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[发明专利]用于碳化硅单晶生长的装置-CN202111405002.5在审
发明人：陈小龙;李辉;杨乃吉;王文军 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于碳化硅单晶生长的装置，其包括石墨坩埚主体、石墨坩埚盖、籽晶，所述籽晶固定于所述石墨坩埚盖内侧；其中，所述装置还包括位于所述石墨坩埚主体与石墨坩埚盖之间的石墨环；所述石墨环由靠近所述石墨坩埚盖的扩径部段和远离所述石墨坩埚盖的等径部段构成，其中所述扩径部段具有相对于所述籽晶倾斜的倾斜面并且所述倾斜面朝向所述籽晶延伸成至少与所述籽晶的周缘对齐。包括本发明的石墨环的装置可以生长大尺寸如8英寸以上的SiC单晶。
用于碳化硅生长装置

[发明专利]一种振动传感器的校准和测试装置及方法-CN202310178499.4在审
发明人：王子波;周维亚;肖卓建;王艳春 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01H17/00 文献下载
摘要：本发明提供了高温振动传感器校准和测量装置以及方法。该装置包括：腔体、振动装置、第一加热模块、待测信号采集模块、绝对法校准用信号模块和/或比较法校准用信号模块、以及处理器，其中，第一加热模块包括具有用于安装待测振动传感器的安装位置的底座、第一加热元件、第一温度传感器和第一温控组件。第一加热元件设置在安装位置的下方，并与待测振动传感器直接接触或通过底座与待测振动传感器间接接触，以用于从待测振动传感器的底部加热待测振动传感器，从而能够较好地模拟待测传感器安装在面热源上的实际工作环境，提高传感器的校准精度。并且，通过引入固体间热传导的传热方式，大大地提高了加热速率和效率。
一种振动传感器校准测试装置方法

[发明专利]发光材料及其制备方法和应用-CN202111317425.1有效
发明人：麻朝阳;曹永革;汪玉珍 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及发光材料技术领域，尤其是涉及一种发光材料及其制备方法和应用。发光材料，其通式为：NaATiO4：xBi3+/yEr3+；其中，0＜x≤0.05，0≤y≤0.1；A选自Y、Lu、La、Gd和Sc中的任一种。本发明的Bi3+单掺的NaATiO4发光材料，以Bi3+作为激活剂，发光材料同时具备多种模式；Bi3+、Er3+共掺的NaATiO4发光材料，以Bi3+和Er3+作为激活剂，同时具备上转换发光、下转换发光、磷光和光致变色中的多种模式。依据各发光材料的多种发光模式，可实现相应的多重防伪，可用于制作先进光学防伪、加密材料，可用于版权保护、钞票防伪、信息加密等领域。
发光材料及其制备方法应用

[发明专利]溶液法生长SiC单晶的方法-CN202211356676.5在审
发明人：陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括：(1)将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料块的上方；其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述生长炉抽真空；(3)通入功能性气体以控制生长炉内的气压，然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化以形成助熔剂熔体并且使所述助熔剂处于特定的温场；(4)下推所述提拉杆使得所述籽晶与助熔剂熔体接触，并且对所述籽晶和坩埚进行旋转和提拉以及动态调整热源、坩埚及籽晶之间的相对位置，使得晶体生长界面、助熔剂熔体、原料块上表面之间的相对位置和温度保持不变。本发明的方法能够实现高质量SiC单晶的持续、稳定、快速生长。
溶液生长 sic 方法

[发明专利]原位包覆硼酸盐的氧化物复合正极材料、制备方法和用途-CN202111342367.8在审
发明人：胡勇胜;胡紫霖;牛耀申;杨佯;容晓晖;陆雅翔;陈立泉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位包覆硼酸盐的氧化物复合正极材料、制备方法和用途，化学通式为：γAxByOz‑NaaLibNicCudMneMfO2+β；材料中，Li、Ni、Cu、Mn、对过渡金属位进行掺杂取代的元素M共同占据晶体结构中的过渡金属离子位置；层状氧化物复合正极材料的空间群为P63/mmc或P63/mcm或对应结构为P2相或O3相；AxByOz为在NaaLibNicCudMneMfO2+β表面原位生成的针状结构的包覆层,通过包覆材料前躯体与用于生成NaaLibNicCudMneMfO2+β的层状氧化物前躯体在烧结过程中生成；其中γ为包覆材料前躯体占层状氧化物前驱体的质量分数，0.1wt％≤γ≤10wt％；A为Li和/或Na。本发明的复合正极材料不仅容量高，而且由于表面针状包覆层的存在，材料表面残碱大幅减少，空气中稳定性显著提升，首次充放电效率高，循环寿命长。
原位硼酸盐氧化物复合正极材料制备方法用途

[发明专利]可逆光致变色透明陶瓷及其制备方法和应用-CN202111393200.4有效
发明人：曹永革;文子诚;左传东;唐巍;李英魁 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其是涉及一种可逆光致变色透明陶瓷及其制备方法和应用。可逆光致变色透明陶瓷，化学组成为：Ba(AxMgyBz)O3；其中，A选自Zr、Sn、Ti和Hf中的至少一种；B选自Ta和Nb中的至少一种；4x+2y+5z＝4，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。本发明的可逆光致变色透明陶瓷，具有灰白色‑褐色可逆转变的特性。Ba(AxMgyBz)O3光致变色陶瓷在约365nm照射条件下变色，在约450nm照射或者加热条件下可恢复原状，并且本发明的可逆光致变色透明陶瓷变色对比度高。
逆光变色透明陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]尖晶石结构包覆改性钴酸锂基材料及制备方法和锂电池-CN202111565362.1有效
发明人：杨陆峰;昝铭玮;禹习谦;李泓 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种尖晶石结构包覆改性钴酸锂基材料及制备方法和锂电池。尖晶石结构包覆改性钴酸锂基材料包括：钴酸锂基正极材料本体和和尖晶石结构包覆层，尖晶石结构包覆层包括在钴酸锂基正极材料本体表面构筑的具有尖晶石结构包覆材料的共掺杂过渡包覆层；尖晶石结构包覆材料的分子式为Li1+x(MnaMb)O4‑zFz，其中，0≤x,0＜z≤1,0＜a,0＜b≤1,M为对Mn位进行掺杂的+2、+3或+4价的元素；在共掺杂过渡包覆层中，尖晶石结构包覆材料与钴酸锂基正极材料本体的材料元素之间存在化学键结合，形成共掺杂结构，共掺杂过渡包覆层中，Mn、M元素呈梯度分布；尖晶石结构包覆材料占钴酸锂基正极材料本体的质量比为0.1％‑10％；共掺杂过渡包覆层的平均厚度为2nm‑100nm。
尖晶石结构改性钴酸锂基材料及制备方法锂电池

[发明专利]锂离子电池及其正极补锂方法-CN202210216087.0有效
发明人：闫勇;黄学杰;田孟羽 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：一种锂离子电池及其正极补锂方法，属于锂离子电池领域。锂离子电池的正极补锂方法包括：在锂离子电池中使用补锂组合物，在锂离子电池的电解液中加入添加剂。其中，补锂组合物包括补锂材料和还原剂。补锂材料包括正硅酸锂、偏硅酸锂中的一种或几种；还原剂包括单质硫、单质磷、单质硼、硫化钼、硫化钨、硫化钛、硫化锂、硫化镁、硫化钙、硫化镧、硫化钽和硫化铁中的一种或多种；其中，添加剂包括双草酸硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、1,3‑丙烷磺酸内酯、氟代醚中的一种或多种。该补锂方法能够有效提升锂离子电池的能量密度和循环寿命。
锂离子电池及其正极方法

[发明专利]一种用于电解质的聚合物及其制备方法和应用-CN202211664807.6在审
发明人：孙国宸;李泓 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电解质的聚合物及其制备方法和应用，其为由式(1)所示重复单元构成的均聚物和/或交替聚合物和/或嵌段聚合物和/或接枝聚合物和/或无规聚合物。包含本发明聚合物的电解质比一般的聚醚类电解质具有更高的链段运动能力，从而能够显著提高聚合物电解质的离子电导率。同时，搭配更容易解离的锂盐可进一步提升聚合物电解质的离子电导率。
一种用于电解质聚合物及其制备方法应用

[发明专利]正极活性材料前驱体及其制备方法、正极活性材料及其制备方法、正极及锂离子二次电池-CN202111308255.0在审
发明人：武怿达;黄学杰;詹元杰;马晓威 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本申请涉及一种正极活性材料前驱体，其化学分子通式为Ni0.5‑xMn1.5‑y‑sAs(PO4)z(B)u，其中，A为非锂金属元素和/或准金属元素，B为OH‑或CO32‑，‑0.2≤x≤0.2，‑0.2≤y≤0.2，0≤s≤0.1，0.003≤z≤0.07且1.8≤u≤4.4，所述正极活性材料前驱体中P元素不均匀的分布。本申请还涉及一种正极活性材料前驱体的制备方法，通过将水溶性磷酸盐与水溶性镍盐、锰盐加入反应釜中，控制反应条件，使磷与镍、锰金属离子实现共沉淀。进一步，本申请还涉及正极活性材料及其制备方法。
正极活性材料前驱及其制备方法锂离子二次电池

[发明专利]一种跨模块可调耦合的量子比特芯片-CN202211629846.2在审
发明人：梁珪涵;相忠诚;宋小会;赵思路;梅铮扬;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N69/00 文献下载
摘要：提供一种跨模块可调耦合的量子比特芯片，包括：至少一个布线层芯片；至少两个比特层芯片，其耦合至所述至少一个布线层芯片；所述至少两个比特层芯片包括相邻的第一比特层芯片和第二比特层芯片，所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的近邻比特通过可调耦合器进行电容耦合；所述第一比特层芯片包括彼此电容耦合的位于芯片边缘的第一量子比特和第一旁路电容电极，所述第二比特层芯片包括位于芯片边缘的第二量子比特，位于所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的布线层芯片包括第二旁路电容电极；所述第一旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器，所述第二量子比特经由所述第二旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器。
一种模块可调耦合量子比特芯片

[发明专利]多波长拓扑腔面发射激光器阵列-CN202111283095.9在审
发明人：陆凌;李广睿;杨乐臣;高晓梅 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01S5/11 文献下载
摘要：本申请涉及单片集成的多波长拓扑腔面发射激光器阵列。根据一实施例，一种单片集成的拓扑腔面发射激光器阵列包括由相同的半导体层形成的多个拓扑腔面发射激光器，激光器的至少一个层形成为光子晶体层，或者激光器还包括单独的光子晶体层。光子晶体层包括多个超胞结构，超胞结构的子结构具有多个独立一维参数，一个或多个子结构的至少两个独立一维参数被调制为大于或小于其平衡位置以打开在平衡位置时超胞结构能带的狄拉克点。绕光子晶体层的某一点任意一圈，超胞结构的两个独立一维参数的调制形成涡旋结构，其在参数空间中对应于围绕平衡位置的一圈或多圈。两个激光器的超胞结构晶格常数可以不同以发射不同波长的激光。
波长拓扑发射激光器阵列

[发明专利]二次电池电极材料过渡金属溶解量的检测方法和显色剂-CN202110252089.0有效
发明人：昝铭玮;张杰男;禹习谦;李泓 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次电池电极材料过渡金属溶解量的检测方法和显色剂；所述检测方法包括：取适量显色剂加入一定量的空白电解液中，配制含有显色剂的指示电解液；其中，所述显色剂为吡啶偶氮类有机物；将经过电化学充放电至设定荷电状态(SOC)的待测过渡金属氧化物电极极片置于比色皿中，定量加入指示电解液，并加入空白电解液，调节溶液中显色剂的浓度至设定浓度，得到待测电解液；按照预设温度和时间存储比色皿，在设定的时间节点对待测电解液进行紫外‑可见光分光光度测试得到吸光度，并对照标定曲线得到二次电池电极材料过渡金属的溶解量。
二次电池电极材料过渡金属溶解检测方法显色

[发明专利]无限层镍基超导体前驱物Nd1-x-CN202111438410.0有效
发明人：金奎娟;杨明卫;杨镇;郭尔佳;葛琛;王灿;何萌;杨国桢 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无限层镍基超导体前驱物Nd1‑xSrxNiO3的制备方法，其包括如下步骤：(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温并置于富氧环境中，以进行退火处理；(2)对步骤(1)中退火处理后的产品进行降温，制得无限层镍基超导体前驱物Nd1‑xSrxNiO3，其中x为大于0小于等于0.33。本发明的方法操作简洁方便并且能够提高样品性质稳定，以及保证生长样品的重复性高。
无限层镍基超导体前驱 nd base sub

[发明专利]一种超低密度电解液和锂硫电池-CN202011236792.4有效
发明人：索鎏敏;刘涛;李华君;李泓;陈立泉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M10/0569 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低密度电解液和锂硫电池。超低密度电解液的密度小于0.9g/ml；超低密度电解液包括锂盐和非水系有机溶剂；其中，非水系有机溶剂的单分子结构中含有最多两个亲核位点和/或含有最多三个氟原子，主碳链长度不大于7个碳原子，同时含有最多两个烷烃支链结构；非水系有机溶剂的介电常数小于7，使多硫化合物受极性官能团的限制作用下，在所述非水系有机溶剂中的解离或溶解得到抑制；超低密度电解液中，锂盐的总浓度范围在0.01M‑1.2M之间。在相同电解液体积用量下，采用该电解液可极大的降低电解液在锂硫全电池中的重量比例，从而有效提高锂硫一次电池以及锂硫二次电池整体能量密度，并可有效提高锂硫电池的循环稳定性能。
一种密度电解液电池