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[实用新型]具有浪涌防护功能的肖特基结构-CN202022145705.6有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有浪涌防护功能的肖特基结构，其包括N型衬底、肖特基势垒层、P++扩散层、表面结构、阴极电极和P+分压环，肖特基势垒层设置在N型衬底一端中部，P++扩散层呈环状，设置在肖特基势垒层外侧，表面结构设置在肖特基势垒层一端，用于芯片封装焊接，阴极电极设置在N型衬底一端，用于封装电极焊接导电，P+分压环设置在N型衬底一端，呈环状，且位于P++扩散层外侧。本实用新型的具有浪涌防护功能的肖特基结构，相当于在肖特基势垒结四周有一圈单向TVS对肖特基势垒结进行保护，P+分压环可以降低肖特基的表面电场集中，提高了肖特基结构的击穿电压，提高了对电路的保护能力，增加了产品的使用寿命。
具有浪涌防护功能肖特基结构

[实用新型]非对称电压的双路单向TVS保护器件-CN202021991640.0有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非对称电压的双路单向TVS保护器件，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、N型掺杂、表面结构和第一金属电极，第一P型杂质和第二P型杂质并列设置在N型衬底同一端，外侧被N型衬底包裹，一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中，N型掺杂一端露出第一P型杂质，另一端沉入第一P型杂质，表面结构设置在N型衬底一端，与第一P型杂质在同一侧，用于导电，第一金属电极，设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，用于导电。本实用新型的非对称电压的双路单向TVS保护器件，可以实现单向非对称电压的保护，整体结构简单，成本低，占用线路板空间小。
对称电压单向 tvs 保护器件

[实用新型]高浪涌能力的双向TVS器件结构-CN202021992765.5有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东;王涛;廖泽华 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高浪涌能力的双向TVS器件结构，其包括P型衬底、N型区、N+柱、钝化层和金属电极，N型区设置在P型衬底两端，一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中，N+柱设置在N型区上，一端露出N型区，另一端沉入N型区，钝化层呈环状，设置在P型衬底两端，接触P型衬底和N型区，金属电极设置在钝化层远离P型衬底一侧，用于外接电路。本实用新型的高浪涌能力的双向TVS器件结构，通过再制造过程中长时间的深结扩散，降低两个PN结之间的寄生电阻区，同时在N型区扩散高浓度的N+柱，减少N型区扩散欧姆电阻，提高了双向TVS的大电流浪涌通流能力。
浪涌能力双向 tvs 器件结构

[实用新型]非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片-CN202021995762.7有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东;马海军;李长林;吴宏达 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、N型掺杂、第一表面结构和第二表面结构，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端中部，外侧被N型衬底包裹，一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中，N型掺杂设置在第一P型杂质上，外侧被第一P型杂质包裹，一端露出第一P型杂质，另一端沉入第一P型杂质，第一表面结构和第二表面结构设置在N型衬底两端，用于导电。本实用新型的非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片，可以实现双向非对称电压的保护，整体结构简单，应对正反向需要不同保护电压值的电路时的保护能力较好，节约成本，节约线路板空间。
对称电压双向 tvs 浪涌保护芯片

[实用新型]低嵌位电压的单向TVS芯片结构-CN202022049564.8有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括P型衬底、N型扩散区、N+扩散区、P+扩散区、表面结构和第一金属电极，N型扩散区设置在P型衬底一端，多个N+扩散区设置在P型衬底远离N型扩散区一端，多个P+扩散区设置在N型扩散区上，表面结构设置在N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；第一金属电极设置在N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。本实用新型的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，整体结构简单，体积小，占用线路板空间小，可有效保护后端损坏电压不高的线路。
低嵌位电压单向 tvs 芯片结构

[实用新型]可控硅结构-CN202022145791.0有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。本实用新型的可控硅结构，提高了电压和电流的调节能力。
可控硅结构

[实用新型]一种用于桥梁墩柱的振捣装置-CN202020664580.5有效
发明人： 刘宗贺;任军伟;张冠鑫;李宁;韩帅 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本实用新型属于建筑机械技术领域，特别是一种用于桥梁墩柱的振捣装置，它包括：振捣棒和设置在所述的振捣棒上的振捣电机，所述的振捣电机与所述的振捣棒之间设置有提升管，还包括支架体系和设置在所述的支架体系中部的操作平台，所述的操作平台上设置有计时器和激光测距仪，所述的操作平台内设置有提升机，所述的提升管中部穿过所述的操作平台设置在所述的提升机上。与现有技术相比，使用本实用新型对桥梁墩柱混凝土振捣，能够保证振捣范围和振捣时间，减少人工介入，提高振捣效率；而且本装置结构简单，移动方便，便于安装拆卸，能够满足桥梁墩柱在不同情况下的振捣要求。
一种用于桥梁装置

[发明专利]一种用于桥梁墩柱的振捣装置及方法-CN202010344261.0在审
发明人： 刘宗贺;任军伟;张冠鑫;李宁;韩帅 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本发明属于建筑机械技术领域，特别是一种用于桥梁墩柱的振捣装置及方法，它包括：振捣棒和设置在所述的振捣棒上的振捣电机，所述的振捣电机与所述的振捣棒之间设置有提升管，还包括支架体系和设置在所述的支架体系中部的操作平台，所述的操作平台上设置有计时器和激光测距仪，所述的操作平台内设置有提升机，所述的提升管中部穿过所述的操作平台设置在所述的提升机上。与现有技术相比，使用本发明对桥梁墩柱混凝土振捣，能够保证振捣范围和振捣时间，减少人工介入，提高振捣效率；而且本装置结构简单，移动方便，便于安装拆卸，能够满足桥梁墩柱在不同情况下的振捣要求。
一种用于桥梁装置方法

[发明专利]一种低电容功率TVS器件及其制造方法-CN201610874344.4有效
发明人： 刘宗贺;邹有彪;王泗禹;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低电容功率TVS器件，属于半导体防护器件领域，所述低电容功率TVS器件是由功率TVS二极管和低电容二极管串联的单片集成器件，包括N型半导体基体、N+型扩散层、P+型扩散层、离子注入区、钝化层、金属层。本发明将功率TVS二极管和低电容的二极管串联集成在单一芯片上，使封装简单化，提高封装的良率，采用高阻N型半导体衬底制造，降低器件的结电容，避免通信信号失真，同时通过控制离子注入量，控制器件的反向击穿电压为75‑100V。
一种电容功率 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法-CN201710365079.1有效
发明人：邹有彪;廖航;童怀志;刘宗贺;徐玉豹;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用异质结结构的可控硅，包括P型穿通区、N型长基区、P+阳极区、P型短基区；P型短基区与P型穿通区之间设有沟槽；P型穿通区、N+阴极区、P型短基区上侧均覆有氮化硅钝化层；P型短基区上侧还设有门极；本发明的制作工艺包括：硅片双面抛光、氧化、穿通区光刻、穿通扩散、短基区扩散、浓硼区光刻、浓硼区扩散、阴极区光刻、生长碳化硅外延、碳化硅刻蚀、沟槽光刻、沟槽腐蚀、氮化硅钝化、玻璃钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金。本发明减小了常温下可控硅的触发电流，避免了发射区重掺杂效应的发生，提高了可控硅在高温下工作的稳定性。
穿通光刻可控硅异质结结构浓硼区阴极区氮化硅钝化层氮化硅钝化短基区扩散碳化硅外延扩散玻璃钝化触发电流沟槽腐蚀硅片双面制作工艺常温下发射区碳化硅阳极区引线孔重掺杂抛光铝合金背金反刻减小刻蚀门极蒸铝生长制造

[发明专利]一种低电容双向TVS器件及其制造方法-CN201710365076.8有效
发明人：邹有彪;徐玉豹;童怀志;刘宗贺;廖航;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容双向TVS器件，TVS器件为双向对称结构，包括反向并联的两个低电容二极管，两个低电容二极管均与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容双向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、衬底氧化、P+型埋层区光刻、P+型埋层区硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P型基区光刻、硼离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明满足通讯设备的高频率工作要求，不会因为寄生电容过大而导致传输信号失真。
一种电容双向 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种防电源反接防双向浪涌器件及其制造方法-CN201710175997.8有效
发明人：邹有彪;刘宗贺;王泗禹;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有防电源反接防双向浪涌器件，主要由防电源反接单元和瞬态抑制单元构成的三端子保护器件，所述防电源反接单元包括至少一个二极管D；所述瞬态抑制单元包括至少一个双向TVS瞬态抑制二极管和至少一个单向TVS瞬态抑制二极管器件。本发明的防电源反接防双向浪涌器件，当用电终端因为启停或者感性负载开关等动作产生浪涌电压时，单向TVS瞬态抑制二极管及双向TVS瞬态抑制二极管能对浪涌过电压进行钳位，从而防止用电终端负载对电源产生冲击，保证电源供电的纯净。可以只用一个芯片同时实现防电源反接及双向浪涌防护功能，同时能减小电源模块PCB板的面积，从而大大降低成本。
一种电源接防双向浪涌器件及其制造方法

[发明专利]一种低电容单向TVS器件及其制造方法-CN201710365080.4有效
发明人：徐玉豹;邹有彪;童怀志;刘宗贺;廖航;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容单向TVS器件，包括反向并联的两个低电容二极管，其中一个低电容二极管与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容单向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、氧化、P+型埋层区光刻、硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明通过TVS二极管与低电容二极管的串联，起到了降低器件的电容值作用，保证了电子产品在使用中，不会因为TVS器件的寄生电容过大，影响其正常的工作。
一种电容单向 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法-CN201610875049.0有效
发明人： 刘宗贺;邹有彪;王泗禹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明公开一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法，该半导体放电管芯片由两个相同的双向对称的低电容低压半导体放电管串联构成，其中任一串联的低电容低压半导体放电管包括位于n‑型半导体基体上表面的p‑阱区，p‑阱区下部的p型区，p型区内及p‑阱区边缘的n型区，以及p型区和n型区上表面的金属层，对p‑阱区进行硼离子注入掺杂，使两个n型区之间的p‑阱区的浓度为3e13‑3e14cm^‑3；对硅片双面进行光刻和掺杂控制，使p型区内及p‑阱区边缘的n型区之间的距离d为5‑10μm，使得半导体放电管在发生转折时两个n型区发生穿通击穿，击穿电压低于6V。本发明具有低电容、低电压的特点，减少通信信号的延迟和失真，同时对高清视频接口浪涌起重要的保护作用。
一种电容低压半导体放电芯片及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件复合钝化膜及其制备方法-CN201611040643.4有效
发明人： 刘宗贺;纪锦程;邹有彪;李超 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明属于半导体生产技术领域，特别涉及半导体器件复合钝化膜，所述钝化膜包括五层结构，一层是位于基底上的多晶硅膜层，设置于多晶硅层上的SIPOS膜层，设置于SIPOS膜层上的LTO膜层，还包括设置于LTO膜层上的PSG膜层，以及位于PSG膜层上的增氧二氧化硅膜层。本发明利用低压化学气象沉积的方式依次沉淀五层薄膜，使得复合薄膜相互作用，形成体系，有效改善台面大功率半导体器件的结表面钝化性能，能承受1600V以上的电压，减小器件的漏电流，提高器件的高温工作稳定性和可靠性，提高器件的工作结温，大幅提高生产线产品良率。
一种半导体器件复合钝化及其制备方法