专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种碳化硅开关器件及制作方法-CN201710605642.8有效
  • 黄润华;柏松;陶永洪;汪玲;刘奥;李士颜;刘昊 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 2017-07-24 - 2020-04-07 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法,降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工,二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度,二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入Pwell区的浓度,N+区的掺杂浓度远高于侧向注入Pwell区,这种结构使得二次外延沟道区侧壁上的沟道长度取决于外延生长厚度。本发明采用两种机制完成器件的开关,二次外延沟道区的侧壁沟道非常短,在关断过程中产生足够高的压降就可以将外延漂移层电流通路关断,不用考虑高压下的沟道穿通,与传统碳化硅MOSFET相比有较大优势,同时采用较宽外延漂移层电流通路,保持预置电压为正值,与传统碳化硅JFET相比有很大的优势。
  • 一种碳化硅开关器件制作方法

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