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[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110398809.4有效
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件包括衬底、缓冲体、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极。缓冲体设置在衬底上，并包括至少一层的氮化物半导体化合物。氮化物半导体化合物掺杂有受体，并位于缓冲体的最顶部。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上。栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极的轮廓和第二源极/漏极电极的轮廓相对于栅极呈现不对称，使得第一源极/漏极电极的底面相对于栅极电极比第二源极/漏极电极的底面更深。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211410654.2在审
发明人：何清源;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、至少一栅极结构、源极与至少一漏极、介电层以及至少一栅极覆盖层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上且其具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。至少一栅极结构设置于第二氮化物半导体层上。源极与至少一漏极设置于第二氮化物半导体层上，且栅极结构位于源极与漏极之间。介电层覆盖栅极结构。至少一栅极覆盖层，覆盖栅极结构且被介电层覆盖，且栅极覆盖层中靠近漏极的一端部漏极通过介电层间隔出一距离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003554.5有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一至第三氮基半导体层、源极电极、漏极电极和栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以便在其间形成具有二维空穴气体(2DHG)区域的异质结。第三氮基半导体层嵌入于第二氮基半导体层中，并与第一氮基半导体层隔开。第三氮基半导体层被掺杂以使其具有的第一导电类型不同于第二氮基半导体层的导电类型。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202211299236.0在审
发明人：叶朝栋;胡凯;何惠欣;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮基半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、氮化物导电层、第一栅电极以及第二栅电极。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。氮化物导电层设置在所述第二氮化物半导体层上。第一栅电极设置在所述氮化物导电层上，并与所述氮化物导电层形成第一交界面。第二栅电极设置在所述氮化物导电层上，并与所述氮化物导电层形成第二交界面，其中所述第一交界面与所述第二交界面为彼此分隔开的。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110398808.X有效
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并包括第一隔离化合物，第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一隔离化合物由至少一二维材料制成。二维材料包括金属元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。源极/漏极电极和栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。栅极电极位在源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件以及制造方法

[实用新型]针型电气连接的封装结构及电气组件-CN202220610109.7有效
发明人：姚卫刚;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开一种针型电气连接的封装结构及电气组件，该封装结构包括芯片，芯片上焊接有多根金属连接针，金属连接针的下端设置有焊接底座，焊接底座的横截面积大于金属连接针的横截面积，焊接底座位于芯片的上方；还包括塑封体，塑封体包裹芯片以及金属连接针的下部，金属连接针的上部穿出塑封体；还包括印刷电路板，印刷电路板设置于塑封体的上方，且金属连接针的上端与印刷电路板的电气线路电连接。该电气组件包括上述的针型电气连接的封装结构，印刷电路板上设置有电气元件，且塑封体的下方设置有散热器。本实用新型可以提升电气组件的制作效率，并且提高芯片的散热效果，延长电气组件的使用寿命。
电气连接封装结构组件

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202011211670.X有效
发明人：郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一及第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极结构、第一p型掺杂氮化物半导体凸块以及多个第二p型掺杂氮化物半导体凸块。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。源极、漏极及栅极结构设置于第二氮化物半导体层上，且漏极的至少一部分沿着第一方向延伸，栅极结构位于源极和漏极之间。第一p型掺杂氮化物半导体凸块设置于栅极结构与第二氮化物半导体层之间。第二p型掺杂氮化物半导体凸块从第二氮化物半导体层的顶面突出，且在栅极结构和漏极之间沿着第一方向排列。第二p型掺杂氮化物半导体凸块与漏极相邻，使得漏极比栅极结构更接近第二p型掺杂氮化物半导体凸块。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110316798.0有效
发明人：郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括氮化物半导体层、源极和漏极、栅极、第一及第二p型掺杂氮化物半导体层以及漏极场板。源极、漏极和栅极设置于氮化物半导体层上。且栅极位在源极和漏极之间。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于氮化物半导体层上，且位于栅极和漏极之间。第一p型掺杂氮化物半导体层包括分离的第一、第二及第三p型掺杂氮化物半导体岛。第二p型掺杂氮化物半导体岛位在第一与第三p型掺杂氮化物半导体岛之间。部分的漏极填充于第一、第二及第三p型掺杂氮化物半导体岛的间隔中。第二p型掺杂氮化物半导体层位于氮化物半导体层与栅极之间。漏极场板位于第一、第二及第三p型掺杂氮化物半导体岛的正上方。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180001585.7有效
发明人：胡凯;黄敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对第一电极、第二电极、掺杂的氮基半导体层和一对栅极电极。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上。第一和第二氮基半导体层共同具有有源部分和电绝缘部分，电绝缘部分是非半导电的并且围绕有源部分以在其间形成界面。第一电极设置在第二氮基半导体层上。第二电极设置在第二氮基半导体层上方且在第一电极之间。掺杂的氮基半导体层设置在第二氮基半导体层上方、在第一电极之间并围绕第二电极。栅极电极设置在掺杂的氮基半导体层上并且位于第二电极的相对侧。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]III族氮基半导体封装结构及其制造方法-CN202180000921.6有效
发明人：邱尚青;张雷;曹凯;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种III族氮基半导体封装结构，包括引线架、黏着层、III族氮基晶粒、封装材料和至少一接合线。引线架包括管芯座和引线。管芯座具有设置在管芯座的顶面中的第一和第二凹槽。第一凹槽位于顶面的相对中心区域附近。第二凹槽位于顶面的相对外围区域附近。从俯视观之，第一凹槽具有与第二凹槽不同的形状。黏着层设置在管芯座上以填充到第一凹槽中。III族氮基晶粒设置在黏着层上。封装材料封装引线架和III族氮基晶粒。第二凹槽填充有封装材料。接合线被封装材料封装。
iii 族氮基半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080001568.9有效
发明人： 黄敬源;李启珍 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004288.8在审
发明人：张晓燕;温家蔚;张玉龙;章晋汉;郝荣晖;李兴俊;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含氮化物基晶体管、第一金属层、第二金属层、第三金属层、源极垫和漏极垫。所述第一金属层安置于所述氮化物基晶体管之上。所述第二金属层安置于所述第一金属层之上。所述第三金属层安置于所述第二金属层之上且包含彼此间隔开的第一图案和第二图案。所述源极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。所述漏极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第二图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004173.9在审
发明人：郝荣晖;何川;何清源;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、掺杂的氮化物基半导体层、多个带负电离子、源极电极以及漏极电极。所述带负电离子选自高度电负性基团且分布在多个耗尽区内，所述耗尽区从所述掺杂的氮化物基半导体层向下延伸且位于栅极电极下方。任何一对相邻耗尽区彼此分离。所述源极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。所述漏极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003499.X在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003944.2在审
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极、栅电极和第三氮化物基半导体层。所述第一氮化物基半导体层具有至少一个沟槽。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上且与所述沟槽间隔开。所述源电极和所述漏电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方及所述源电极和漏电极之间，以便至少限定在所述栅电极和所述漏电极之间且与所述沟槽重叠的漂移区。所述第三氮化物基半导体层至少安置在所述沟槽中，并且从所述沟槽向上延伸以与所述第二氮化物基半导体层接触。
氮化物半导体装置及其制造方法