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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、半导体装置的制造方法及保护膜形成膜的用途-CN202310305974.X在审
发明人：堂下美纱季;山本大辅;小升雄一朗 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，其中，对作为多片所述保护膜形成膜的层叠物的、宽度为4mm的第一试验片，在23～70℃的温度范围内测定储能模量E’时，其最小值E’(1)为45MPa以下，且其最大值E’(2)为200MPa以上，对作为使多片所述保护膜形成膜的层叠物热固化而得到的固化物的、宽度为5mm的第二试验片，在相同条件下测定储能模量E’时，其最小值E’(3)为500MPa以上。
保护膜形成复合半导体装置制造方法用途

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、半导体装置的制造方法及保护膜形成膜的用途-CN202310305655.9在审
发明人： 山本大辅;堂下美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，通过差示扫描量热法将所述保护膜形成膜的试验片以10℃/分钟的升温速度从23℃升温至300℃时的发热开始温度为160℃以上。本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成膜。
保护膜形成复合半导体装置制造方法用途

[发明专利]圆极化阵列天线以及电子设备-CN202280015917.1在审
发明人：中岛毅树;平井匠;山本大辅;守田达弥;早田和树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01Q21/08 文献下载
摘要：圆极化阵列天线具有：天线层；以及接地层，与天线层对置。天线层在俯视时的互不相同的位置具有分别包含圆极化天线的多个天线元件。接地层具有被分离成分别与一个以上的所述天线元件对置的多个接地图案。
极化阵列天线以及电子设备

[发明专利]天线、天线模块以及电子设备-CN202280014696.6在审
发明人：守田达弥;山本大辅;早田和树;中岛毅树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：天线具有导电性的贴片。贴片在俯视观察下具有：位于第1方向的两侧的第1供电侧缘部以及第1非供电侧缘部；和位于与第1方向交叉的第2方向的两侧的第2供电侧缘部以及第2非供电侧缘部。贴片在俯视观察下具有：位于第1供电侧缘部的一侧的第1供电点；和位于第2供电侧缘部的一侧的第2供电点。在俯视观察下，第1供电侧缘部的至少一部分向外侧鼓出而构成凸部。在凸部中，第2方向上的宽度越靠向凸部的顶部的一侧越变窄。第1供电点位于在第1方向上比凸部的半截更靠凸部的顶部的一侧的位置。
天线模块以及电子设备

[发明专利]保护膜形成用复合片、及带保护膜的半导体芯片的制造方法-CN202010468045.7有效
发明人：米山裕之;山本大辅;古野健太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备防污片、与形成在所述防污片的一个面上的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片的宽度的最大值为155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，宽度为15mm的所述防污片的试验片能够伸长15％以上，且在伸长10％时的拉伸强度为4.0N/15mm以上。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]显示装置、操作装置和成像设备-CN202310147759.1在审
发明人： 山本大辅 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置、操作装置和成像设备。显示装置包括其上印刷有图案的板片、发出光以照亮所述图案的光源、以及将从所述光源发出的光引导至所述板片的光导。所述光导包括设置在其纵向方向上的一个端部处的入射表面和设置在其另一个端部处的出射表面。当沿所述纵向方向观察时，所述入射表面小于所述板片中印刷有所述图案的区域，所述出射表面包括第一出射表面和第二出射表面，所述第一出射表面与所述图案的至少一部分重叠并且具有与所述光源重叠的部分，所述第二出射表面与所述图案的至少一部分重叠并且不与所述光源重叠。所述第二出射表面比所述第一出射表面更靠近所述板片。
显示装置操作装置成像设备

[发明专利]成像装置-CN202310546851.5在审
发明人：木村乔;小石勇雄;山本大辅 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03G21/16 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置。成像装置的装置主体具有：第一引导部，其具有在沿盒至装置主体的附接方向观察时与设置在盒中的接合部的外部形状相对应的入口形状、并且引导接合部；第二引导部，其引导设置在盒上的定位目标部，定位目标部用于相对于装置主体定位盒的附接完成位置；和可动构件，位于其中第二引导部对定位目标部进行引导的引导路径被阻塞的管制位置处的可动构件除非被接合部按压否则不能从管制位置移动。
成像装置

[发明专利]成像装置和成像装置的装置主体-CN201911372112.9有效
发明人：木村乔;小石勇雄;山本大辅 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03G21/18 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置和成像装置的装置主体。成像装置的装置主体具有：第一引导部，其具有在沿盒至装置主体的附接方向观察时与设置在盒中的接合部的外部形状相对应的入口形状、并且引导接合部；第二引导部，其引导设置在盒上的定位目标部，定位目标部用于相对于装置主体定位盒的附接完成位置；和可动构件，位于其中第二引导部对定位目标部进行引导的引导路径被阻塞的管制位置处的可动构件除非被接合部按压否则不能从管制位置移动。
成像装置主体

[发明专利]切割片-CN201910444689.X有效
发明人：佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
切割

[发明专利]加工装置-CN202211423557.7在审
发明人： 山本大辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：提供加工装置，其无论被加工物的形状和侧面的面状态如何都能够早期地检测有无收纳于盒的收纳区域中的被加工物。加工装置具有：盒载置台，其载置对该被加工物进行收纳的盒，该盒具有能够分别收纳被加工物的多个收纳区域；搬出搬入单元，其将被加工物相对于盒搬出搬入；和传感器单元，其检测有无收纳在载置于该盒载置台的该盒的各个该收纳区域中的该被加工物，该传感器单元包含：发光单元，其具有能够向该盒的多个该收纳区域分别照射光的多个发光部；和受光单元，其具有能够分别接受由该被加工物的侧面进行了漫反射的该光的多个受光部，根据该受光部是否接受到由被该被加工物的该侧面进行了漫反射的该光来判定有无收纳于该收纳区域中的该被加工物。
加工装置

[发明专利]结构化纳米多孔材料、结构化纳米多孔材料的制造以及结构化纳米多孔材料的应用-CN201980018279.7有效
发明人：依尚·希瓦尼阿;伊藤真阳;山本大辅 -专利权人：国立大学法人京都大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造结构化聚合物材料的方法。在该方法中，提供了一种包含基本上均质的前体聚合物材料的主体。在该主体内设置电磁辐射的干涉图案以形成部分交联的聚合物材料，干涉图案包含电磁辐射强度的最大值和最小值，因此干涉图案导致前体聚合物材料的空间差异交联，以形成具有相对较高交联密度的交联区域和具有相对较低交联密度的非交联区域，交联区域和非交联区域分别对应于电磁辐射强度的最大值和最小值。然后，使部分交联的聚合物材料与溶剂接触，以促使至少一些非交联区域的膨胀和开裂，从而形成含有孔的结构化聚合物材料。
结构纳米多孔材料制造以及应用

[发明专利]保护膜形成用复合片-CN201680081330.5有效
发明人：佐伯尚哉;佐佐木辽;米山裕之;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的保护膜形成用复合片具备支撑片、在所述支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具有所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的表面粗糙度Ra小于所述支撑片的具备涂敷层的一侧表面的表面粗糙度Ra。
保护膜形成复合

[发明专利]保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780013457.8有效
发明人： 山本大辅;米山裕之;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。
保护膜形成制造方法半导体装置

[发明专利]热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法-CN202211159504.9在审
发明人：古野健太;米山裕之;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C08L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。
热固性保护膜形成复合芯片制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780011114.8有效
发明人：小桥力也;稻男洋一;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。
保护膜形成复合

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