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[发明专利]一种氯碱尾气提氢装置的分析系统-CN202011167233.2在审
发明人：胡伟;陈飞;刘新鑫;熊晓烽;陈新颜;王学阳;文华成;彭俊;沙升学 -专利权人：湖北葛化中极氢能源有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯碱尾气提氢装置的分析系统，包括：取样系统，其分布在氯碱尾气提氢装置中提取氢气样品；管路传输系统，其与所述取样系统连接，用于输送氢气样品；分析装置，用于对管路传输系统输送的氢气样品进行检测分析。本发明取消了钢质取样气瓶、取样袋等取样容器，分析人员仅需在分析室内通过简单的阀门切换操作就可以实现对不同取样点的氢气样品进行切换进样分析，操作简单，降低劳动强度。同时整个分析系统仅需配置一台氦离子化气相色谱仪，合理利用原料气检测色谱仪新增配置作为产品出货检测的备用检测装置，节约了设备投资。
一种尾气装置分析系统

[发明专利]一种种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备-CN202010596709.8在审
发明人：冯晶;于佳动;刘新鑫;梁依;申瑞霞 -专利权人：农业农村部规划设计研究院
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备，包括湿法发酵反应器和干法发酵反应器；湿法发酵反应器通过喷淋管与干法发酵反应器连接，所述湿法发酵反应器湿法发酵产生的沼液经由所述喷淋管进入所述干法发酵反应器内喷淋；所述干法发酵反应器内由顶部到底部依次设置有物料区、隔离室和渗滤液生物碳床，所述物料区与所述隔离室之间设置有渗滤网，所述隔离室的一侧设置有出液口，所述出液口与所述渗滤液生物碳床的一侧相对，所述渗滤液生物碳床另一侧的所述干法发酵反应器上设置有渗滤液排放口；本发明中的种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备，能够达到湿法沼液充分利用、提高产气量、减少环境污染、干法沼液可直接排放到农田使用的目的。
种种结合干湿耦合沼气发酵装备

[发明专利]可翻转台架变抢修操作台-CN202010656911.5在审
发明人：刘炫阳;范世盛;孙宇斌;商爱民;王屹;谢志平;张涛;李子浩;李悦;张华珍;孙凯;王利;潘富杰;王岩;孙奉杰;刘立阳;杨德锋;刘新鑫;王友琳;谭林斌;韩笑黎;李鑫;姜凯;杨伟;王肖亚 -专利权人：国网山东省电力公司淄博供电公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： E06C1/383 文献下载
摘要：本发明涉及一种可翻转台架变抢修操作台，属于电力施工检修技术领域，包括支撑横担(1)，支撑横担(1)的两端均设置有抱箍(2)，支撑横担(1)上套装有旋转套管(4)，旋转套管(4)连接绝缘操作台(5)的一侧，绝缘操作台(5)的另一侧通过支撑腿旋转折页(3)连接支撑腿(9)，支撑腿(9)设置两根，一根支撑腿(9)上设置接地螺栓(6)，另一根支撑腿(9)上设置操作台登梯(7)和防盗扣(8)。本发明结构设计合理，安装使用方便，安全性高，实用性强，稳定性好，能够减少工作准备时间，减少携带工具重量，降低工作风险。
翻转台架抢修操作台

[发明专利]一种可调节的配电计量综合箱固定支架-CN202010616581.7在审
发明人：徐伟;韩笑黎;孙宇斌;李鑫;王屹;刘希波;赵以明;任东亮;赵炳新;谢志平;张涛;李子浩;李悦;张华珍;孙凯;潘富杰;王利;王岩;孙奉杰;刘立阳;杨德锋;刘新鑫;王友琳;谭林斌 -专利权人：国网山东省电力公司淄博供电公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02B1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节的配电计量综合箱固定支架，包括：纵向固定架，所述纵向固定架设有两组，所述纵向固定架包括纵向导轨，所述纵向导轨表面沿纵向方向开设有纵向滑道；横向固定架，所述横向固定架设有两组，所述横向固定架包括横向导轨，所述横向导轨表面沿横向方向开设有横向滑道；本发明可以实现支架的长度和宽度根据不同尺寸型号计量箱的而变化，从而避免了不同尺寸型号更换计量箱时重新打孔的问题，避免了因为重新打孔对墙面造成重复损坏以及对客户的噪声影响，提高了用户的满意度，也避免了因遗留过多孔洞浸水造成的墙壁潮湿、墙皮脱落等现象；另外，本发明结构简单，安装方便，既节省了劳动力，又提高了工作效率。
一种调节配电计量综合固定支架

[发明专利]一种3D NAND存储器件-CN201910570404.7有效
发明人：张慧;耿静静;王香凝;刘新鑫;吴佳佳;王攀;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器件，在台阶结构中形成有伪沟道孔，且在台阶结构的每个台阶面所在区域中，都分布有多个伪沟道孔，这些伪沟道孔为堆叠层提供支撑，提高对堆叠层的支撑能力，同时，有助于伪沟道孔的打开，避免伪沟道孔底部出现刻蚀不足的缺陷，提高器件的性能。
一种 nand 存储器件

[发明专利]三维存储器及三维存储器的制作方法-CN202010468374.1在审
发明人：杨竹;耿静静;刘新鑫;王香凝;左晨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及三维存储器的制作方法，本发明所提供的三维存储器包括衬底、堆叠结构及台阶结构，其中，堆叠结构设置在衬底上且堆叠结构内设置有存储阵列，台阶结构设置在堆叠结构中且包括多个相互独立的台阶结构单元；通过设置在堆叠结构中间且包括多个相互独立的台阶结构单元的台阶结构，实现了对存储阵列的双边驱动，有效降低了后续通过台阶结构驱动存储阵列中存储单元区块时的电阻，明显改善了驱动时间延迟问题，且每个台阶结构单元的具体台阶结构设计比较灵活。
三维存储器制作方法

[实用新型]基于GPS的智能车辆定位系统-CN201921561263.4有效
发明人：李国成;任威;孙宇斌;张华珍;孙凯;潘富杰;张涛;谭林斌;王友琳;赵传让;李子浩;王超;孙奉杰;谢志平;杨德锋;刘立阳;刘新鑫;王岩;韩笑黎;刘玄阳;王利;朱春华;毕凯;董博超;王肖亚;隋中东;孙丰进;张利泉;于宪泽 -专利权人：国网山东省电力公司淄博供电公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01S19/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于GPS的智能车辆定位系统及方法，属于输电线路防护领域，STM32单片机系统接收唤醒信号，并控制所述电源模块唤醒所述GPS定位模块和GPRS模块；所述GPS/北斗定位模块获取定位信息并将定位信息传送给所述STM32系列单片机系统；所述STM32单片机系统通过GPRS模块连接互联网，将定位信息及告警信息上传到服务器；本实用新型具有设计合理，结构简单，牢靠稳定的特点，其主要是检测车辆有无进入所画线路的区域范围，从而达到对输电线路防护的目的。
基于 gps 智能车辆定位系统

[发明专利]一种干湿耦合式厌氧发酵装置-CN202010487873.5在审
发明人：冯晶;于佳动;刘新鑫;申瑞霞 -专利权人：农业农村部规划设计研究院
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C12M1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种干湿耦合式厌氧发酵装置，包括干法发酵反应器、湿法发酵反应器、储气罐和储液罐，干法发酵反应器设于湿法发酵反应器内，且下底面固定为一体，干法发酵反应器将湿法发酵反应器内腔分割成上端连通的第一腔室和第二腔室，干法发酵反应器上设有进料门，供进料使用，储气罐设于湿法发酵反应器外侧，且干法发酵反应器、湿法发酵反应器均与储气罐连通，储气罐用于收集产生的甲烷，干法发酵反应器包括由渗滤网隔开的上腔室和下腔室，上腔室用于进行干发酵，下腔室用于收集过滤出的沼液，第一腔室、第二腔室和上腔室均与储液罐连通，该干湿耦合式厌氧发酵装置能够对发酵技术进行干湿耦合，对沼液进行充分利用，操作简单方便。
一种干湿耦合式厌氧发酵装置

[实用新型]定向定位输送种槽-CN201922039759.1有效
发明人：潘志国;赵海;杨然兵;李晨;郭春生;郭雯雯;匡军;杜宏伟;孙扬;张还;王政增;王婕;陈明东;张健;刘惠敏;周健波;刘新鑫;田雅婷 -专利权人：青岛农业大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： A01C11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及播种机的排种机构，尤其是定向定位输送种槽，其包括输种装置和种槽，输种装置为同步带轮机构，并设置限位挡板和仿形板，种槽包括前挡板、后挡板、刚性支架和弹性夹持板，并设置在输种装置上，能够在限位挡板和仿形板的配合下完成作物种苗的稳定夹持和输送。本实用新型通过人工放种保证播种方向一致，倾斜滑板与限位挡板的相互配合使作物种苗的根部对齐，保证播种的均匀性和一致性，解决播种株距稳定性问题；通过种槽末端夹持装置，达到稳定运输的目的；弹性夹持板通过弹簧与刚性支架连接，在保证夹持稳定的前提下避免伤种，保证发芽率；种槽分离式设计，方便拆卸更换；种槽及输种装置可安装于多种类型机械，适用范围广。
定向定位输送

[实用新型]基于电力载波的智能停电检测系统-CN201921560782.9有效
发明人：李国成;任威;孙宇斌;张华珍;孙凯;潘富杰;张涛;谭林斌;王友琳;赵传让;李子浩;王超;孙奉杰;谢志平;杨德锋;刘立阳;刘新鑫;王岩;韩笑黎;刘玄阳;王利;朱春华;毕凯;董博超;王肖亚;隋中东;孙丰进;张利泉;于宪泽 -专利权人：国网山东省电力公司淄博供电公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电力载波的智能停电检测系统，属配电检测产品领域，采集端的输入端和电流互感器的输入端均连接至用电系统，电压互感器输出端和电流互感器输出端分别连接数据处理器，数据处理器包括AD采样芯片；采集端将该电流和电压信号发送给所述数据处理器的AD采样芯片，所述AD采样芯片将电流信号和电压信号的输入波形进行模数转换后发送给所述控制模块；所述控制模块对接收的信号进行处理后输出数据处理结果；控制模块的输出端与电力载波传输模块的输入端连接，所述电力载波传输模块与服务器连接；供电单元的输出端连接控制模块，电源模块的输出端连接电力载波传输模块。本实用新型设计合理，结构简单，不需要额外布线，牢靠稳定。
基于电力载波智能停电检测系统

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202010040592.5在审
发明人：肖梦;耿静静;王攀;吴佳佳;王香凝;张慧;刘新鑫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其制造方法。器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的叠层结构；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱和多个假沟道柱；以及多个第一外延结构和多个第二外延结构，其中，所述多个栅极导体包括设置在所述多个沟道柱和所述半导体衬底之间的底部选择栅极，所述多个第一外延结构贯穿所述底部选择栅极且所述多个第二外延结构未贯穿所述底部选择栅极。本申请的3D存储器件，第二区域去除了底部选择栅极，避免了假沟道柱与底部选择栅极之间的漏电情况，并且衬底的第一区域低于第二区域，因此在形成假沟道孔时不容易出现蚀刻不到位的情况，提高了器件的良率和可靠性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]用于在三维存储器件中形成阶梯的方法和结构-CN201980003378.8在审
发明人： 刘新鑫;耿静静;杨竹;左晨;王香凝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括具有多个阶梯的存储堆叠体。每个阶梯可以包括交织的一个或多个导体层以及一个或多个电介质层。所述阶梯中的每个包括所述导体层的在所述阶梯的顶表面上的一个导体层，所述一个导体层具有：(i)与电介质层之一接触的底部部分，以及(ii)通过存储堆叠体暴露并且与所述底部部分接触的顶部部分。所述顶部部分的横向尺寸可以小于底部部分的横向尺寸。所述顶部部分的可以横向远离所述存储堆叠体的端部超出所述底部部分一距离。
用于三维存储器件形成阶梯方法结构

[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN201910574344.6有效
发明人：王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔密度，相应的伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔中伪沟道结构的密度，使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度与所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度之间的差异减小，从而使台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器及其形成方法

[发明专利]3D NAND存储器的形成方法-CN201910575102.9有效
发明人：王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器的形成方法，在刻蚀所述堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干栅极隔槽后，在所述栅极隔槽中形成填充层，所述填充层填充满所述栅极隔槽；在在形成所述填充层后，刻蚀所述栅极隔槽两侧的堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干沟道通孔；在所述沟道通孔中形成存储结构；形成所述存储结构后，去除所述填充层，暴露出栅极隔槽；去除所述牺牲层，在去除牺牲层的位置对应形成控制栅；在所述栅极隔槽中形成阵列共源极。本发明中，由于栅极隔槽形成步骤在形成沟道通孔和位于沟道通孔中的存储结构的步骤之前形成，使得栅极隔槽不会产生倾斜，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器形成方法

[发明专利]三维存储器的制造方法-CN201911264369.2在审
发明人：吴佳佳;耿静静;王香凝;肖梦;王攀;张慧;刘新鑫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有衬底；在衬底上形成具有第一开口的伪栅极层；在伪栅极层上覆盖绝缘层；形成贯穿绝缘层的第二开口，第二开口的尺寸小于第一开口；以及在第二开口中形成导电部，导电部通过介于第一开口和第二开口之间的绝缘层与伪栅极层隔离。
三维存储器制造方法