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[发明专利]集成启动管、采样管和电阻的高压超结DMOS结构及其制备方法-CN202010235409.7有效
发明人：李加洋;胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了集成启动管、采样管和电阻的高压超结DMOS结构。主MOS管、启动MOS管和采样MOS管的漏极连接在一起，采样MOS管的栅极连接主MOS管的栅极，启动MOS管的栅极经多晶电阻与启动MOS管的漏极连接；各MOS管通过N柱与P柱交替排列形成超结结构；相邻两个MOS管之间设置隔离结构，在每个隔离区，通过Ring注入将各P柱的顶端连接在一起，从而形成耐压环。本发明提高了电路的集成度，降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
集成启动采样电阻高压 dmos 结构及其制备方法

[实用新型]一种双管芯器件-CN201920954924.3有效
发明人：张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双管芯器件。本实用新型当从漏极加压时，P‑体区扩展和N‑外延层形成耗尽层，源区底部的耗尽层和终端区的耗尽层缓变并截至于终端，从而弱化芯片边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。本实用新型将连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。通过以上改进，本实用新型的器件的击穿电压约可提高11％，导通电阻约可降低3.3％。
本实用新型耗尽层击穿电压接触区连接孔混合气体形成反向漏电流寄生三极管导通电阻混合气体基区电阻降低器件椭圆形状芯片边缘终端结构电场保护膜双管芯外延层月牙状终端区导通缓变减小刻蚀漏极体区源区加压弱化终端扩散制作改进

[实用新型]一种通过连接孔改善UIS的功率器件-CN201920955855.8有效
发明人：张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过连接孔改善UIS的功率器件。该方法在介质层上侧进行孔涂胶及曝光处理，在第一混合气体下将源区上侧的介质层和栅氧化层刻蚀出第一连接孔；在第二混合气体下将第一连接孔下侧的源区和体区内刻蚀出第二连接孔；向第二连接孔下侧的体区内进行孔注入和退火操作，以形成月牙状的接触区。本实用新型通过将源区连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。
连接孔混合气体接触区刻蚀源区本实用新型介质层月牙状混合气体形成退火寄生三极管功率器件基区电阻曝光处理椭圆形状栅氧化层保护膜导通减小涂胶扩散制作

[发明专利]一种集成功率器件及其制作方法-CN201911073746.4在审
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及一种集成功率器件及其制作方法，属于半导体技术领域。该器件包括：第一类型衬底，间隔设置于第一类型衬底上的主功率器件和至少一个从功率器件，在每个从功率器件的外围区域的衬底上设置的第二类型掺杂环。该第二类型掺杂环使得外围区域形成交错排布的P型环和N型环，第一类型为N型、第二类型为P型，或，第一类型为P型、第二类型为N型。在每个从功率器件的外围区域的衬底上设置第二类型掺杂环，使得外围区域形成交错排布的P型环和N型环，从而在从功率器件的外围形成一个或多个PN结结构，实现从功率器件与从功率器件/主功率器件之间的隔离。
功率器件外围区域衬底主功率器件掺杂交错排布半导体技术领域集成功率器件间隔设置外围隔离制作申请

[发明专利]一种终端沟槽结构的双管芯器件及其制作方法-CN201910550117.X有效
发明人：张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端沟槽结构的双管芯器件及其制作方法。本发明当漏极加压时，P‑体区和N‑外延层形成耗尽层，并截至于终端，通过终端沟槽栅氧耐压来提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。P‑体区为一个整体结构，无需在制作P‑体区前在栅氧化层上侧涂胶光刻。将连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。通过以上改进本发明的器件的击穿电压约可提高8%，导通电阻可降低0.6％。
终端沟槽体区击穿电压接触区连接孔双管芯制作混合气体形成反向漏电流寄生三极管导通电阻混合气体基区电阻降低器件椭圆形状栅氧化层终端结构保护膜耗尽层外延层月牙状导通光刻减小刻蚀漏极耐压涂胶栅氧加压终端扩散改进

[实用新型]一种改善EMI的MOSFET-CN201921370993.6有效
发明人：李加洋;胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善EMI的MOSFET。包括衬底和外延层，外延层上侧长有栅氧化层，栅氧化层上侧沉积有栅极多晶，栅极多晶具有固定电阻率，栅极多晶上侧沉淀有介质层，介质层上刻蚀有第一连接孔和第二连接孔，介质层上侧间隔设有条栅金属引线和栅开窗金属，条栅金属引线和栅开窗金属分均与栅极多晶连接。本实用新型通过将条栅金属引线与栅开窗金属分开，并分别通过第一连接孔和第二连接孔与栅极多晶连接，进而在第一连接孔与第二连接孔之间的栅极多晶形成增加的栅极电阻的一部分，从而提高栅极电阻值，进而提高MOSFET的EMI；调节第一连接孔与第二连接孔之间的距离，使得栅极电阻值线性可调，从而适用于不同EMI需求的MOSFET。
连接孔多晶金属引线栅极电阻介质层开窗条栅本实用新型栅氧化层外延层金属上侧间隔线性可调电阻率衬底刻蚀沉积沉淀

[发明专利]一种双管芯器件及其制作方法-CN201910551292.0在审
发明人：张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种双管芯器件及其制作方法。本发明当从漏极加压时，P‑体区扩展和N‑外延层形成耗尽层，源区底部的耗尽层和终端区的耗尽层缓变并截至于终端，从而弱化芯片边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。本发明将连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。通过以上改进，本发明的器件的击穿电压约可提高11％，导通电阻约可降低3.3％。
耗尽层击穿电压接触区连接孔双管芯制作混合气体形成反向漏电流寄生三极管电场导通电阻混合气体基区电阻降低器件椭圆形状芯片边缘终端结构保护膜外延层月牙状终端区导通缓变减小刻蚀漏极体区源区加压弱化终端扩散改进

[发明专利]一种通过连接孔改善UIS的方法及功率器件-CN201910550408.9在审
发明人：张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过连接孔改善UIS的方法及功率器件。该方法在介质层上侧进行孔涂胶及曝光处理，在第一混合气体下将源区上侧的介质层和栅氧化层刻蚀出第一连接孔；在第二混合气体下将第一连接孔下侧的源区和体区内刻蚀出第二连接孔；向第二连接孔下侧的体区内进行孔注入和退火操作，以形成月牙状的接触区。本发明通过将源区连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。
连接孔混合气体接触区刻蚀源区功率器件介质层月牙状混合气体形成退火寄生三极管基区电阻曝光处理椭圆形状栅氧化层保护膜导通减小涂胶扩散制作

[实用新型]一种元胞结构及功率器件-CN201821669760.1有效
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种元胞结构及功率器件。该元胞包括N‑外延层和两个对称间隔设置在N‑外延层上侧的P‑阱，两个P‑阱内上侧分别设有第一N+阱，所述P‑阱的内端上侧、第一N+阱的内上侧和两个P‑阱之间的N‑外延层上侧覆盖有第一栅氧层，所述第一栅氧层上侧设有第一多晶条，所述第一多晶条中间两侧的P‑阱上分别横向间隔设有两个第二N+阱，所述两个第二N+阱的内上侧以及两个第二N+阱之间的P‑阱上侧横向设有第二栅氧层，所述第二栅氧层上侧设有第二多晶条。本实用新型通过结构改进，可引导雪崩电流走向，从而提高雪崩耐量。经该方案改善后，器件雪崩耐量一般可提高50％以上。
栅氧层外延层多晶本实用新型功率器件雪崩耐量元胞结构对称间隔横向间隔结构改进雪崩电流内端元胞覆盖

[发明专利]一种集成启动管、采样管和电阻的DMOS及其制造方法-CN201910264211.9在审
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成启动管、采样管和电阻的DMOS及其制造方法。该DMOS包括共用的衬底和设置在衬底上侧的外延层，在外延层上集成设置主MOS管、采样管和启动管，主MOS管、采样管和启动管Drain端相连、主MOS管和采样管Gate端相连，启动端的Gate和source是独立的，同时Gate端通过一个电阻连到Drain端。本发明可以降低电路中启动的损耗和电流采样的损耗，降低待机功耗。提高能源转换效率。同时集成启动管、采样管、电阻的工艺和普通DMOS工艺兼容，可以降低成本。
采样管电阻外延层衬底降低待机功耗能源转换效率电流采样工艺兼容集成设置制造电路

[实用新型]一种缓变掺杂终端结构-CN201821887879.6有效
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缓变掺杂终端结构，该终端结构包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。本实用新型结合缓变技术和场版技术，能有效的平衡终端电场分布，提高终端耐压效率，减小终端尺寸，耐压550V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到80‑88um，耐压650V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到95‑105um，耐压700V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到110um‑124um。同时该终端结构可靠性高，工艺简单，稳定性好，并可用于多种高压器件。
终端结构衬底减小耐压终端场限环缓变主结本实用新型掩蔽层掺杂连续层状结构电场分布高压器件平衡终端场板可用内端

[发明专利]DMOS的终端保护环结构及其制造方法-CN201410300801.X有效
发明人：阮孟波;周宏伟;陈虞平;胡兴正;徐伟栋 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种DMOS的终端保护环结构的制造方法，包括下列步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上形成N型层，所述N型衬底的掺杂浓度大于所述N型层；向所述N型层内注入P型杂质离子，注入剂量为1*10¹²～5*10¹³/cm²；在所述N型层上形成场氧层，所述场氧层的厚度为1～4微米；加热推阱，使注入的P型杂质离子形成P型环作为终端保护环结构的主结，所述场氧层部分覆盖所述P型环，所述P型环的结深大于5微米。本发明还涉及一种DMOS的终端保护环结构。本发明主结和截止环之间无需设置分压环也能够达到高压DMOS所需的耐压，故终端的结构更加精简，终端长度也明显缩短，可以使整个芯片的面积得到缩小。
dmos 终端保护环结构及其制造方法

[发明专利]一种元胞结构及功率器件-CN201811199560.9在审
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种元胞结构及功率器件。该元胞包括N‑外延层和两个对称间隔设置在N‑外延层上侧的P‑阱，两个P‑阱内上侧分别设有第一N+阱，所述P‑阱的内端上侧、第一N+阱的内上侧和两个P‑阱之间的N‑外延层上侧覆盖有第一栅氧层，所述第一栅氧层上侧设有第一多晶条，所述第一多晶条中间两侧的P‑阱上分别横向间隔设有两个第二N+阱，所述两个第二N+阱的内上侧以及两个第二N+阱之间的P‑阱上侧横向设有第二栅氧层，所述第二栅氧层上侧设有第二多晶条。本发明通过结构改进，可引导雪崩电流走向，从而提高雪崩耐量。经该方案改善后，器件雪崩耐量一般可提高50％以上。
栅氧层外延层多晶功率器件雪崩耐量元胞结构对称间隔横向间隔结构改进雪崩电流内端元胞覆盖

[发明专利]一种缓变掺杂终端结构及其制造方法-CN201811364239.1在审
发明人：胡兴正;陈虞平;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓变掺杂终端结构及其制造方法，该终端结构包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。本发明结合缓变技术和场版技术，能有效的平衡终端电场分布，提高终端耐压效率，减小终端尺寸，耐压550V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到80‑88um，耐压650V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到95‑105um，耐压700V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到110um‑124um。同时该终端结构可靠性高，工艺简单，稳定性好，并可用于多种高压器件。
终端结构衬底减小耐压终端场限环缓变主结掩蔽层掺杂连续层状结构电场分布高压器件平衡终端场板可用内端制造

[发明专利]一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件-CN201510978986.4在审
发明人：孙晓儒;陈虞平;王熹伟;刘海波;胡兴正 -专利权人：福建省福芯电子科技有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件，其中方法包括如下步骤：在N型衬底上生长一层N型外延层；在N型外延层上生长一层本征外延层；在本征外延层上注入N型杂质；在本征外延层的预定位置上注入P型杂质；重复上述第二到第四步骤；进行热退火；在上述预定位置上注入P型阱。本发明降低了工艺难度及成本，同时性能上未见明显减弱，其性价比更高。
一种半导体器件制造方法法制

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