[发明专利]一种碳纳米管薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811493082.2 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111293035B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 苏威;刘华平;魏小均;周维亚;解思深 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)制备碳纳米管分散液，并调节至pH值大于7；2)在衬底表面自组装多聚赖氨酸分子层或3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子层；3)将步骤1)得到的碳纳米管分散液滴涂到步骤2)得到的衬底上，碳纳米管分散液均匀覆盖整个衬底，静置沉积，回收未沉积的碳纳米管分散液；4)清洗步骤3)得到的衬底以去除表面活性剂，用惰性气体或氮气吹干，即得。基于以上，本发明提供的方法制备的碳纳米管薄膜在大规模集成电路以及大面积透明导电薄膜具上有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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