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[发明专利]数据检测方法以及装置-CN202310574592.7在审
发明人：黄也 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：本说明书实施例提供数据检测方法以及装置，其中所述数据检测方法包括：获取低代码应用对应的基准应用文件，以及与基准应用文件的应用版本信息不同的目标应用文件；在基准应用文件和目标应用文件中分别进行数据提取，根据数据提取结果生成待检测应用数据，并根据待检测应用数据对应的数据类型确定数据检测规则；按照数据检测规则对待检测应用数据进行变更检测，根据检测结果确定目标应用文件对应的应用变更数据；根据目标应用文件对应的文件类型选择目标展示组件，并通过目标展示组件生成包含应用变更数据的数据检测页面。通过包含应用变更数据的检测页面，使得用户能够直观了解到低代码应用的版本差异，提高用户对于应用版本迭代的感知度。
数据检测方法以及装置

[发明专利]一种用于半导体传送腔顶盖的翻盖装置-CN202210511249.3有效
发明人：佘鹏程;石任凭;黄也;张双景 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： E05F11/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体传送腔顶盖的翻盖装置，包括：装置本体、驱动组件、传动组件、限位组件和连接组件；装置本体包括安装顶板、安装底座和背板，安装顶板与安装底座通过背板进行连接；安装顶板上方安装有驱动组件，安装顶板下方安装有传动组件，传动组件的一端与驱动组件的输出端连接，传动组件的另一端与连接组件连接；连接组件安装在安装底座上，用于连接半导体传送腔的顶盖；限位组件设置在连接组件外周，用于辅助连接组件进行升降和翻转；在驱动组件的驱动下，传动组件带动连接组件进行升降和翻转，以实现顶盖升降和翻转。本发明具有结构紧凑、操作简单、传动稳定且集成度高等优点。
一种用于半导体传送顶盖翻盖装置

[发明专利]用于Trench MOS的金属-半导体接触结构及其制备方法和应用-CN202211203015.9在审
发明人：邓启华;潘恒;黄也 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种用于Trench MOS的金属‑半导体接触结构及其制备方法和应用，该结构的制备步骤包括：在半导体基体的沟槽表面沉积金属接触层；采用化学气相沉积法和物理气相沉积法依次在金属接触层表面沉积第一阻挡层和第二阻挡层。本发明制备的金属‑半导体接触结构具有均匀性好、粘附性强、导通电阻低等优点，有利于提升器件的耐压性能，适用于制备性能可靠的Trench MOS器件，同时本发明制备方法，在工艺制程上能满足TrenchMOS接触孔导通电阻以及其他参数指标的结构以及配比，不仅有利于更小制程的实现，也有利于改善生产线的生产效率、良率和产能，能确保大规模生产，使用价值高，应用前景好。
用于 trench mos 金属半导体接触结构及其制备方法应用

[发明专利]信息交互方法、装置以及设备-CN202210819603.9在审
发明人：王磊;王谧;高伟;刘伯剑;黄也;龙梓楠;郭二虎 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04L51/04 文献下载
摘要：本申请提供一种信息交互方法、装置以及设备。该方法可以应用于用户群组中的第一客户端，包括：在该用户群组的即时通讯IM界面显示交互卡片，并接收用户通过该交互卡片输入的交互信息，该交互信息发布于该用户群组对应的交互空间，该交互空间为该用户群组中各客户端发布交互信息的虚拟空间。提高了交互空间的交互体验。
信息交互方法装置以及设备

[发明专利]一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法-CN202210242955.2在审
发明人：佘鹏程;程文进;范江华;黄也;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法，包括溅射腔体、基片台、溅射组件、绝缘环、适配板和离子化线圈组件，适配板位于溅射腔体上部，溅射组件位于溅射腔体顶部，溅射组件通过绝缘环与适配板绝缘密封布置，基片台位于溅射腔体内，离子化线圈组件位于溅射腔体内，位于基片台和溅射组件之间，离子化线圈组件包括离子化线圈，溅射组件包括溅射靶材，溅射靶材的材质与离子化线圈相同；基片台与第一射频电源连接；离子化线圈与第二射频电源连接。其制备方法是采用以上装置进行镀膜处理。本申请金属自离子化装置，具有结构简单、镀膜均匀性好、沉积效率高等优点，可以实现深孔孔洞中阻挡层薄膜的沉积，使用价值高，应用前景好。
一种用于 pvd 金属离子化装置镀膜方法

[实用新型]一种离子源屏蔽装置-CN202120441660.9有效
发明人：范江华;佘鹏程;程文进;罗超;刘宇;黄也 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子源屏蔽装置，包括矩形支架，所述矩形支架的至少一长边上设有多个束流修正块，相邻两个所述束流修正块接触，各所述束流修正块可沿所述矩形支架的短边方向移动，所述矩形支架和所述束流修正块均为不导磁材料。该离子源屏蔽装置，矩形支架和束流修正块均为不导磁材料，能够提升离子束加工的均匀性，多个束流修正块安装于矩形支架上形成整体修正形状，各束流修正块可沿矩形支架的短边方向移动，可灵活调整束流修正块的整体修正形状，离子束被束流修正块部分遮挡，从而调整矩形离子源轰击到工件的束流分布，提升离子束加工的均匀性，提高生产效率。
一种离子源屏蔽装置

[发明专利]一种基于氮和碳稳定同位素的林下山参与园参的鉴别方法-CN202110683685.4在审
发明人：窦德强;朱莲莲;刘雪莹;黄也 -专利权人：辽宁中医药大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮和碳稳定同位素的林下山参与园参的鉴别方法。具体涉及通过二者的氮和碳稳定同位素比值δ15N（15N/14N）和δ13C（13C/12C）区分林下山参和园参。采用元素分析仪（elementary analyzer，EA）‑稳定同位素比例质谱仪（Isotope ratio mass spectrometer，IRMS）联用技术，以δ15N和δ15N/δ13C作为分析指标，林下山参和园参可以被完全区分，园参中δ15N‑1.00，林下山参中δ15N‑1.00；林下山参中δ15N/δ13C0.05，园参中δ15N/δ13C0.05。本发明具有样品用量少、简单，方法精密度和重复性较高的优点，通过氮和碳稳定同位素比值能够成功实现对林下山参和园参药材及提取物的快速、准确鉴定。
一种基于稳定同位素林下参与鉴别方法

[发明专利]一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法-CN202110063766.4在审
发明人：范江华;胡凡;龚俊;刘宇;黄也;程文进 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束刻蚀设备及其刻蚀方法，该离子束刻蚀设备包括装卸片腔室、用传送基片的传送腔室和至少一个用于刻蚀腔室，装卸片腔室和刻蚀腔室分别连接在传送腔室上，装卸片腔室、刻蚀腔室与传送腔室之间设有隔离阀，传送腔室内设有转运机构。刻蚀方法是采用上述的设备对基片进行刻蚀。本发明离子束刻设备，包括：装卸片腔室，用于存放不同类型的基片，一次装卸即可放入多种不同类型的基片，传送腔室，实现基片在装卸片腔室和刻蚀腔室之间的传送，至少一个的刻蚀腔室，可实现对多个基片进行同时刻蚀，该设备能够满足基片(如红外器件)对大尺寸、低损伤、低温刻蚀工艺的要求，可实现连续生产，提高生产效率，降低生产成本。
一种离子束刻蚀设备及其方法

[实用新型]一种预防近视的高度可调节课桌-CN201822070777.1有效
发明人：黄也 -专利权人：黄也
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： A47B41/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种预防近视的高度可调节课桌，包括桌面、桌体以及两个支撑腿，桌面固定于桌体的顶部，两个支撑腿分别设于桌体的下部，支撑腿的顶端设于滑槽A内且与滑槽A的内壁滑动连接；横梁的两端与桌体之间均设有手动伸缩杆，手动伸缩杆的一端均与桌体固定连接；桌体内与桌面相对设有置放板，置放板的板体边缘与桌体的内壁活动连接，桌体的两端均固定设有手动升降机构，两个手动升降机构分别与置放板的两端传动连接用于驱动置放板靠近或远离桌面。本实用新型能够对课桌的书本存放容量进行调节，同时桌面的高度调节可以减少学生因身高原因趴在桌面上学习，降低学生近似、驼背等风险。
桌体置放板桌面支撑腿手动升降机构本实用新型手动伸缩杆滑槽课桌高度可调节板体边缘传动连接高度调节活动连接内壁滑动书本存放预防近视驼背横梁内壁近似身高学生体内驱动学习

[发明专利]一种具有阶梯分离栅L型槽横向器件-CN201910585439.8在审
发明人：吴丽娟;丁启林;黄也;朱琳;陈家祺 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有阶梯分离栅L型槽功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入阶梯栅构成金属‑半导体‑氧化物(MIS)结构。在关态时，栅极浮空场板自适应漂移区中的施主离子，起到辅助耗尽漂移区作用，栅场板引入额外的电场尖峰，调节器件纵向电场，提高器件的整体耐压。L型槽在保持高耐压的同时极大缩短了漂移区的长度，降低了器件的比导通电阻。
漂移区分离栅功率半导体技术比导通电阻电场尖峰调节器件功率器件横向器件施主离子纵向电场高耐压阶梯栅栅场板自适应引入氧化物场板浮空关态耐压耗尽半导体金属

[发明专利]一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件-CN201811101522.5在审
发明人：吴丽娟;雷冰;张席旗;张银艳;朱琳;黄也 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件，属于半导体功率器件技术领域。由于常规横向超结功率器件中存在衬底辅助耗尽（Substrate Assisted Depletion,SAD）效应，所以本发明是在常规横向超结功率器件的超结层和衬底之间引入从源到漏厚度线性增加的渐变式电荷补偿层。实现了对超结PN条的线性补偿，同时可以优化漂移区内的电场分布，从而屏蔽超结器件SAD效应，实现超结层的电荷平衡，最终带来高的击穿电压和低的比导通电阻。采用本发明可获得各种性能优良的具有渐变式电荷补偿层的高耐压低比导横向超结功率器件。
功率器件电荷补偿渐变式横向超结超结常规横向超结层衬底半导体功率器件漂移厚度线性增加比导通电阻超结器件电场分布电荷平衡击穿电压线性补偿屏蔽耗尽引入优化

[发明专利]一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件-CN201810863748.2在审
发明人：吴丽娟;黄也;朱琳;雷冰;吴怡清;张银艳 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入分离栅，增加栅极和漏极之间栅氧化层的厚度来降低栅漏电荷Q_GD，同时优化体电场分布，提高器件的击穿电压；在介质槽内引入双纵向场板，源纵向场板减小了栅漏之间的接触面积，进一步降低了器件的栅漏电荷Q_GD，并且辅助耗尽漂移区降低器件的导通电阻，进一步调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压；利用纵向RESURF技术在介质槽右侧引入纵向P柱，进一步调制器件的体内电场，提高器件击穿电压。最终达到降低栅漏电荷、提高器件耐压以及降低比导通电阻的目的。
纵向场栅漏电荷分离栅调制器件功率器件击穿电压介质槽漂移区槽型引入体内功率半导体技术器件击穿电压比导通电阻电场导通电阻电场分布降低器件栅氧化层体电场减小漏极耐压栅漏耗尽优化

[发明专利]一种具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结功率器件-CN201810727298.4在审
发明人：吴丽娟;吴怡清;朱琳;黄也;雷冰;张银艳 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的高耐压低比导部分超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明是在常规部分超结结构中引入变k埋层，在开态时，部分超结提供电流的低阻通道，降低器件的比导通电阻；关态时，低k埋层可以提高器件的纵向电场从而提高器件的耐压。本发明从源到漏浓度增加的超结中的N条可以抑制超结的衬底辅助耗尽效应，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结半导体功率器件。
超结埋层半导体功率器件功率器件比导通电阻超结结构低阻通道电荷平衡耗尽效应降低器件浓度增加纵向电场超结层衬底关态开态耐压引入

[发明专利]一种具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结功率器件-CN201810727522.X在审
发明人：吴丽娟;吴怡清;朱琳;黄也;张银艳;雷冰 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及的高耐压低比导的超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规超结结构中引入分段P型埋层，该P型埋层位于漂移区和衬底之间。引入的分段P型埋层辅助耗尽N型漂移区，降低开态时器件的比导通电阻，在关态时调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压。从源到漏长度渐变的P型埋层可以优化漂移区内的电荷分布，在源端减少漂移区对于超结层的电荷补偿而在漏极一侧增加漂移区对超结层的电荷补偿，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结半导体功率器件。
分段超结层漂移区半导体功率器件电荷补偿功率器件横向超结漂移比导通电阻超结结构电场分布电荷分布电荷平衡调制器件击穿电压引入渐变超结衬底关态开态漏极源端耗尽体内优化

[发明专利]一种带有双栅的变K槽型LDMOS-CN201810695355.5在审
发明人：吴丽娟;朱琳;黄也;吴怡清;张银艳;雷冰 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的带有双栅的变K槽型LDMOS属于功率半导体器件技术领域。本发明相对于传统结构具有以下三个特点：（1）在N型漂移区引入双介质槽以折叠漂移区，提高器件的耐压。（2）利用双RESURF技术在双槽之间引入的垂直P柱可以将等势线延伸至漂移区底部从而充分利用器件漂移区，调制器件体内电场可进一步提升器件的击穿电压还可大幅提高漂移区浓度降低比导通电阻。（3）当器件开启时双栅会给电流提供双导通沟道，从而降低器件的比导通电阻。本发明的有益效果为，具有比导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，尤其适用于超低比导通电阻的横向高压半导体功率器件。
比导通电阻漂移区双栅槽型耐压半导体功率器件功率半导体器件传统结构电流提供调制器件横向高压击穿电压降低器件浓度降低提升器件电场等势线双介质引入折叠导通沟道双槽垂直体内延伸

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