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[发明专利]基于卷积神经网络的超短脉冲宽度预测方法-CN202110326626.1有效
发明人：许思源;赵昆;朱孝先;李远锋;朱江峰;张大成;魏志义 -专利权人： 中国科学院物理研究所;西安电子科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超短激光脉冲宽度预测方法及其预测系统，所述方法基于卷积神经网络。本发明通过在采集超快激光脉冲的脉冲延迟扫描光谱行迹图或行迹图数据(trace)并反演得到脉冲的宽度和相位信息，构建训练集建立卷积神经网络模型，进行卷积神经网络模型训练，使用这种方案可以提高对脉冲信息获取的效率，并在模型构建完成后，降低超快激光脉冲时域信息获取的技术难度。
基于卷积神经网络超短脉冲宽度预测方法

[实用新型]一种铌基超导量子比特制备平台-CN202220093054.7有效
发明人：宿非凡;任育峰;李俊杰;耿广州 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种铌基超导量子比特制备平台，所述铌基超导量子比特制备平台包括：主真空腔体、预真空腔体和第一高真空阀。本实用新型的铌基超导量子比特制备平台实现超高真空环境下的铌薄膜生长，避免了样品上的金属铌膜因接触空气中的氧气而发生氧化，起到防氧化保护的作用，可以用于后续加工，提高制备效率。同时还可以解决空气中旋涂光刻胶的落尘污染问题。
一种超导量子比特制备平台

[发明专利]一种低温低噪声温度检测装置、其制备方法和制冷机-CN202210968644.4在审
发明人：邹雨婷;姬忠庆;樊洁;程智刚 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本发明提供了提供一种低温低噪声温度检测装置，所述低温低噪声温度检测装置包括温度计、银胶滤波器和频射连接器，所述温度计和所述银胶滤波器通过所述频射连接器相连。还提供了其制备方法和制冷机。本发明的低温低噪声温度检测装置可以对测量信号中五百兆赫兹以上的高频噪声进行有效衰减，使得测量得到的温度值更加精确。同时，由于噪声减小，可减小温度计的测量电流，进而降低温度计的自发热效应。并且，银胶滤波器可作为热沉，将引线冷却到环境温度，避免其对温度计有加热效应。
一种低温噪声温度检测装置制备方法制冷机

[发明专利]增强非线性薄膜宽带的太赫兹源装置、其制备及增强方法-CN202211052633.8在审
发明人：顾长志;胡乐勇;郭阳;杜硕;李俊杰 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强非线性薄膜宽带的太赫兹源装置，所述增强非线性薄膜宽带的太赫兹源装置包括自下而上依次设置的衬底、非线性单晶薄膜和低折射率超表面结构。还提供了其制备及增强方法，本发明的太赫兹源装置具有以下优势：一是太赫兹产生于非线性晶体薄膜，短的有效长度避免了相位匹配的限制，可以产生宽带太赫兹辐射；二是通过图案化低折射率材料，增强泵浦光于非线性薄膜的相互作用，增强太赫兹辐射效率；三十基于超表面调制光场的能力，该方案对泵浦光的波长没有选择性。基于以上特点，该方案可以提供一种便于集成的紧凑型宽带高效太赫兹源，具有应用价值。
增强非线性薄膜宽带赫兹装置制备方法

[发明专利]用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法-CN202210936141.9在审
发明人：李辉;陈小龙;王国宾;盛达;王文军 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：本发明提供一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，其包括如下步骤：(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差，获得第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差；(2)将所述第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差进行比较；其中，如果所述第一表面的接触电势差大于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为碳面，所述第二表面为硅面；如果所述第一表面的接触电势差小于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为硅面，所述第二表面为碳面。本发明的方法是一种高效、无损、高可靠性的用于确定SiC晶片的Si面和C面的方法。
用于确定导电碳化硅晶片方法

[发明专利]制备异晶面同质结薄膜的方法-CN202210939400.3在审
发明人：荣东珂;金桥;林珊;陈盛如;金奎娟;郭尔佳 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种制备异晶面同质结薄膜的方法，包括：(1)在初始衬底上形成牺牲层，获得牺牲层/初始衬底结构；(2)在牺牲层上形成自支撑薄膜，获得自支撑薄膜/牺牲层/初始衬底结构；(3)将自支撑薄膜/牺牲层/初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中直至牺牲层溶解，使得自支撑薄膜与初始衬底脱离接触，获得自支撑薄膜；(4)将自支撑薄膜以不完全覆盖目标衬底的方式转移至目标衬底上，以获得自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的自支撑薄膜/目标衬底结构；(5)在自支撑薄膜/目标衬底上形成目标薄膜，即获得异晶面同质结薄膜；其中，自支撑薄膜与目标衬底为同种材料且具有不同的晶面。本发明的方法灵活、简易且能够普适性地制得异晶面同质结薄膜。
制备异晶面同质薄膜方法

[发明专利]抗干扰高灵敏度紫外光探测器-CN201910529519.1有效
发明人：吕惠宾;郭尔佳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外光探测器，包括：吸收体，所述吸收体的禁带宽度大于3.2eV；设置在所述吸收体的一个表面的第一电极，所述第一电极采用能够透过紫外光的导电材料，并且所述第一电极覆盖所述吸收体的所述一个表面；设置在所述吸收体的另一个表面的第二电极和第三电极；以及电源，所述电源的正极和负极分别连接至所述第二电极和所述第一电极。本发明的紫外光探测器灵敏度高、抗干扰能力强。
抗干扰灵敏度紫外光探测器

[发明专利]基于金刚石薄膜的太赫兹产生装置及其产生方法-CN202111072202.3有效
发明人：全保刚;李俊杰;顾长志;徐新龙;杜婉怡 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01S1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于金刚石薄膜的太赫兹产生装置及其产生方法。所述太赫兹产生装置包括金刚石薄膜和泵浦光源，所述金刚石薄膜是纳米晶金刚石薄膜，在所述泵浦光源发出的泵浦光激发下在其表面产生光牵引效应而辐射太赫兹波。通过改变泵浦光的入射角度、泵浦光的能量密度、泵浦光的偏振角度可优化金刚石薄膜产生的太赫兹波的强度。并且金刚石薄膜还可有效地辐射椭圆偏振太赫兹波。本申请公开的太赫兹产生装置具有高阈值功率、高效稳定性，在太赫兹功能器件领域有广泛的应用前景。
基于金刚石薄膜赫兹产生装置及其方法

[发明专利]一种基于涡旋光束轨道角动量的多焦点超表面的设计方法-CN202111587509.7有效
发明人：李俊杰;顾长志;郑睿瑄;耿广州;杜硕;潘如豪;金爱子 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：提供了一种基于涡旋光束轨道角动量的多焦点超表面的设计方法及成像器件。根据一实施例，该设计方法包括如下步骤：对圆偏振光束透过纳米结构单元后的转极化效率进行模拟；设定目标工作波长，确定纳米结构单元的几何结构尺寸，其中，所述纳米结构单元对在所述目标工作波长的圆偏振光束的转极化效率大于预定值；以及对纳米结构单元沿半径方向进行周期性排布，结合在每个位置上的纳米结构单元绕自身中心旋转实现的附加几何相位，使得携带轨道角动量的圆偏振涡旋光束在不同空间位置实现聚焦。本发明的方法可实现入射光在不同空间位置处的聚焦，从而弥补了传统光学成像系统中依赖机械位移控制透镜位置变化实现变焦的弊端。
一种基于涡旋光束轨道角动量焦点表面设计方法

[发明专利]一种碳纳米管薄膜的制备方法-CN201811493082.2有效
发明人：苏威;刘华平;魏小均;周维亚;解思深 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)制备碳纳米管分散液，并调节至pH值大于7；2)在衬底表面自组装多聚赖氨酸分子层或3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子层；3)将步骤1)得到的碳纳米管分散液滴涂到步骤2)得到的衬底上，碳纳米管分散液均匀覆盖整个衬底，静置沉积，回收未沉积的碳纳米管分散液；4)清洗步骤3)得到的衬底以去除表面活性剂，用惰性气体或氮气吹干，即得。基于以上，本发明提供的方法制备的碳纳米管薄膜在大规模集成电路以及大面积透明导电薄膜具上有很好的应用前景。
一种纳米薄膜制备方法

[发明专利]硅负极材料电池负极片及锂离子电池-CN202210445259.1在审
发明人：金周;黄学杰;闫勇;王丕涛 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种硅负极材料、电池负极片及锂离子电池。硅负极材料包括纳米片状硅基材料和碳包覆层，碳包覆层和硅基材料之间具有金属层或金属颗粒。本申请的硅负极材料的表面具有碳包覆层，该碳包覆层能有效避免纳米片状硅基材料与电解液的直接接触，在包覆层上形成的SEI膜薄且稳定。此外，纳米片状硅基材料与碳包覆层之间具有金属层或金属颗粒，金属良好的导电性能够弥补硅导电性差的问题。
负极材料电池锂离子电池

[发明专利]一种超快扫描电子显微镜系统及其使用方法-CN202211124608.6在审
发明人：李建奇;李中文;李俊;杨槐馨;田焕芳;杨冬;田源 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01J37/28 文献下载
摘要：本发明公开一种超快扫描电子显微镜系统及其使用方法。该超快扫描电子显微镜系统包括超快激光光路、电子枪、样品室以及信号采集模块。超快激光光路中探测激光水平地自第一光学窗口入射至电子枪内，且泵浦激光水平地自第二光学窗口入射至所述样品室内，同时，电子枪通过第一反射单元将水平入射的探测激光反射并聚焦至阴极，样品室通过第二反射单元将水平入射的泵浦激光以指定角度照射到样品上。如此，可在保证探测激光照射到阴极的位置精度以及泵浦激光照射到样品的位置精度的前提下极大地简化光路调节操作，并保证测试精度。
一种扫描电子显微镜系统及其使用方法

[发明专利]正极活性材料前驱体及其制备方法和正极活性材料-CN202011286686.7有效
发明人：武怿达;黄学杰;詹元杰;马晓威 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种正极活性材料前驱体，其化学分子通式为Ni0.5‑xMn1.5‑y‑sAs(PO4)z(B)u，其中，A为非锂金属元素和/或准金属元素，B为OH‑或CO32‑，‑0.2≤x≤0.2，‑0.2≤y≤0.2，0≤s≤0.1，0.003≤z≤0.07且0.8≤u≤2.2，所述正极活性材料前驱体中P元素以原子级别均匀分布。本发明还涉及一种正极活性材料前驱体的制备方法，通过将水溶性磷酸盐与水溶性镍盐、锰盐加入反应釜中，控制反应条件，使磷与镍、锰金属离子实现共沉淀。进一步，本发明还涉及有所述正极活性材料前驱体或制备方法得到的正极活性材料前驱体制备的正极活性材料。
正极活性材料前驱及其制备方法

[发明专利]用于电子枪的激光引入装置及包括其的超快扫描电镜-CN202111570847.X在审
发明人：田源;杨冬;李中文;李俊;田焕芳;杨槐馨;李建奇 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01J37/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将脉冲激光引入电子枪的激光引入装置，其中电子枪包括具有空腔的主体、阳极帽、布置在所述主体顶壁上的电子枪灯丝，以及包围所述电子枪灯丝并具有栅极帽孔的栅极帽；主体的侧壁上具有第一窗口，底壁上具有与栅极帽孔相对布置的第一出射孔或通道，阳极帽布置在第一出射孔上；激光引入装置包括：布置在主体内的反射组件；反光装置，反光装置布置在阳极帽顶面以朝向栅极帽，反射组件被设置为从第一窗口入射并经过所述反射组件引导的脉冲激光能够被反光装置反射以穿过栅极帽孔照射电子枪灯丝。根据本声明的激光引入装置能够将超快光源以更佳入射角度引入现有扫描电镜并消除电场畸变，具有更低的成本和更高的探测性能和适用范围。
用于电子枪激光引入装置包括扫描电镜

[发明专利]制备附着式冷冻样品的装置及方法-CN202110504982.8在审
发明人：丁玮 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备附着式冷冻样品的装置，包括：冻样单元，用于提供样品冷冻操作的环境；冷却单元，用于存储冷却液，并为所述冻样单元提供冷却液；样品处理单元，设置在所述冻样单元内，用于对样品进行雾化处理；样品承载单元，设置在所述冻样单元内，并与所述样品处理单元对应设置，包括用于盛放金属载网的金属基底，以及管道单元，连接所述冻样单元和实施冷却单元，用于将冷却液从所述冷却单元引导至所述冻样单元。该装置以样品溶液雾化后的附着式快速冷冻技术方案代替传统的投入式冷冻技术方案，大幅度提高冷冻样品的质量和整个冻样过程的效率。
制备附着冷冻样品装置方法