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- [发明专利]存储装置-CN202210911539.7在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2022-07-28
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2023-10-10
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H01L23/538
- 实施方式提供具有更小的面积的存储装置。在实施方式的存储装置中，多个第1导电体相互分离而沿着第1轴排列。存储柱沿着第1轴延伸，与多个第1导电体相对向，包括半导体和将半导体包围的膜。多个接触插塞沿着第1轴延伸，各自包括第2导电体和将第2导电体包围的第1绝缘体。第1绝缘体位于多个第1导电体与第2导电体之间。多个接触插塞各自在下表面与多个第1导电体中的不重复的一个第1导电体的上表面相接。多个接触插塞包括第1接触插塞～第3接触插塞。第1接触插塞和第2接触插塞沿着与第1轴相交的第2轴而相邻地配置。第3接触插塞在第2轴上位于第1接触插塞与第2接触插塞之间，在与第1轴以及第2轴正交的第3轴上配置在不同的位置。
- 存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202210232396.7在审
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井口直;福田夏树
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铠侠股份有限公司
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2022-03-07
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2023-04-04
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H10B41/30
- 实施方式提供容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板，具备在第1方向上排列的存储区域及接合区域；及多个存储构造，在与第1方向交叉的第2方向上排列。多个存储构造具备：多个导电层，在与基板的表面交叉的第3方向上排列，跨存储区域及接合区域地在第1方向上延伸；及多个接触电极，设置于接合区域，在第3方向上延伸，具备由多个导电层的一部分包围的外周面，分别连接于多个导电层中的任一者。接合区域具备在第1方向上排列的第1区域和第2区域。第1区域包括第1接触电极及第2接触电极，第2区域包括第3接触电极。第3接触电极的第3方向的长度比第1接触电极的第3方向的长度长且比第2接触电极的第3方向的长度短。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202210229394.2在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2022-03-09
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2023-03-28
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H10B41/30
- 实施方式提供一种能够良好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底，具备第1区域及第2区域；多个第1导电层，排列在与衬底表面交叉的方向；第1半导体层，设置在第1区域，与多个第1导电层相对向；电荷储存层，设置在多个第1导电层与第1半导体层之间；接触电极，设置在第2区域，连接于多个第1导电层中的一个；以及多个第1构造及多个第2构造，设置在第2区域，外周面被多个第1导电层包围。第1构造包括：第2半导体层，与多个第1导电层相对向，包含与第1半导体层共通的半导体材料；及第1绝缘层，设置在多个第1导电层与第2半导体层之间，包含与电荷储存层共通的绝缘材料。第2构造不包含所述半导体材料及所述绝缘材料。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202110649704.1在审
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福田夏树;井口直
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铠侠股份有限公司
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2021-06-10
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2022-09-06
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H01L27/11548
- 实施方式提供一种容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；在第1方向上排列并在第2方向上延伸的多个导电层；在第1方向上延伸并与多个导电层相对的半导体层；在第3方向上排列的n个接触电极区域。n是2的幂。接触电极区域具有在第2方向上排列的多个接触电极。多个导电层包括第1导电层和第2导电层，所述第2导电层是从第1导电层开始数的第n个导电层。多个接触电极包括与第1导电层连接的第1接触电极、与第2导电层连接的第2接触电极、以及设置在第1接触电极和第2接触电极之间的第3接触电极。第1接触电极、第2接触电极以及第3接触电极在第2方向或第3方向上排列。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN03156947.1无效
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园田真久;井口直;角田弘昭;坂上荣人
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株式会社东芝
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2003-09-15
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2004-04-21
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H01L29/78
- 本发明提供在具有具备栅绝缘膜的场效应晶体管的半导体器件及其制造方法中，晶体管可进一步微细化的半导体器件及其制造方法。在含有多个元件区域和由使上述元件区域彼此间电隔离的STI(浅沟隔离)形成的元件隔离区域的半导体器件中，上述每一个元件区域都具备：沟道区域；在水平方向上夹持上述沟道区域形成的源、漏区；在上述沟道区域上形成，而且，与上述源、漏区夹持上述沟道区域的上述方向大体上垂直的水平方向上的、在和与上述沟道区域对向的面相反一侧的面上从上述元件隔离区域侧形成的、鸟喙的角度在1度以下的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极层。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN02127569.6无效
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井口直;角田弘昭;松野光一
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株式会社东芝
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2002-06-28
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2003-02-05
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H01L21/283
- 一种半导体器件，包括半导体衬底，具有衬底上表面，在其上形成一个器件；栅电极，具有相对于所说衬底上表面的相对表面，并通过栅绝缘膜与所说半导体衬底电绝缘；沟槽，穿过所说栅电极进入所说半导体衬底而形成，将所说衬底上表面的其它区与用于形成器件的器件区电隔离；第一边界端部，在所说半导体衬底的形成所说沟槽的一部分侧表面的衬底侧表面和所说衬底上表面之间限定该第一边界端部；第二边界端部，在所说栅电极的形成所说沟槽的另一部分侧表面的栅极侧表面和所说相对表面之间限定该第二边界端部；其中所说第一边界端部和所说第二边界端部具有曲率半径不小于30埃的球形形状。
- 半导体器件制造方法
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