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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种移动式计量放料系统-CN201610116061.3有效
发明人：宋建东;陈永初;吴士慧;唐湘瑜;桑锋 -专利权人：锦州东方雨虹建筑材料有限责任公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B01F7/18 文献下载
摘要：一种移动式计量放料系统，包括支撑装置(1)、计量装置(2)、搅拌装置(3)。一个计量装置(2)对应多个搅拌装置(3)，并且采用电加热及导热油加热。减少了沥青在大量的管道中运行造成的能耗，达到了节能降耗的效果，采用电加热控制计量釜的加温，既解决了导热油管线连接移动不便的问题，又提高了温度控制的精度，独立的沥青计量系统消除了搅拌震动对计量的影响，以及震动对计量装置造成的损害，延长了计量装置的使用寿命，提高了计量的精度。
一种移动式计量系统

[发明专利]半导体结构-CN201410276358.7有效
发明人： 陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一阱、形成于第一阱中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一阱分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二阱、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一栅介电质、以及形成于栅介电质上的一栅电极。栅介电质至少在横跨延伸自接近第二重掺杂区的一侧的一部分具有实质上均一的厚度。第一阱具有第一掺杂类型。第一重掺杂区、第二重掺杂区及第二阱具有第二掺杂类型。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN201410696166.1有效
发明人：陈信良;蔡英杰;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括形成于基板中的金属氧化物半导体及双极性结结构。金属氧化物半导体结构包括第一区域、第二区域、第三区域及第四区域。第一、二与四区域为第一导电型，为金属氧化物半导体结构的漏极区域、漏极电极与源极区域。第二区域的掺杂程度高于第一区域。第三区域为第二导电型，包括金属氧化物半导体结构的通道与本体区域。通道区域形成于第一与第四区域之间。双极性结结构包括形成于第一区域之上的第五区域，第五区域接触第二区域且为第二导电型。第二、第三与第五区域分别为双极性结结构的基极、集极与射极区域。
半导体装置

[发明专利]高压半导体元件及其制造方法-CN201410196907.X有效
发明人：陈信良;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压半导体元件及其制造方法，该高压半导体元件包括一高压半导体晶体管(HVMOS)和一常开型低压半导体晶体管(normally‑on LVMOS)电性连接高压半导体晶体管。HVMOS具有一第一集极及一第一发射极。常开型LVMOS具有一第二集极及一第二发射极，其中常开型LVMOS的第二集极被电性连接至HVMOS的第一发射极，因而形成一静电防护双极晶体管，如一NPN型静电防护双极晶体管。
高压半导体元件常开型发射极集极高压半导体晶体管双极晶体管电性连接静电防护半导体晶体管制造

[发明专利]半导体装置-CN201410376569.8有效
发明人： 陈永初;蔡英杰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括基板、第一重掺杂区、第二重掺杂区、埋入层以及第三重掺杂区。基板具有第一导电型。第一重掺杂区形成在基板内且具有第一导电型。第二重掺杂区形成在基板内且具有第一导电型。埋入层形成在基板内且与第一重掺杂区及第二重掺杂区分开。埋入层具有第二导电型，第二导电型与第一导电型不同。一部分的埋入层位于第一重掺杂区之下。第三重掺杂区形成在基板内。第三重掺杂区位于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间且接触埋入层。第三重掺杂区具有第二导电型。
重掺杂区导电型基板埋入层半导体装置掺杂区重掺杂

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN201410429439.6有效
发明人： 陈永初;蔡英杰;龚正;郑家慧 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压元件及其制造方法。高压元件至少包括一基板、形成于基板上的一绝缘物、形成于绝缘物上的一深阱、和形成于绝缘物内且邻近于深阱的底面的一空气层(air layer)。其中，深阱的一底面是与基板相隔开来，空气层是位于深阱和基板之间，且空气层与基板相隔开来。一实施例中，空气层可与高压元件外部的气压连通，以利于散热。
基板高压元件深阱绝缘物空气层相隔散热底面气层气压连通制造邻近外部

[发明专利]一种基于用于改性沥青卷材生产的涂布装置所实施的涂布方法-CN201510434865.3有效
发明人：唐湘渝;陈永初;吴士慧;宋建东 -专利权人：北京东方雨虹防水技术股份有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B05C1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改性沥青卷材生产的涂布装置及涂布方法，所述装置包括机架以及安装在所述机架上的第一涂布头、第一沥青槽、冷却单元、覆膜辊、转向辊、第二涂布头和第二沥青槽；其中，所述第一沥青槽位于所述第一涂布头的下方；所述冷却单元位于所述第一沥青槽的后方；所述转向辊为两个，呈上下间隔布置，位于所述冷却单元的后方；所述第二涂布头位于所述转向辊的前方、所述冷却单元的上方；所述第二沥青槽位于所述第二涂布头的下方；所述覆膜辊位于所述第一涂布头与所述转向辊之间、所述冷却单元的上方。
一种用于改性沥青卷材生产装置方法

[发明专利]半导体元件、其制造方法与其操作方法-CN201410211024.1有效
发明人： 陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件、其制造方法与其操作方法，该半导体元件包括金属氧化物半导体晶体管、电阻以及增纳二极管。金属氧化物半导体晶体管包括栅极、源极与漏极。电阻的一端与漏极电性连接，其中电阻具有高电阻值，足以使大部分电流均流过金属氧化物半导体晶体管。增纳二极管包括阴极与阳极，阴极与栅极以及电阻的另一端电性连接，阳极与基底栅极电性连接。
半导体元件制造方法与其操作方法

[发明专利]半导体结构与静电放电防护电路-CN201410129545.2有效
发明人： 陈永初;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及静电放电防护电路。半导体结构包括一装置结构，包括一第一阱区、一第二阱区、一源极、一漏极、一延伸掺杂区、与一栅极。第二阱区具有相反于第一阱区的导电型。漏极具有与源极相同的导电型。源极与漏极分别形成在第一阱区与第二阱区中。延伸掺杂区邻接漏区并延伸至漏极的下方，且具有与漏极相同的导电型。栅极配置在第一阱区上。
半导体结构静电放电防护电路

[发明专利]双极性结晶体管及其操作方法与制造方法-CN201310097679.6有效
发明人：陈立凡;陈永初;龚正 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性结晶体管及其操作方法与制造方法。双极性结晶体管包括一第一掺杂区、一第二掺杂区与一第三掺杂区；第一掺杂区具有一第一导电型；第二掺杂区包括形成于第一掺杂区中的多个阱区；阱区具有相反于第一导电型的一第二导电型；阱区通过第一掺杂区互相分开；第三掺杂区具有第一导电型；第三掺杂区形成在阱区中，或形成在阱区之间的第一掺杂区中。
极性结晶体及其操作方法制造方法

[发明专利]沥青烟气净化设备-CN201510640041.1有效
发明人：宋建东;陈永初;吴士慧;唐湘渝 -专利权人：北京东方雨虹防水技术股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本发明涉及环保治理技术领域，尤其是涉及一种沥青烟气净化设备，包括烟气洗涤区、第一喷淋装置、填料区和第二喷淋装置，第一喷淋装置和第二喷淋装置内均装有用于溶解沥青烟气中的焦油的溶剂，第一喷淋装置设置在烟气洗涤区内，第二喷淋装置设置在填料区内；填料区设置在烟气洗涤区的一侧，填料区的底部与烟气洗涤区的底部连通；烟气洗涤区的顶部设有烟气进口，填料区的顶部设置有烟气出口。本发明提供的一种沥青烟气净化设备，沥青烟气在与大量的洗涤溶剂接触过程中，温度大大降低，烟气扩散速度减慢；并且采用对沥青焦油吸附性较强的专用洗涤溶剂作为喷淋介质，能够有效截留沥青烟气中的焦油和颗粒物，对沥青烟气的净化效果明显。
沥青烟气净化设备

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201310313534.5有效
发明人：蔡英杰;陈永初;龚正 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其操作方法。该半导体装置包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一掺杂接触、一第二掺杂接触、一第一掺杂层、一第三掺杂接触与一第一栅结构；第一掺杂区具有一第一导电型；第二掺杂区邻接于第一掺杂区，并具有相反于第一导电型的一第二导电型；第一掺杂接触与第二掺杂接触位于第一掺杂区上；第一掺杂接触与第二掺杂接触之间具有一第一PN结；第一掺杂层位于第一掺杂接触或第二掺杂接触的下方；第一掺杂层与第一掺杂接触或第二掺杂接触之间具有一第二PN结，邻接于第一PN结；第三掺杂接触具有第一导电型，并配置于第二掺杂区中；第一栅结构配置于第一掺杂区与第三掺杂接触之间的第二掺杂区上。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]卷材生产线聚酯胎基布超声波自动拼接机-CN201510239113.1有效
发明人：宋建东;陈永初;吴士慧;唐湘瑜 -专利权人：北京东方雨虹防水技术股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B29C65/08 文献下载
摘要：本发明涉及卷材生产线聚酯胎基布超声波自动拼接机，是一种利用超声波技术自动拼接卷材生产线的聚酯胎基布的装置。它是采用超声波焊接的方式熔合聚酯胎基布，并采用一系列的自动化措施，实现自动给料、自动识别、自动裁切、自动搭接、自动熔合聚酯胎基布等一系列自动化操作，并能对一卷胎基布中存在接头的情况自动处理，裁切其接头并自动拼接熔合，然后进入工作状态，不需要人工干预。
卷材生产线聚酯胎基布超声波自动接机

[实用新型]一种新型卷材生产环保喷涂室-CN201620967505.X有效
发明人：唐湘瑜;陈永初;吴士慧;宋建东;黄江清 -专利权人：岳阳东方雨虹防水技术有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B05B15/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及高分子卷材生产技术领域，尤其涉及一种新型卷材生产环保喷涂室；包括喷涂仓、送风装置、循环水装置、抽真空装置、喷涂装置和辅助气液相处理装置，送风装置设置在喷涂仓的顶部，抽真空装置和辅助气液相处理装置均设置在喷涂仓的底部；喷涂装置包括喷头和传送带，传送带贯穿喷涂仓，喷头悬挂设置于传送带的上方，并与传送带相对应；循环水装置包括上进水口和水帘装置，水帘装置设置喷涂仓的内侧壁上。本实用新型所公开的新型卷材生产环保喷涂室，通过设置送风装置和抽真空装置，实现了上部多点送风，下部抽负压出风的方式使得气相流动路径更合理，减少了对喷涂效果的影响。
一种新型卷材生产环保喷涂

[实用新型]一种新型高分子卷材生产烘干装置和应用于该装置的风箱-CN201620985686.9有效
发明人：宋建东;唐湘瑜;陈永初;吴士慧 -专利权人：岳阳东方雨虹防水技术有限责任公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： F26B21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及高分子卷材生产技术领域，具体涉及一种新型高分子卷材生产烘干装置和应用于该装置的风箱，一种风箱，包括设置于箱体内的卷材进料口和设置于箱体顶部的进风口；所述进风口上方连接主风道，下方通过金属立柱连接挡板；所述挡板将所述进风口全部遮盖，且位于所述进料口上方。本实用新型采用在进风口增加挡板的设置，解决了烘干时的热风分配不均的问题。
一种新型高分子卷材生产烘干装置应用于风箱

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