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[发明专利]刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法-CN201510369469.7有效
发明人：许进;冯奇艳;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀映射关系模型和控制浅槽隔离刻蚀关键尺寸的方法，包括如下步骤在进行工艺前建立刻蚀前后线宽差与光刻胶抗反射涂层厚度对应的映射关系模型，在进行光刻胶抗反射涂层工艺时，实时量测光刻胶抗反射涂层的厚度，并根据量测反馈的光刻胶抗反射涂层厚度及步骤S14得到映射关系模型，实时选择和调整合适的工艺时间，以使得在线晶圆产品在不同光刻胶抗反射涂层厚度下得到相同浅沟槽刻蚀关键尺寸。本发明引入光学线宽测量仪(Optical Critical Dimension，简称OCD)检测量化光刻胶抗反射涂层的厚度，以改进浅槽隔离刻蚀线宽，并调整浅沟槽隔离刻蚀时间，从而精确控制浅沟槽隔离的关键尺寸。
刻蚀映射关系模型控制隔离关键尺寸方法

[发明专利]一种晶圆边缘产品良率的改善方法-CN201510547779.3有效
发明人：刘鹏;任昱;吕煜坤;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆边缘产品良率的改善方法，在STI CMP工艺前，在晶圆衬底上增加沉积一介质膜保护层‑研磨停止层‑介质膜保护层的三层膜质结构层，然后进行光刻负胶涂布及晶圆边缘曝光，使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留，而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除，接着去除光刻负胶覆盖区域以外的三层膜质结构层，停止在衬底硅上，然后再进行正常的STI CMP工艺，以在STI硬掩模层去除工艺后，使整个晶圆边缘曝光区域的介质膜保护层得以保留，可避免因Si直接裸露而造成的金属离子污染和深沟槽刻蚀产生的硅刺问题，从而提高了产品良率。
一种边缘产品改善方法

[发明专利]一种具有蓝宝石基片的光谱反射计-CN201510487664.X有效
发明人：吴人杰;彭国发;刘东升;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有蓝宝石薄片的光谱反射计，蓝宝石薄片的下表面具有预设弧度的凹面，增加其下表面与聚合物的接触面积，使聚合物吸附于蓝宝石薄片的凹面上。本发明通过在蓝宝石薄片的下表面增加一具有预设弧度的凹面，从而使蓝宝石薄片的下表面与聚合物的接触面积更大，使更多的聚合物吸附于蓝宝石薄片的凹面上，减少聚合物掉落在硅片表面的风险，提高了产品良率。
一种具有蓝宝石光谱反射

[发明专利]晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法-CN201410654598.6有效
发明人：李全宝;刘斌;江旻;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。
净化装置刻蚀机台大马士革方法

[发明专利]一种实时监控刻蚀腔体金属杂质含量的系统及方法-CN201710312090.1在审
发明人：虞颖;唐在峰;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种实时监控刻蚀腔体金属杂质含量的系统及方法，通过在刻蚀腔体内安装光谱收集器，收集反应物和生成物的光谱强度，并通过光谱分析仪将其转换为测试光谱曲线，并与预先得到的基准光谱曲线进行对比，得到金属杂质是否超标的结果，再通过工艺控制电脑根据上述结果对刻蚀腔体内的工艺进行继续或停止的操作。该方法能够对刻蚀腔体中的金属杂质的含量实时进行监控，既能节省用于监控的硅片成本和测试时间成本，同时更能使监控频度从定期监控升级到实时监控，在腔体出现问题时，能第一时间知晓，从而将影响范围控制到最小。
一种实时监控刻蚀金属杂质含量系统方法

[发明专利]一种电流检测装置及介质膜蚀刻装置-CN201510608900.9有效
发明人：汤介峰;季高明;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件制造技术领域，具体涉及一种电流检测装置及介质膜蚀刻装置，通过检测单元检测所述驱动电流信号，一方面可以判断磁场驱动装置是否出现故障，另一方面可以判断控制电流、和/或驱动电流信号是否匹配标准电流信号。仅仅只有在驱动电流信号匹配标准电流状态下，保证介质膜蚀刻装置内部产生的磁场处于均匀状态，通过均匀磁场对晶圆表面进行刻蚀，有利于提高晶圆的刻蚀均匀率，同时提高产品的成品率。
一种电流检测装置介质蚀刻

[发明专利]梯度式干法去胶方法-CN201410412283.0有效
发明人：荆泉;高腾飞;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。
梯度式干法去胶方法

[发明专利]一种高性能蠕墨高熵合金及其制备方法-CN201710253353.6在审
发明人：周学阳;陈建;邵华;吕煜坤;范新会 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明了一种高性能蠕墨高熵合金及其制备方法,结合了蠕墨铸铁和高熵合金的优异性能，具有优异的综合性能。蠕墨高熵合金中BCC或B2相比FCC相具有较高的强度和硬度，且石墨分布在枝晶间的FCC相中，同时石墨具有润滑性，蠕墨高熵合金存在蠕虫状石墨，具有优异的综合性能，即具有较好的压缩塑性、强度以及抗耐磨性。室温抗压强度大于2GPa，压缩率大于30％，硬度值大于350HB，磨损体积小于0.04mm3。
一种性能蠕墨高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种避免光刻机镜头过热的方法-CN201510489028.0有效
发明人：阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免光刻机镜头过热的方法，提供若干在掩膜板的透光区域进行待填充的虚拟图形的结构；然后对测试掩膜版进行设计和制造，并进行光刻实验，根据光刻实验数据确定虚拟图形的形状和尺寸；接着进行芯片版图设计；再接着将芯片版图按照边长为A的正方形分成若干窗格，分析各窗格的透光率并确定各窗格中虚拟图形的填充量；然后对芯片掩膜版进行填充，在各窗格中填充预设形状、尺寸以及数量的虚拟图形；最后制造芯片掩膜版，并通过芯片掩膜板进行曝光工艺。本发明通过在掩膜板上填充不会再芯片上成像的虚拟图形，以降低掩膜板的透光区域面积占整个曝光单元面积的比例，减少了光刻机镜头吸收的能量，降低了连续曝光后镜头升高的温度。
一种避免光刻镜头过热方法

[发明专利]一种高深宽比图形结构的形成方法-CN201611048184.4在审
发明人：刘鹏;冯奇艳;任昱;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比图形结构的形成方法，通过在衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层以及光刻胶层，并在打开第一硬掩模层后，使用低温沉积工艺，在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层，使得在后续刻蚀有机物涂覆层并形成高深宽比光刻胶形貌时，可利用第二硬掩模层对图形顶部侧壁形成保护，因此可避免在高深宽比光刻胶刻蚀时由于等离子轰击造成的锥形或保龄球形形貌的产生，从而可改善选择比不够、图形边缘毛刺和关键尺寸变大的问题，并可使后续注入的离子能够按照器件设计的浓度进行分布。
一种高深图形结构形成方法

[发明专利]芯片压胶装置及芯片压胶方法-CN201510126603.0有效
发明人：何文蔚;张旭升;朱骏;吕煜坤;许青峰;孙新光 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种芯片压胶装置，包括安装支架，一端设置在芯片承载台上，另一端设置活动机构；承载梁，外突于安装支架，且一端固定在安装支架上，另一端悬空设置，并在悬空的一端设置通孔；按压部件，进一步包括导向柱、设置在导向柱一端的压盘，以及抵设在导向柱之衬垫与承载梁上表面之间的弹性元件；施力装置，进一步包括手柄和支杆，手柄一端与安装支架的活动机构连接，另一端为施力部，支杆一端与手柄之非端部处连接，另一端与导向柱一端的锁固部连接。本发明通过在芯片承载台上设置安装支架、承载梁、按压部件，以及施力装置，不仅避免在芯片压胶过程中导致的身体烫伤，而且受力均衡、固定高度一致、工艺高效稳定、产品良率提高，值得大力推广。
芯片装置方法

[发明专利]一种改善晶片边缘缺陷的方法-CN201610703068.5在审
发明人：孟鸿林;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶片边缘缺陷的方法，包括提供晶片并在所述晶片上涂覆负性的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺以在晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；在晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光宽度为第二宽度的第二次晶片边缘曝光工艺。本发明能够解决晶片边缘曝光工艺后光刻胶的光刻胶形貌在过渡性斜坡位置厚度均匀性不一导致刻蚀缺陷的问题。
一种改善晶片边缘缺陷方法

[发明专利]一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法-CN201410138996.2有效
发明人：高腾飞;荆泉;张颂周;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，包括利用光学线宽测量仪测量并收取前批次晶圆上的接触孔线宽全映射数据以建立数据库；通过数据库将前批次晶圆中间的接触孔线宽全映射数据和边缘的接触孔线宽全映射数据的平均值与工艺要求的接触孔线宽相比，分别得到前批次晶圆中间和边缘的宽差；一APC系统根据前批次晶圆中间的宽差和边缘的宽差分别调整后批次晶圆中间和边缘的刻蚀气体流量；在接触孔刻蚀工艺步骤中通过APC系统实时修正后批次晶圆的刻蚀气体流量，以弥补前批次晶光刻差异对后批次晶圆的光刻影响，改进在接触孔刻蚀工艺步骤中晶圆中间和边缘的气体流量不变的弊端而精确掌握各部分的气体流量变化。
一种改进接触孔线宽均一刻蚀方法

[发明专利]半导体刻蚀设备的钟摆阀锁环组件及其锁环手柄延长治具-CN201611075499.8在审
发明人：杨保勋;季高明;刘东升;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： F16K35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀设备的钟摆阀锁环组件及其锁环手柄延长治具，该钟摆阀锁环组件包括钟摆阀锁环以及用于容纳钟摆阀的钟摆阀外壳，所述钟摆阀锁环的环体的外围设置有锁环手柄，所述锁环手柄具有对应的锁环手柄延长治具，套设于所述手柄外圈；所述锁环手柄延长治具用于将所述锁环手柄延长并带动所述锁环手柄转动，以将所述钟摆阀锁环与所述钟摆阀外壳对准并固定。本发明解决了钟摆阀锁环组件安装过程中的对准卡槽磨损变形问题。
半导体刻蚀设备钟摆阀锁环组件及其手柄延长

[实用新型]一种远程等离子体系统的底部法兰盘拆卸装置-CN201621011442.7有效
发明人：隆均;刘东升;吕煜坤;朱骏;张旭升;彭国发;江森林 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种远程等离子体系统的底部法兰盘拆卸装置，包括定位固定支架、法兰盘连接件和运动旋转螺丝，定位固定支架具有支架平面和与其连接的若干支撑脚，支撑脚用于在法兰盘周围抵触远程等离子体系统的主体底面，法兰盘连接件用于可拆卸连接至法兰盘底面，运动旋转螺丝头部穿过支架平面，并与法兰盘连接件底部形成螺纹配合，其位于支架平面外侧的尾部具有限位结构；可避免因手动拆除法兰盘受力不均引起左右偏移导致的磕碰等现象发生，大幅提升拆装的成功率，减少拆装时间，并可避免因不当拆装导致RPS内部石英管损坏所引起的后续缺陷、漏率异常等现象的发生。
一种远程等离子体系统底部法兰盘拆卸装置