[发明专利]一种隔板的处理方法在审

申请号：	201810249744.5	申请日：	2018-03-26
公开（公告）号：	CN110359026A	公开（公告）日：	2019-10-22
发明（设计）人：	王世哲	申请（专利权）人：	东莞新科技术研究开发有限公司
主分类号：	C23C16/02	分类号：	C23C16/02;C23C16/34;C23C14/02;C23C14/06;H01L21/3065
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	郝传鑫
地址：	523087 ***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明涉及半导体技术领域，公开了一种隔板的处理方法，通过将硅片连续送入沉积设备的第一反应腔，以使硅片与第一反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在隔板的表面形成致密、均匀的第一氮化硅膜，再通过将硅片连续送入沉积设备的第二反应腔，以使硅片与第二反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在形成第一氮化硅膜后的隔板的表面形成致密、均匀的第二氮化硅膜，以使得在致密、均匀的第一氮化硅膜和第二氮化硅膜的双重保护下，避免隔板在刻蚀半导体工序时被刻蚀，从而提高了隔板的寿命，以避免频繁更换隔板，从而降低成本。
搜索关键词：	隔板氮化硅膜反应腔硅片致密氨气表面形成沉积设备硅烷反应原料气体送入半导体技术领域刻蚀半导体双重保护刻蚀
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【主权项】：

1.一种隔板的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：将隔板放置在沉积设备的第一反应腔内；将氨气和硅烷通入所述第一反应腔，并且使所述第一反应腔内氨气和硅烷的体积比为1:1～1.5:1；将硅片连续送入所述第一反应腔，以使所述隔板的表面形成第一氮化硅膜；将形成所述第一氮化硅膜后的隔板放置在所述沉积设备的第二反应腔内；将氨气和硅烷通入所述第二反应腔，并且使所述第二反应腔内氨气和硅烷的体积比为4:1～4.5:1；将硅片连续送入所述第二反应腔，以使形成所述第一氮化硅膜后的隔板的表面形成第二氮化硅膜。

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摘要：本发明涉及用于基底表面的疏水化的方法，并且可以用于制备提取和储存天然气样品用气体运载系统中的基底，例如用于储存气体的容器和供应管，用于石油和天然气工业中产品的品质控制用系统，用于化学分析实验室中，用于制造分析仪器和色谱仪，用于商业计量装置，用于测量主要天然气管道中的天然气和液化烃气体的量和品质特征的系统。用于基底的疏水化的方法包括包含准备至少一个基底表面和在至少一个基底表面上沉积非晶硅的步骤。基底表面准备步骤包括在25℃至35℃的温度下使用有机溶剂清洁表面，在20℃至30℃的温度下用无机酸的溶液处理表面，以及在惰性气体气氛中干燥基底表面。

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摘要：本发明涉及a‑Si:H的制备方法技术领域，具体来说是一种基于氢等离子体处理制备a‑Si:H薄膜的方法，包括步骤a.在沉积腔室中对SiH4分解沉积a‑Si:H薄膜；步骤b.停止沉积，将沉积腔室中的残余气体排出，而后向沉积腔室通入H2，并分解H2形成氢等离子体对非晶硅薄膜作用，交替采用步骤a和步骤b以最终获得设定厚度的a‑Si:H薄膜。本发明同现有技术相比，其优点在于：本发明所采取的周期性交替的氢等离子体处理工艺，通过中断低阶硅氢基元的产生或者刻蚀低阶硅氢基元含量高的a‑Si:H薄膜，从而显著改善钝化质量；将更多的原子氢注入a‑Si:H薄膜，以配合后期的高温快速热处理工艺，为填补a‑Si:H薄膜中的电学缺陷和饱和c‑Si表面的悬键态奠定基础，从而明显改善钝化质量。

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摘要：本发明提供了一种具有金刚石/碳化硅复合涂层的工具，包括工具基体，以及设置在所述基体上的多层涂层结构，所述多层涂层结构包括碳化硅/金刚石复合涂层，以及金刚石涂层，自基体表面向上，所述碳化硅/金刚石复合涂层和金刚石涂层依次交替排布形成多层结构，且所述多层涂层结构的顶层为金刚石涂层。本发明提供的多层涂层结构中的每一层中均含有金刚石相的连续生长，增强了各层之间的界面结合强度，能够有效降低涂层的内应力，增强薄膜与基体的粘附性，尤其是有利于抵抗工具在切削加工中产生的高强切应力，还可增强在整个涂层厚度方向的整体断裂韧性。本发明还提供了该具有金刚石涂层的工具的制备方法。

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摘要：本发明提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中，气相沉积设备包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热，使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应，以形成薄膜，从而更有效率地使用反应材料气体，避免了不必要的资源浪费。此外，由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热，所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案，因此对产品的良品率也有一定的提高。

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发明人：郑晓航;鲜怡;蔡逸飞;杨雅倩;蔡伟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/02
摘要：一种不锈钢表面碳纳米带防腐层的制备方法，它涉及不锈钢表面防腐层的制备方法。本发明要解决现有不锈钢材料在燃料电池的酸性环境中耐腐蚀性能差，在高温燃料电池中不锈钢的使用寿命短的问题。制备方法：一、将不锈钢置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，在一定压强、温度及射频功率的条件下，对不锈钢表面进行刻蚀处理；二、刻蚀结束后，关闭射频电源，通入氩气及甲烷气体，在一定压强、温度及射频功率的条件下进行沉积；三、沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入甲烷气体和氩气，真空冷却至室温，即完成不锈钢表面碳纳米带防腐层的制备方法。本发明用于不锈钢表面碳纳米带防腐层的制备。

沉积CVD金刚石涂层基体除油脱钴方法-201611247409.9
发明人：王聚云 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明提供一种沉积CVD金刚石涂层基体除油脱钴方法，其步骤包括：首先采用无水丙酮溶液浸泡硬质合金基体，得到预处理硬质合金基体；然后采用碱性清洗剂清洗所述预处理硬质合金基体，得到碱洗硬质合金基体；最后依次对所述碱洗硬质合金基体进行喷砂、氧等离子体清洗处理得到硬质合金除油基体，然后采用含有高氯酸的混合酸对所述硬质合金除油基体进行酸洗脱钴处理，从而得到洁净的沉积CVD金刚石涂层基体制得洁净的沉积CVD金刚石涂层基体。该方法步骤简单、除油效率高清洗彻底，并能提高金刚石薄膜与基体的附着力。同时在对硬质合金基体酸洗脱钴处理步骤后不需要再对其进行碱处理，对硬质合金刀具刃口损伤小，提高了该刀具的锋利度。

一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法-201811611380.7
发明人：孔令杰;李晓丽 -专利权人：合肥百思新材料研究院有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统及其工作方法，该系统包括安装壳体、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构，加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体的内壁处，升降调节机构包括升降托台、升降调节器、自动升降台、升降杆；加热机构包括加热器、防对流塞、石英腔体；淬火淀积机构包括进气腔体、进气阀门、进气口，进气腔体的顶部通过法兰与加热器密封连接。该系统在不破坏腔体环境的情况下可以将器件移动至另外一个温度区域实现不同薄膜的生长，把淬火装置和CVD复合膜制备有效的结合在一起。该系统结构简单，操作方便，在不需要降温相变的情况即可实现CVD薄膜生长，降低工艺时间的同时提高了器件质量。

一种金刚石涂层刀具的退涂方法-201611116715.9
发明人：许立;赵亚晴 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明涉及一种金刚石涂层刀具的退涂方法，属于涂层刀具技术领域，包括以下步骤：将金刚石涂层刀具放入微波等离子体化学气相沉积设备的腔室内，抽真空，然后通入氮气，使腔室内压力达到6~8kPa，设定微波的频率为2.45GHz，功率为3~6kW或者选用微波的频率为916MHz，功率不小于35kW的CVD涂层设备，升高温度至300~500℃，以200~300sccm通入氧气，保温，完成退涂，得到刀具基体。本发明方法简单，成本低廉，不使用对人体有危害的气体，能够有效去除金刚石涂层且无损基体，适用于规模化生产。

一种等离子体装置及其应用-201710707689.5
发明人：邢政;付凯;李华;崔志国 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开了一种等离子体装置及其应用。所述等离子体装置包括等离子体发生器、密封机构、第一电极、第二电极、第一电极板以及第二电极板；所述密封机构能够与薄膜沉积设备的真空腔室配合形成密封空间，第一电极及第二电极设置于密封机构上，第一电极分别与等离子体发生器和第一电极板连接，第二电极与第二电极板连接，第二电极还用于与薄膜沉积设备的外壳连接，第一电极板与第二电极板之间设有用以容置待处理样品的、可调的间距，该间距能够在等离子体发生器工作时形成等离子体区域。本发明的等离子体装置结构简单、灵活，可实现样品预处理与薄膜生长在同一真空环境下完成，避免转移时产生的二次污染问题以及半导体器件中的表面态问题。

一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法-201710153507.4
发明人：张琳;慈立杰;王旭天 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开了一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法。本发明采用本发明采用射频磁控溅射技术和化学气相沉积的方法，用六方氮化硼靶作为磁控溅射靶材，用有300nm二氧化硅的<100>晶向的硅基作为溅射衬底，通过在硅基上直接沉积硼氮薄膜作为催化剂，其上生长石墨烯，省去了溅射沉积金属催化剂的步骤，从而达到优化工艺，节约资源，降低成本的效果。同时通过控制化学气相沉积过程中的参数，使得制备得到的石墨烯一致性良好，具有较好的热和化学稳定性。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种隔板的处理方法在审

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