
发明人：赖奕彬;金力;喻文辉;杨杰 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，芯片包括：生长衬底；半导体多层结构，表面划分为发光区域和电极区域；于电极区域形成n型电极通孔；于发光区域表面形成介电反射层，介电反射层靠近n型电极通孔区域为台阶状结构，台阶状结构包括第一表面和第二表面，第一表面靠近n型电极通孔侧，且高度大于第二表面高度；于介电反射层的第二表面形成的第一透明导电层和金属反射层。其通过将介电反射层靠近n型电极通孔区域形成台阶状结构，且形成第一透明导电层后，在台阶状结构第三表面和第一透明导电层的侧边之间形成空隙，以此避免在光刻胶侧壁大量堆积甚至出现毛刺的现象，降低芯片可能出现的漏电风险。
倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202011384556.7有效
发明人：付羿;周名兵 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，HEMT器件从下至上依次包括衬底层、缓冲层、第一耐压层、条状掩膜层、第二耐压层、沟道层、势垒层、PGaN层、源极、漏极及栅极，其中，条状掩膜层位于第一耐压层表面的预设区域，沟道层上表面有一V型槽，且V型槽位于条状掩膜层的上方；势垒层于V型槽内的厚度为沟道层水平表面厚度的1/2～1/5；PGaN层位于V型槽表面，栅极位于PGaN层表面，源极和漏极位于沟道层表面。有效解决现有p型沟槽栅增强型HEMT器件中由于势垒刻蚀导致的刻蚀损伤的问题。
沟槽增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]GaN基垂直LED芯片及其制备方法-CN202011243560.1有效
发明人：付羿 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基垂直LED芯片及其制备方法，从下至上依次包括：支撑衬底、金属反射层、孔洞反射层、P型电流扩展层、有源区发光层、N型电流扩展层及N电极，其中，P型电流扩展层为950～1000℃下生长的P型GaN层；孔洞反射层为500～700℃下生长的P型GaN层，具有V型孔洞。其在P型电流扩展层表面进一步生长具有V型孔洞的空洞反射层，该孔洞反射层和金属反射层的组合形式保证了垂直LED芯片发光效率的同时无需对外延片的上表面进行粗化，以此进一步保证了垂直LED芯片制备过程中的良率和可靠性。
gan 垂直 led 芯片及其制备方法

[发明专利]p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202011378242.6有效
发明人：付羿;周名兵 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，其中，HEMT器件从下至上依次包括衬底层、缓冲层、耐压层、沟道层及势垒层，还包括形成于势垒层表面的源极和漏极，及形成于势垒层表面的P型GaN/InGaN超晶格层和栅极，其中，P型GaN/InGaN超晶格层中，P型GaN层掺Mg，空穴浓度为5E17‑5E18；InGaN层不掺Mg。其使用p型GaN/InGaN超晶格结构代替传统的p型GaN层，通过GaN/InGaN超晶格的极化电场增加Mg的离化效率，从而降低p型栅中的掺Mg浓度，提高p型栅材料的质量。同时，低浓度掺Mg也减少了Mg向势垒和沟道层中的扩散。
增强 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]用于售后市场车用LED灯驱动器-CN202120642252.X有效
发明人：贺正中 -专利权人： 晶能光电股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H05B45/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于售后市场车用LED灯驱动器，其包含一基板；一输入端保护电路是安装在该基板；一滤波电路是安装在该基板且电性连接该输入端保护电路；一位置灯优先权电路是安装在该基板且电性连接该滤波电路；一交换式电源控制电路是安装在该基板且电性连接该位置灯优先权电路；一输出端保护电路是安装在该基板且电性连接该交换式电源控制电路及至少一LED灯；一亮度切换与回授电路是安装在该基板且电性连接该交换式电源控制电路及该LED灯。借此能依功率不同加以变化以符合售后市场不同机种的多变需求。
用于售后市场 led 驱动器

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