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[发明专利]具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310761579.2在审
发明人：王伟;何清源;郝荣晖;卢耿烽;郭海波;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法，包括外延层、第一氧化物层、第二氧化物层、扩散停止层、栅极、源极、漏极和场板，通过在第一氧化物层上生长扩散停止层，以防止第一氧化物层由于不受控制的扩散而导致扩散后剩余的氧化物层厚度不均匀，进而导致位于上方的场板底面倾斜无法形成等势体，避免了器件工作时由于电场分布不均匀引起的易击穿现象。设置扩散停止层后，使得位于扩散停止层上的场板底面所处的高度均匀稳定，工作时能够形成均匀的电场，提高氮化镓HEMT器件的耐压性。
具有板结氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种新型医用制氧机-CN202010754096.6有效
发明人：曾颖玥;何清源 -专利权人：湖南厚生医疗器械有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C01B13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型医用制氧机，包括制氧机本体、端盖、气罐、排气罩、吸附机和进气罩，所述制氧机本体内部底端设置有吸附机，所述吸附机上表面设置有气罐，所述制氧机本体上端内壁安装有压缩机，所述制氧机本体一侧外壁设置有端盖，所述端盖下端外壁开设有螺口，所述螺口外壁转动安装有消毒罐，所述端盖表面插接有进气管和排气管，所述进气管上端安装有进气罩，所述排气管一端贯穿制氧机本体外壁与压缩机一侧相连接，所述吸附机一侧外壁安装有贯穿制氧机本体外壁的氮气管，所述氮气管背离吸附机一端安装有排气罩。本发明可对制氧机本体吸入空气进行全面净化，提高制取氧气的洁净，同时还有效解决氮气排出影响制氧环境的问题。
一种新型医用制氧机

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001179.0有效
发明人：郝荣晖;何清源;陈扶;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、掺杂的III‑V族半导体层、栅极电极、第一和第二源极/漏极(S/D)电极。掺杂的III‑V族半导体层设置于第二氮基半导体层上，并且具有从掺杂的III‑V族半导体层的顶面向下延伸的第一和第二漏电流阻挡部。栅极电极设置于掺杂的III‑V族半导体层之上，其中栅极电极在第一和第二漏电流阻挡部之间具有一对相对的边缘。栅极电极的一个边缘与第一漏电流阻挡部分重合。第一漏电流阻挡部位于第一S/D电极和栅极电极之间。第二漏电流阻挡部位于第二S/D电极和栅极电极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN202211514252.7在审
发明人： 何清源;郝荣晖 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括氮化物鳍结构(fin structure)、氮化物半导体层、掺杂III‑V半导体层以及栅电极。氮化物鳍结构包括多个沿着第一方向配置的鳍片，且鳍片各自沿着第二方向延伸，其中第一方向与第二方向相异，氮化物鳍结构包括第一氮化物化合物。氮化物半导体层覆盖鳍片，并包括第二氮化物化合物，其中第二氮化物化合物的带隙大于第一氮化物化合物的带隙。掺杂III‑V半导体层，设置在氮化物鳍结构上，并至少具有第一部分以及第二部分，且鳍片位在第一部分与第二部分之间。栅电极设置在氮化物鳍结构上。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211410654.2在审
发明人： 何清源;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、至少一栅极结构、源极与至少一漏极、介电层以及至少一栅极覆盖层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上且其具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。至少一栅极结构设置于第二氮化物半导体层上。源极与至少一漏极设置于第二氮化物半导体层上，且栅极结构位于源极与漏极之间。介电层覆盖栅极结构。至少一栅极覆盖层，覆盖栅极结构且被介电层覆盖，且栅极覆盖层中靠近漏极的一端部漏极通过介电层间隔出一距离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210785274.0在审
发明人：廖航;何清源;周春华 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置结构包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一电极、场板以及温度敏感组件。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上。第一栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第二栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第一电极安置在第二氮化物半导体层上，并且位在第一栅极结构与第二栅极结构之间。场板自第一电极延伸至第一栅极结构以及第二栅极结构的上方。温度敏感组件位在第一电极的正上方。温度敏感组件的高度大于第一栅极结构以及第二栅极结构的高度，且温度敏感组件低于场板的上表面的高度。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置结构和其制造方法-CN202080002805.3有效
发明人：廖航;何清源;周春华 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体装置结构和其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一电极、第二电极、栅极结构以及温度敏感组件。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙。所述第一电极安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第二电极安置在所述第二氮化物半导体层上。所述栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上并且在所述第一电极与所述第二电极之间。所述温度敏感组件沿与所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层的界面平行的第一方向安置在所述栅极结构与所述第一电极之间的区域外部。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]水力压裂辅助综掘岩巷快速掘进方法-CN202210336208.5在审
发明人：姜全乐;何清源;陈伟崇;郝明;孙振军;赵永飞;杨宏飞;刘智兵;马建雄;高瑞峰 -专利权人：国能榆林能源有限责任公司;中国矿业大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水力压裂辅助综掘岩巷快速掘进方法，包括以下步骤：确定综掘工作面最小地应力方向；根据所述最小地应力方向，将所述压裂孔布置有多个，并且位于不同的位置；在每个所述压裂孔上开设多个间隔分布的径向切槽；使用高压水泵对每个所述压裂孔进行分段后退式水力压裂，从所述径向切槽处形成水力裂纹；调低高压水泵额定水压，对所述压裂孔进行保压注水。本发明中压裂孔布置在不同的位置，形成朝向不同方向的水力裂纹，更大程度上降低岩体强度和完整性，提高综掘效率。
水力辅助综掘岩巷快速掘进方法

[发明专利]一种基于注入流量和压力的硬岩水力压裂效果评价方法与装置-CN202210040158.6在审
发明人：周为军;张凯;韩昌伟;何清源;陈刚;巨峰;周峰;何海洋;杨峰 -专利权人：淮北矿业股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于注入流量和压力的硬岩水力压裂效果评价方法与装置。本装置包括压力传感器和高压水管，压力传感器包括压力传感器I和压力传感器II，压力传感器I设于高压水管的输入端，压力传感器II设于高压水管的输出端，压力传感器用于测量高压水管内水的压力；所述高压水管输入端与水泵连接，输出端与伸入压裂钻孔的压裂管连接。通过测量高压水管两处位置的压力，得到差压值，此差压值大小正比于流经高压水管管路的体积流量，采用泊肃叶定律由差压计算得到水力压裂注入水流量。本发明能够实现对煤矿井下硬岩水力压裂作业中的注水压力与流量进行准确的测量与计算，基于注入流量与压力，进而对水力压裂效果进行评价。
一种基于注入流量压力水力效果评价方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004173.9在审
发明人：郝荣晖;何川;何清源;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、掺杂的氮化物基半导体层、多个带负电离子、源极电极以及漏极电极。所述带负电离子选自高度电负性基团且分布在多个耗尽区内，所述耗尽区从所述掺杂的氮化物基半导体层向下延伸且位于栅极电极下方。任何一对相邻耗尽区彼此分离。所述源极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。所述漏极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方且与所述耗尽区间隔开。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003499.X在审
发明人： 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于氮化物的半导体装置和其制造方法-CN202180004254.9在审
发明人： 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种基于氮化物的半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、第一基于氮化物的晶体管和第二基于氮化物的晶体管。所述第一基于氮化物的晶体管应用2DEG区域作为其沟道并且包括第一漏电极，所述第一漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第一肖特基二极管。所述第二基于氮化物的晶体管应用所述2DEG区域作为其沟道并且包含第二漏电极，所述第二漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第二肖特基二极管，使得所述第一肖特基二极管和所述第二肖特基二极管连接到同一节点。
基于氮化物半导体装置制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003959.9在审
发明人： 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、源电极和漏电极，及栅极结构。所述栅极结构包含至少一个导电层和两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层。所述至少一个导电层包含金属，并且与所述第二氮化物基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体结。所述两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层与所述第二氮化物基半导体层接触且邻接所述导电层，以便与所述第二氮化物基半导体形成邻接所述金属‑半导体结的接触界面。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅沟槽MOS器件-CN201810992057.2有效
发明人：罗小蓉;何清源;廖天;张科;方健;杨霏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于：采用T字形槽栅结构，辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，减小导通电阻，同时提高击穿电压；采用P型埋层作为缓冲层，降低饱和电流，提高抗短路能力。相比于传统的碳化硅沟槽MOS器件，本发明不仅具有更低的导通电阻、更高的击穿电压，而且具有更好的抗短路能力。
一种碳化硅沟槽 mos 器件

[实用新型]一种医用多参数分析仪-CN202021543534.6有效
发明人： 何清源 -专利权人：湖南厚生医疗器械有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医用多参数分析仪，包括分析仪本体、存放槽、放置槽和底座，所述分析仪本体上端外壁一侧开设有检测槽，所述分析仪本体背离检测槽一侧外壁设置有显示屏本体，所述分析仪本体一侧外壁开设有存放槽，所述存放槽内部活动安装有收集盒，所述收集盒一侧外壁安装有把手，所述收集盒内部安装有分隔板，所述分隔板内部放置有等距平行分布的容器本体，所述存放槽内壁上端对称开设有放置槽。本实用新型设置存放槽、收集盒和放置槽，达到了便于存放容器本体的效果，便于工作人员拿取符合需要的容器本体进行使用，提高了工作人员的检测效率，保证容器本体存放环境符合需要，提高了设备实用性。
一种医用参数分析

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