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[发明专利]SONOS存储器及其制作方法-CN202010231443.7有效
发明人：齐瑞生;陆霄宇;刘政红;黄冠群;陈昊宇;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器及其制作方法。所述SONOS存储器的制作方法包括提供半导体基底，再刻蚀半导体基底上依次形成的ONO层、栅氧化层和栅极材料层，得到存储管栅极叠层和选择管栅极叠层，然后在各栅极叠层侧面形成侧墙，再在露出的半导体基底表面上形成外延层，接着在外延层表面以及存储管栅极叠层和选择管栅极叠层的上表面形成金属硅化物层。由于在外延层上形成金属硅化物层，金属硅化物层与各栅极叠层下的沟道区不在同一高度上，可以避免因金属硅化物扩延导致的存储器沟道区漏电，从而可以避免由于沟道区漏电干扰而导致的存储器失效的问题，可以提升SONOS存储器的可靠性和生产良率。本发明还提供一种SONOS存储器。
sonos 存储器及其制作方法

[发明专利]NMOS器件的制备方法-CN202010345511.2有效
发明人：梁启超;蔡彬;章晶;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种NMOS制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底。在介质层上形成应力层，与现有工艺中在两道侧墙完成之后沉积应力层相比，所述应力层与沟道之间距离缩短了，从而减少应力传递过程中的损失，增加了沟道的电子迁移率。然后，去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁。以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺，再去除剩余的所述应力层。故所述NMOS器件的制备方法不仅能够提高电子的迁移率，还减少工艺流程，降低成本，提高制备效率。
nmos 器件制备方法

[发明专利]嵌入式闪存栅氧化层工艺集成方法-CN202310747039.9在审
发明人：翟海涛;赵鹏;齐瑞生;黄冠群 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种嵌入式闪存栅氧化层工艺集成方法，包括：步骤S1，提供一衬底，对衬底进行预清洗处理；步骤S2，在衬底上一步同时形成位于I/O器件区的第一栅氧化层和位于核心器件区的第二栅氧化层，以实现I/O器件区的宽电压应用；步骤S3，在厚度相同的第一栅氧化层和第二栅氧化层上形成栅极材料层，然后在衬底上形成位于I/O器件区的第一栅极和位于核心器件区的第二栅极。相比现有的嵌入式闪存栅氧化层标准工艺，本申请提供的嵌入式闪存栅氧化层工艺集成方法节省一道反应前清洗、一道栅氧化层生长以及栅氧化层薄膜量测等工艺，可以实现嵌入式闪存产品栅氧化层生长及薄膜量测机台产能提高，达到降本增效的目的。
嵌入式闪存氧化工艺集成方法

[发明专利]一种SONOS器件的制作方法-CN202310562144.5在审
发明人：钱亚峰;张磊;黄冠群;熊凌昊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS器件的制作方法，提供硅基底，在硅基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成偶极子层；在偶极子层上形成绝缘层；在绝缘层上形成多晶硅控制栅。伴随着外加电场的增加，偶极子的倾斜角度也会同步增加，从而辅助编程和擦除过程中的量子隧穿效率，降低量子隧穿需要的电源电压，外电场撤去之后，偶极子剩余电场还会保留极性，从而让电荷更稳定的被保留在SIN存贮层，有利于存储器数据保持的可靠性。通过制造电偶极子来提升SIN捕获电子的能力与密度，从而提升存储器器件性能。
一种 sonos 器件制作方法

[发明专利]研究GNL3与肝癌发展的相关性的方法及GNL3作为肝肿瘤干细胞、肝癌标志物的用途-CN202010589536.7有效
发明人： 黄冠群;黄建洪;李培庆;王翀;姜春林;罗远卫;王松 -专利权人：广州医科大学附属第五医院
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明提供了一种研究GNL3与肝癌发展的相关性的方法，通过所述方法能够获取GNL3与肝脏肿瘤干细胞、肝癌发展的相关性，为进一步研究GNL3的作用机制提供基础，以便后续基于GNL3制备治疗肝癌的药物，促进肿瘤诊断、治疗领域的发展。还能验证GNL3作为肝脏肿瘤干细胞的特异性标志物，方便从肿瘤干细胞层面应用GNL3以制定靶向肝脏肿瘤干细胞的治疗方法或药物，突破现有治疗方案所受的复发、转移、耐药性制约，提高治疗效果。同时，基于GNL3作为一种标志物，本发明还提供了一种检测GNL3的产品在制备诊断肝癌、预测肝癌治疗预后情况、检测肝脏肿瘤干细胞的工具中的应用和GNL3基因在制备治疗肝癌的药物中的应用。
研究 gnl3 肝癌发展相关性方法作为肿瘤干细胞标志用途

[实用新型]泄水管及具有其的挡土墙泄水结构-CN202223452678.2有效
发明人：鲁涛;杨润浩;王伟铨;刘辉煌;黄伟圣;黄冠群;肖潇;许进杰 -专利权人：中建科工集团有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： E02D3/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种泄水管及具有其的挡土墙泄水结构，包括：外管和内管；外管呈两端开口的筒状；内管呈两端开口的筒状，内管可拆卸套设于外管内，内管内部填充有滤水材料；其中，外管包括有滤水段和排水段，滤水段用于插设于土层中，排水段用于固定于挡土墙内，滤水段的管壁设有多个通孔，内管设有对应通孔的穿孔，滤水材料至少填充于滤水段对应的内管内。本申请的泄水管不仅能够防止滤水材料在土层回填过程中被损坏；而且具有较高的泄水能力，使用安全度较高。
泄水具有挡土墙结构

[发明专利]嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法-CN202310166733.1在审
发明人：翟海涛;蔡彬;黄冠群 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本申请提供一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成氧化层；步骤S2，在氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的氧化层；步骤S4，去除掩膜层后，形成选择栅结构区域的栅氧化层。采用原位水汽生长工艺形成选择栅结构区域的栅氧化层，实现了选择栅结构区域的栅氧化层的独立制备，提高了选择栅控制漏电的能力，降低了漏电和功耗。
嵌入式 sonos 闪存选择结构氧化形成方法

[发明专利]提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及实现方法-CN202010693328.1有效
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及其实现方法，本发明通过在现有高压NLDMOS的外保护环的高浓度N型掺杂上先串联一个由非金属硅化多晶硅电阻再连接至电源端Vcc，可降低寄生NPN三极管一旦被误触发后落在寄生NPN三极管集电极的电压，避免该寄生NPN三极管被误触发后进入维持导通状态，从而提升该高压IO端的防负电流冲击模式的闩锁能力，减少高压器件NLDMOS内保护环的宽度，节省版图面积。
提升高压集成电路电流能力保护环实现方法

[发明专利]提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及实现方法-CN202010694335.3有效
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及实现方法，通过在现有保护环结构的高浓度P型掺杂(27)下方加入P型ESD离子注入(20)，并于所述P型ESD离子注入(20)的正下方加入低压P阱离子注入(21)，可实现提升高压集成电路防负电流冲击模式的闩锁能力，减少高压器件NLDMOS内保护环的宽度，节省版图面积的目的。
提升高压集成电路电流能力保护环实现方法

[发明专利]一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法-CN202310150280.3在审
发明人：周家民;齐瑞生;黄冠群;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明提供一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，半导体结构包括半导体基底，半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；半导体结构上表面设有覆盖选择栅区域的牺牲氧化层；SONOS区域以及牺牲氧化层上设有第一氧化层，第一氧化层上设有ONO层；SONOS区域上形成有光刻胶；去除SONOS区域上的光刻胶，将SONOS区域上的ONO层暴露；之后被暴露的SONOS区域上的ONO层上形成第二氧化层；去除第二氧化层；对半导体结构进行涂光刻胶，曝光和显影后选择栅区域被打开，SONOS区域上保留光刻胶；刻蚀去除选择栅区域上的所述ONO层和第一氧化层；去除选择栅区域上被暴露出的牺牲氧化层；去除半导体结构上剩余的光刻胶；在半导体结构上表面形成一层阻挡氧化层。
一种优化 sonos 存储器 ono 介质阻挡氧化均匀方法

[发明专利]改善MOS器件电性失配的方法-CN202310166717.2在审
发明人：翟海涛;赵鹏;齐瑞生;黄冠群 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种改善MOS器件电性失配的方法，提供衬底，对衬底表面进行无遮蔽的预非晶化离子注入；在衬底上形成光刻胶层，根据不同的器件区光刻打开光刻胶层，使得部分衬底裸露；对裸露的衬底进行轻掺杂源漏的离子注入，之后去除光刻胶层；重复上述的方法至每一个器件区完成轻掺杂源漏的离子注入。本发明的方法改善了MOS器件电性失配的问题，提高了器件良率。
改善 mos 器件失配方法

[发明专利]一种车辆的转向系统-CN202210496466.X有效
发明人：苗蕾;周尚谕;黄冠群;王甜;马雷霆 -专利权人：东风悦享科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B62D3/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种车辆的转向系统，其包括车架和两个转向轮，两个转向轮平行间隔设置与车架的两端，车架可以在地面上移动或在两条平行间隔设置的导向轨之间的地面上移动，还包括两个转向装置、转向杆、若干齿条和若干齿轮，两个转向装置平行间隔设置，转向装置与车架铰接，转向轮转动设置于转向装置上；转向杆的两端分别与两个转向装置铰接，各齿条分别固定安装于转向杆轴向延伸的各侧表面上；各齿轮分别对应转向杆轴向延伸的各侧表面设置，齿轮转动安装于车架上，各齿轮分别与各齿条啮合连接；转向杆选择性沿转向杆的轴向延伸方向移动。
一种车辆转向系统

[发明专利]作为肝细胞癌标志物的INAVA-CN202110363151.3有效
发明人：姜春林;黄冠群;任栋;刘阳萍;王翀;王松;罗远卫 -专利权人：广州医科大学附属第五医院
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明意外地发现INAVA表达产物在肝细胞癌和正常肝组织中差异表达，其中在肝细胞癌中上调表达，并且还发现通过减少体内INAVA表达产物水平，能够显著抑制肝细胞癌成瘤，因此，INAVA可作为肝细胞癌有效的诊断和治疗标志物。
作为肝细胞标志 inava

[发明专利]ZNF239作为肝癌诊治的靶标-CN202011557973.7有效
发明人：姜春林;黄冠群;任栋;刘阳萍;王翀;王松;罗远卫;李培庆 -专利权人：广州医科大学附属第五医院
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明首次证实了ZNF239表达水平在肝细胞癌患者中显著上调，并且沉默ZNF239在体内能够有效地抑制肝细胞癌成瘤，因此，通过定性或定量ZNF239表达水平能够用于诊断肝细胞癌患者，并且沉默ZNF239的制剂可用于制备肝细胞癌药物，为肝细胞癌的预防和治疗提供新途径。
znf239 作为肝癌诊治靶标

[外观设计]汽车感知部件固定支架（自动驾驶）-CN202230554708.7有效
发明人：苗蕾;高仕杰;黄冠群;黎志强 -专利权人：东风悦享科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车感知部件固定支架（自动驾驶）。2.本外观设计产品的用途：用于保护或固定自动驾驶车辆上车顶感知部件（激光雷达及摄像头）。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车感知部件固定支架自动驾驶

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