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[发明专利]一种玩具车用传动装置-CN202311069478.5有效
发明人：范华;曹育清;卢祖辉;黄新茂 -专利权人：深圳市比赛得科技有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A63H17/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种玩具车用传动装置，涉及玩具车技术领域，包括车底座，所述车底座四角处均设有车轮，所述车底座设置的每个车轮侧端均固定安装有浮力环，所述车底座上端设有玩具车壳体，所述玩具车壳体上端左侧设有前置摄像头，所述玩具车壳体上端右侧设有后置摄像头，本发明当两个转动圆块以及拨动齿下移到比四个车轮还要高的位置时，便会停止下移，此时即可通过控制该玩具车正常行驶的动力源带动转动圆块和拨动齿进行转动，多组拨动齿便会在泥地内进行拨动，从而对该玩具车的整体产生动力，进而可以在该玩具车四个出轮均打滑的状态下，也能从泥地内出来，无需玩家亲自的走到现场对玩具车进行救场，大大的提高了该玩具车的实用性。
一种玩具车传动装置

[发明专利]一种多功能玩具车及其组装工艺-CN202311112003.X在审
发明人：范华;曹育清;卢祖辉;黄新茂 -专利权人：深圳市比赛得科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B62K21/00 文献下载
摘要：本发明涉及玩具技术领域，特别公开了一种多功能玩具车及其组装工艺，包括玩具车底盘，所述玩具车底盘上转动安装有驱动轴，通过锥形齿轮四的转动会带动转轴三进行转动，通过转轴三的转动会带动转轴一转动，通过转轴一的转动会带动驱动齿轮转动，通过驱动齿轮的转动会带动齿条进行水平方向上的移动，通过齿条的移动会驱动两个前轮进行向左转向操作，儿童通过脚后跟踩压调节板的后端，使得调节板的前端抬起，后端往下，此时固定轴反方向转动，使得两个前轮向右转向操作，该玩具车，通过踩压调节板的前端或后端，能够辅助儿童调节该玩具车的转向操作，为一些手部残疾的儿童提供便利，提高了该多功能玩具车的实用性。
一种多功能玩具车及其组装工艺

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201710570324.2有效
发明人：邬新根;李俊贤;吴奇隆;汪洋;陈凯轩;刘英策;魏振东;周弘毅;蔡立鹤;黄新茂;蔡和勋;李耿诚 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201710213823.6有效
发明人：刘英策;宋彬;李俊贤;吴奇隆;汪洋;陈凯轩;魏振东;邬新根;周弘毅;蔡立鹤;黄新茂;林志伟;李永同;吕奇孟;蔡和勋;李耿成 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
通孔钝化保护层透明导电层第二电极半导体层第一电极衬底半导体层电电流阻挡发光效率外延结构电连接发光层量子阱点式交叠制作发光垂直贯穿覆盖

[发明专利]增加ESD保护的LED芯片及其制造方法-CN201610458487.7有效
发明人：邬新根;陈凯轩;李俊贤;张永;李小平;陈亮;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
增加 esd 保护 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种量子点白光发光二极管-CN201610557382.7有效
发明人：周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二极管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
一种量子白光发光二极管

[发明专利]一种增强光取出效率的LED芯片结构-CN201610557364.9有效
发明人：邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
一种增强取出效率 led 芯片结构

[发明专利]一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法-CN201610557040.5有效
发明人：邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
一种 led 芯片电极结构及其制造方法

[外观设计]木梯-CN201730499893.3有效
发明人： 黄新茂 -专利权人： 黄新茂
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： 25-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：木梯。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于协助登高。3．本外观设计产品的设计要点：设计要点在于形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计木梯登高图片

[发明专利]一种LED芯片结构及其制造方法-CN201610557066.X有效
发明人：邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
粗化粗化层透明导电层电流阻挡区衬底源层出光效率电流分布欧姆接触芯片表面锥形凸块区域性电极打线制造

[发明专利]一种AC-LED芯片及其制造方法-CN201610451334.X有效
发明人：邬新根;陈凯轩;李俊贤;张永;李小平;陈亮;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
透明导电层下台阶绝缘层芯片后端应用多芯片图形化正负极光效焊盘良率两组频闪联接制造生产

[发明专利]一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺-CN201610567049.4有效
发明人：蔡立鹤;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;周弘毅;邬新根;黄新茂;李小平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
一种等腰梯形发光二极管制备工艺

[发明专利]能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构-CN201610071720.6有效
发明人：陈亮;李俊贤;吴奇隆;魏振东;刘英策;李小平;邬新根;黄新茂;蔡立鹤;吕奇孟;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
增进横向电流扩散拥有反射表面 led 芯片电极结构

[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制作方法-CN201610259089.2有效
发明人：蔡立鹤;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;周弘毅;邬新根;黄新茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N‑GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N‑GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
一种垂直结构发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED-CN201610557381.2在审
发明人：周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。
一种 odr 结构倒装发光二极管制备方法高压 led

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