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[发明专利]SONOS存储器及其制作方法-CN202010231443.7有效
发明人：齐瑞生;陆霄宇;刘政红;黄冠群;陈昊宇;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器及其制作方法。所述SONOS存储器的制作方法包括提供半导体基底，再刻蚀半导体基底上依次形成的ONO层、栅氧化层和栅极材料层，得到存储管栅极叠层和选择管栅极叠层，然后在各栅极叠层侧面形成侧墙，再在露出的半导体基底表面上形成外延层，接着在外延层表面以及存储管栅极叠层和选择管栅极叠层的上表面形成金属硅化物层。由于在外延层上形成金属硅化物层，金属硅化物层与各栅极叠层下的沟道区不在同一高度上，可以避免因金属硅化物扩延导致的存储器沟道区漏电，从而可以避免由于沟道区漏电干扰而导致的存储器失效的问题，可以提升SONOS存储器的可靠性和生产良率。本发明还提供一种SONOS存储器。
sonos 存储器及其制作方法

[发明专利]一种智慧体育场馆分布式通风管道及其施工方法-CN202211536573.7在审
发明人：司马军辉;黄贤勇;陆霄宇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： F16L3/10 文献下载
摘要：本发明涉及分布式通风管道技术领域，具体为一种智慧体育场馆分布式通风管道及其施工方法，包括卡接在夹持机构内部的分布式通风管道，每两个分布式通风管道之间连接有金属连接件，金属连接件上设置有制动件，制动件包括制动把手和挤压板，挤压板的两端均连接有挤压块，所述挤压块与所述弹性夹持片的内侧面相抵，所述制动把手用于拉动是制动把手。本发明在两个分布式通风管道卡接到金属连接件的内部后，通过转动制动件带动传动轴向外运动，挤压板上的挤压块对弹性夹持片进行挤压，使弹性夹持片发生形变并对分布式通风管道的内侧面进行挤压，结构简单，无需使用额外的工具，操作方便，作业的时间也相应的降低，大大提升施工的效率以及提高作业人员的安全系数。
一种智慧体育场馆分布式通风管道及其施工方法

[发明专利]一种基于智慧体育场馆安全管理的异常点追踪设备-CN202211442748.8有效
发明人：刘星;黄贤勇;刘长远;陆霄宇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04N7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于智慧体育场馆安全管理的异常点追踪设备，应用在智慧体育场馆技术领域，本发明通过设置环绕机构，通过移动组件和驱动组件的配合使用下，并将移动组件安装在观众席的防护围栏上，使为驱动组件提供移动移动路径，从而便于检测机构在智慧体育场馆内在环绕监控工作，通过设置检测机构，通过方位调整组件和升降组件的配合使用下，可以对智慧体育场馆内进行突发异常点的持续追踪工作，使得可以便于工作人员可以及时对突发异常点进行处理，同时还可与现有监控方法结合，对其场内安全管理监控工作可以较为全面。
一种基于智慧体育场馆安全管理异常追踪设备

[发明专利]存储器的形成方法-CN202010159638.5有效
发明人： 陆霄宇;齐瑞生;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括衬底，位于衬底正面的遂穿氧化层、第一氮化硅层和第一顶部氧化硅层，以及位于衬底背面的底部氧化硅层、第二氮化硅层和第二顶部氧化硅层；去除第一顶部氧化硅层和第二顶部氧化硅层；在第一氮化硅层上形成第三顶部氧化硅层，同时，第二氮化硅层下方也形成了不均匀的第四顶部氧化硅层；在SONOS区域的第三顶部氧化硅层上形成保护层；刻蚀第四顶部氧化硅层；去除非SONOS区域的第三顶部氧化硅层；去除保护层，去除非SONOS区域的第一氮化硅层和第二氮化硅层。最终，解决了刻蚀过程中衬底背面产生不均匀ONO的问题，避免了由于质量不均带来的晶圆翘曲等问题。
存储器形成方法

[实用新型]一种方便使用的智能自助一体机-CN202022719437.4有效
发明人：刘星;刘长远;陆霄宇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便使用的智能自助一体机，涉及智能自助一体机技术领域。本实用新型包括本体、支杆和滤网，本体上表面设置有显示屏和开关，本体下表面固定连接有第一箱体和第二箱体，第一箱体一侧面固定连接有第一连接管，本体下表面固定连接有第二连接管。本实用新型通过风机工作，将散热槽内的空气吸入到第二箱体内，由于空气流动，自助一体机产生的热量将会被清除，同时风机工作可以将第一箱体内的空气吸入到第二箱体内，从而将空气中的灰尘吸入到第二箱体内，通过滤网过滤，使灰尘沉积在第二箱体内，一体机不仅能够有效的散热，还能吸收空气中的灰尘，有利于保护人们的生命健康。
一种方便使用智能自助一体机

[实用新型]一种运行稳定的智能受理终端设备-CN202022709358.5有效
发明人：司马军辉;刘长远;陆霄宇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种运行稳定的智能受理终端设备，涉及智能终端设备技术领域。本实用新型包括本体和显示屏，本体上表面设置有凹槽，显示屏设置在凹槽内部，显示屏与本体活动连接，本体左侧面固定连接有第一固定块，第一固定块一侧面固定连接有第一壳体，第一壳体内部设置有接线管，接线管与第一固定块固定连接，第二固定块一侧面固定连接有第二壳体，第二壳体内部设置有接线柱。本实用新型通过将第二壳体插入第一壳体内，然后拧动固定罩，使固定罩的一端在第二固定块的外表面，使固定罩的另一端在第一壳体的外表面，从而将第二固定块与第一壳体固定连接形成一个整体，使电线与设备固定的更加牢固，方便人们使用。
一种运行稳定智能受理终端设备

[实用新型]一种具备时间提示功能的淋浴设备-CN202021059667.6有效
发明人： 陆霄宇;司马军辉;刘长远;黄贤勇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： E03C1/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具备时间提示功能的淋浴设备。包括有固定板、升降机构和淋浴设备本体，所述升降机构固定安装在固定板上，所述淋浴设备本体包括有输送管道和喷头，所述输送管道固定安装在升降机构的输出端上，所述喷头固定安装在输送管道的上端，所述输送管道的下端固定安装有电动阀门，所述固定板的下端固定安装有固定架，所述固定架上固定安装有控制器，所述固定板位于固定架的上方，还固定安装有控制机构，所述控制机构包括有连接杆、承接筒、沙漏本体和固定安装沙漏本体的安装架，所述连接杆固定安装在固定板上，所述承接筒可拆卸安装在连接杆的端部。本实用新型提供的具备时间提示功能的淋浴设备具有可以提示淋浴时间作用。
一种具备时间提示功能淋浴设备

[实用新型]一种场馆用灯控装置-CN202021058429.3有效
发明人：司马军辉;陆霄宇;刘长远;黄贤勇 -专利权人：南京运享通信息科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H05B47/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种场馆用灯控装置。包括有升降机构、连接板、安装板、灯控装置本体和固定装置，所述升降机构的输出端固定设置有固定板，所述安装板固定设置在固定板的下方，所述连接板的两端分别固定连接在安装板和固定板上，所述固定装置包括有平行滑动设置在安装板上的滑动板，所述左侧的滑动板的前端以及右侧的滑动板的后端均固定安装有夹板，所述灯控装置本体固定设置在两个夹板之间，所述安装板上还固定安装有驱动两个滑动板向相反的方向滑动的驱动机构，所述驱动机构包括有齿轮和轴接在两个滑动板中间的转轴，所述齿轮固定设置在转轴的上端。本实用新型提供的场馆用灯控装置具有固定效果好，可以升降便于控制作用。
一种场馆用灯控装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010719304.9在审
发明人： 陆霄宇;齐瑞生;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，由于通过对半导体衬底内的有源区的顶部拐角进行圆化处理，从而使形成在所述圆化处理后的所述有源区上的ONO堆叠结构的拐角的形状为圆弧，且所述有源区拐角上的隧穿氧化层厚度和其他区域的隧穿氧化层厚度基本相同，从而避免了在对相应的存储单元施加编程电压/擦除电压时，在有源区的拐角处发生尖端放电现象的问题，由此使得有源区的拐角处的电场强和其他正常区域相近，且在存储数据时有源区拐角处的隧穿介质层和有源区其他区域的隧穿介质层遇到基本相同的电子/空穴隧穿情况，避免造成该处存储单元的ONO叠层结构存储的电子/空穴容易丢失的问题，进而改善了最终形成的半导体存储器件的可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]SONOS存储器的ONO结构形成方法-CN201910173446.7在审
发明人： 陆霄宇;张强;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器的ONO结构形成方法，此方法在SONOS存储区上设置掩模层，并以此掩模层为阻挡，去除非SONOS存储区的第一阻挡氧化层，然后通过依次去除所述掩模层、非SONOS存储区的氮化层以及SONOS存储区的第一阻挡氧化层和非SONOS存储区的隧穿氧化层，最后再在半导体基底上重新生成第二阻挡氧化层，得到设置在所述SONOS存储区的ONO结构。本发明提供的SONOS存储器的ONO结构形成方法不会对SONOS存储区的ONO叠层乃至半导体基底产生影响，故无需预先设置SONOS存储区和非SONOS存储区之间的重叠区。进而克服了现有工艺在SONOS存储区和非SONOS存储区之间形成重叠区叠层导致基底表面不平整以及限制了工艺窗口的问题。
阻挡氧化层掩模层半导体基底重叠区隧穿氧化层工艺窗口基底表面预先设置重新生成氮化层叠层去除平整阻挡

[发明专利]一种含石墨烯的含氟聚酰亚胺复合耐腐蚀涂层的制备方法-CN201610744275.5在审
发明人：孙静;贾营坤;王焱;陆霄宇;翟海涛;陆冠宏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C09D179/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种含石墨烯的含氟聚酰亚胺复合耐腐蚀涂层的制备方法，所述制备方法包括：采用溶剂置换法将氧化石墨烯分散在高沸点有机溶剂中，加入非离子表面活性剂，于160～200℃下溶剂热反应12～48小时后，得到石墨烯有机溶剂分散液；在石墨烯有机溶剂分散液中加入等摩尔比的二酐单体和含氟二胺单体，原位聚合12～48小时后得到含石墨烯的聚酰胺酸浆料；将所得含石墨烯的聚酰胺酸浆料通过旋涂工艺在金属基体上成膜，然后在160℃～480℃下热亚胺化5～60分钟，得到所述含石墨烯的含氟聚酰亚胺复合耐蚀涂层。本发明以含氟聚酰亚胺为基体，制备了耐高温且具有良好光学透明性的石墨烯含氟聚酰亚胺复合耐蚀涂层。
一种石墨聚酰亚胺复合腐蚀涂层制备方法

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