专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果68个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法、芯片-CN202310219500.3有效
  • 何隽 - 中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-30 - H01L29/06
  • 本发明提供一种结型场效应晶体管及其制造方法、芯片,在源漏之间形成了环绕第三掺杂区(即沟道)的掺杂区环,由此使得该结型场效应晶体管的夹断电压由所述第三掺杂区在垂直于轴向和半导体衬底厚度方向的径向上的线宽(即掺杂区环在该方向上的内径)决定,由此,在JEFT在该径向上的夹断电压不高于其在半导体衬底厚度方向上的夹断电压的前提下,通过第三掺杂区在该径向上的线宽的可调可控,就能成功实现JFET夹断电压的可调可控,从而利于实现所需的JFET和芯片的性能。进一步地,即使该JFET是现有120V BCD等BCD工艺平台上寄生集成的JFET,显然也能成功实现JFET夹断电压的可调可控。
  • 场效应晶体管及其制造方法芯片
  • [发明专利]结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管-CN202310347108.7在审
  • 何隽 - 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-06-23 - H01L21/337
  • 本发明涉及一种结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管。所述方法包括:在第一半导体材料层内形成三个依次排列的掺杂区,包括中间的第一类型掺杂区和所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区;三个所述掺杂区的导电类型均与所述第一半导体材料层的导电类型相反,且所述第二类型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一类型掺杂区的掺杂浓度;在所述第一类型掺杂区中形成栅极;在所述第二类型掺杂区中分别形成源极和漏极。本发明所提供的结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管,具有更高的BV。
  • 场效应晶体管制备方法
  • [实用新型]一种Mylar膜上料装置-CN202320081484.1有效
  • 冉昌林;何隽;吴亚迪;李小萍 - 武汉逸飞激光股份有限公司;武汉大雁软件有限公司
  • 2023-01-12 - 2023-06-16 - B65B41/06
  • 本实用新型涉及电芯装配技术领域,提供一种Mylar膜上料装置,包括:第一载具机构,用于承载底托片;第二载具机构;转运机构和上料机构,上料机构包括第一框架、第一吸盘组件和第二吸盘组件;转运机构包括两条输送线、第一承载盘和第二承载盘;第一框架横跨在第一载具机构、第二载具机构、第一承载盘和第二承载盘之上,第一吸盘组件和第二吸盘组件可滑动地设置在第一框架上,第一承载盘与第二承载盘分别设置在两条输送线上,第一承载盘和第二承载盘均可沿输送线的输送方向移动;热熔机构,设置在输送线上。本实用新型提供的Mylar膜上料装置,无需人工即可将Mylar膜热熔在底托片上,不仅提升了加工效率而且保证了工艺的成品率。
  • 一种mylar膜上料装置
  • [发明专利]一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置-CN202211678795.2在审
  • 何隽 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-05-23 - H01L29/423
  • 本发明提供一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置,涉及半导体技术领域。该器件包括:半导体衬底;漂移区设置在半导体衬底中;体区设置在半导体衬底中,并与漂移区间隔设置;场氧化层设置在漂移区内,其中场氧化层包括场氧区和位于场氧区一端的鸟嘴区,鸟嘴区靠近体区,场氧区远离体区;栅极结构覆盖部分场氧化层并自场氧化层向外延伸至覆盖部分体区的表面,其中,栅极结构包括栅极层,栅极层包括位于场氧区上的第一栅极层和位于体区上以及鸟嘴区上的第二栅极层,第一栅极层为未掺杂的栅极层,至少部分第二栅极层为掺杂的栅极层。
  • 一种ldmos功率器件及其制造方法电子装置
  • [发明专利]一种电池测试夹具、多通道自动切换的测试方法和系统-CN202211104171.X在审
  • 丛长波;何隽 - 武汉逸飞激光股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-03-14 - G01R31/385
  • 本申请实施例提出一种电池测试夹具、多通道自动切换的测试方法和系统,涉及电池测试领域。电池测试夹具与控制器通信连接,与测试机电连接,且电池测试夹具包括夹持控制模块、多个第一测试元件以及与每个第一测试元件相对设置的第二测试元件,该夹持控制模块,用于在接收到控制器发送的夹持指令的情况下,控制电池测试夹具夹持多个待测试电池,以使每个第一测试元件与对应的待测试电池的第一电极接触,相应的第二测试元件与对应的待测试电池的第二电极接触;根据测试机输出的电流对待测试电池进行测试。通过该电池测试夹具可实现测试机对待测试电池的测试,因此可避免人工手动对电池进行测试,提高电池测试效率,同时保证电池测试的安全性。
  • 一种电池测试夹具通道自动切换方法系统
  • [发明专利]一种圆柱电芯封口的激光焊接控制方法及装置-CN202210546192.0有效
  • 冉昌林;何隽;游浩 - 武汉逸飞激光股份有限公司
  • 2022-05-20 - 2022-09-30 - B23K26/21
  • 本发明提供了一种圆柱电芯封口的激光焊接控制方法及装置,圆柱电芯封口的激光焊接控制方法包括:在对电芯进行封焊的过程中,通过信息处理单元获取电芯的旋转信息;控制单元根据电芯的旋转信息调节激光器功率大小以及激光器运行状态;所述旋转信息包括旋转速度。本发明通过电芯旋转过程中的旋转速度控制激光器输出功率的大小,而使圆柱电芯旋转过程中形变量大小与旋转速度大小相适应,从而提高圆柱电芯在旋转过程中的稳定性,进而提高圆柱电芯封口焊接的质量,同时在圆柱电芯出现打滑、卡死、转动不均匀时,及时控制设备停机,而降低圆柱电芯报废率以及设备的维护运营成本。
  • 一种圆柱封口激光焊接控制方法装置
  • [发明专利]一种基于异质结构多类型强化奥氏体不锈钢及制造方法-CN202110975924.3有效
  • 宿彦京;何隽 - 北京科技大学
  • 2021-08-24 - 2022-06-17 - C22C38/02
  • 一种基于异质结构多类型强化奥氏体不锈钢及制造方法,其特征在于,化学成分的质量百分比含量为:C0.05%,Si0.50%,Mn1.3%,Cr:14~16%,Ni:7~9%,Mo:1~3%,Cu1.4%,S0.01%,P0.02%,余量为Fe及不可避免的杂质元素。本发明涉及的奥氏体不锈钢的马氏体转变温度在如下范围:‑60℃Ms40℃。本发明涉及的高强奥氏体不锈钢通过细化晶粒和增加位错等缺陷稳定奥氏体。与现有奥氏体不锈钢相比,所需要的合金含量更少,具有较好的经济效率。通过基于异质结构的多类型强化方式(包括细晶强化,第二相强化,析出强化,固溶强化,不均匀变形强化),只牺牲少量加工硬化能力,使所述的奥氏体在达到125钢级(862MPa)的同时仍能保持超过20%的均匀延伸率。
  • 一种基于结构类型强化奥氏体不锈钢制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top