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[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010916254.3在审
发明人：李拓;李磊;蒲浩;郭海峰;艾义明;贾彩艳;陆智勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制备方法。包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和形成于所述衬底的表面的叠层结构；在所述叠层结构内形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；在所述沟道孔内依次形成存储器层、种子层和原始沟道层；以及进行退火，以使所述原始沟道层形成沟道层。本申请的技术方案解决了现有技术中为保证沟道孔内最后形成的沟道层的缺陷较少，需要较长时间的退火处理，易导致工艺和物料成本的增加，不适于大规模的量产的问题。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]存储结构及其制作方法-CN201810209625.7有效
发明人：何佳;霍宗亮;夏志良;隋翔宇;陆智勇;龚睿;洪培真;刘藩东;吴娴 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供一形成有沟槽的半导体结构；形成一多层薄膜层，所述多层薄膜层包括在所述半导体结构的顶部、所述沟槽的侧壁和底部的表面形成的第一介质层、覆盖所述第一介质层的电子储存层、以及覆盖所述电子储存层的第二介质层；刻蚀部分所述多层薄膜层，保留所述沟槽侧壁的多层薄膜层，并至少暴露出部分所述沟槽底部的所述电子储存层；去除所述沟槽底部的所述电子储存层。本发明通过去除所述沟槽底部的所述电子储存层，可以防止在所述沟槽底部的所述电子储存层中出现电子储存的现象，提高存储结构的性能。
存储结构及其制作方法

[发明专利]一种三维存储器及其制作方法-CN201811397457.5有效
发明人： 陆智勇;赵治国;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器及其制作方法，包括：在沟道孔的底部形成外延硅层，并在沟道孔的侧壁上形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第一无定型硅层；去除外延硅层表面的第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和第一无定型硅层；去除沟道孔内的第一无定型硅层；在沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第二无定型硅层，并对第二无定型硅层进行干氧化处理，不仅可以同时对第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和第二无定型硅层进行退火处理，而且可以使得部分第二无定型硅层形成填充沟道孔的第三氧化硅层，相当于采用一个步骤代替了现有技术中的四个步骤，从而减少了三维存储器的制作步骤，缩短了制作时间。
一种三维存储器及其制作方法

[发明专利]一种不锈钢材质设备激光熔覆粉末及其使用方法-CN202010750154.8在审
发明人： 陆智勇;刘鹏;江卫霞;刘夏城 -专利权人：三门核电有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：本发明属于不锈钢材料外表面修复工程领域，是一种不锈钢材质设备的新型激光熔覆修复方式下的熔覆粉末及使用方法，其中熔覆粉末，包括：Co 45Wt%‑60Wt%、Cr 25Wt%‑35Wt%、W 3.5Wt%‑4.3Wt%、C 1.15Wt%‑1.25Wt%、Ni 3Wt%‑5Wt%、Mo 1.2Wt%‑1.9Wt%、Fe 2Wt%‑3.5Wt%、Si 1.0Wt%‑1.5Wt%、Mn 1Wt%‑1.5Wt%、不可避免的杂质1 Wt%。达到不低于原设备基体材料的硬度并兼具良好的耐腐蚀能力，硬度高于39HRC。
一种不锈钢材质设备激光粉末及其使用方法

[实用新型]一种多通道测试系统-CN201921303820.2有效
发明人： 陆智勇;沈丽;黄建颖;余存旭 -专利权人：中杭监测技术研究院有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多通道测试系统，属于测试技术领域。该系统包括控制接口、测试控制信号发生单元、测试通道、电源控制继电器、采集单元及可编程控制器；控制接口用于输出测试数据及接收测试控制参数；测试通道的数量为三路以上，均包括控制信号接口及控制信号继电器；可编程控制器用于通过控制接口接收针对测试控制参数的设置，及接收采集单元所输出的采集信号；并依据所接收到的电信号，向控制信号继电器输出启闭控制信号，向测试控制信号发生单元输出控制信号，及向供电控制电器输出供电控制信号。不仅能利用多通道进行多样品的测试，且能进一步提高测试安全，可广泛应用于电子产品测试领域。
一种通道测试系统

[发明专利]一种高集成度一体化清洗设备-CN202010390323.1在审
发明人：刘夏城;刘鹏;陆智勇;于泾纬;江卫霞;凌飞 -专利权人：三门核电有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及机械设备领域，具体涉及机械设备清洗。本发明是通过以下技术方案得以实现的：一种高集成度一体化清洗设备，包含主清洁箱，还包含与所述主清洁箱连接的废水收集装置和与所述主清洁箱连接的清洁装置，所述清洁装置包含清洁模组，每个所述清洁模组均包含一个独立与所述主清洁箱可拆卸连接的清洁模块，所述清洁模块包含储液箱和连接所述储液箱与所述主清洁箱的进液管，所述清洁模组包含水清洁模组，所述主清洁箱包含箱体和喷头组，所述喷头组包含与所述进液管连接的喷头。本发明的目的是提供一种高集成度一体化清洗设备，能满足不同品种的机械设备的不同清洗需求，设备通用性好。
一种集成度一体化清洗设备

[实用新型]一种带封堵能力监测的开口管道防异物封堵装置-CN201922153068.4有效
发明人：刘鹏;陆智勇 -专利权人：三门核电有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： F16L55/128 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带封堵能力监测的开口管道防异物封堵装置，包括上部压紧盘、下部压紧盘、设置在所述上部压紧盘与所述下部压紧盘之间的环形气囊以及操作杆，所述上部压紧盘上连接有套筒，所述操作杆穿过所述套筒，并贯穿所述上部压紧盘与所述下部压紧盘连接，所述套筒连接有装配块；所述环形气囊通过引压软管连接有压力监测表，有着贴合度好，气密性强，可靠性高，操作方便，节省人工等优点，并同时能对封堵能力进行监测。
一种封堵能力监测开口管道异物装置

[实用新型]一种万能式铜排组件-CN201921292990.5有效
发明人： 陆智勇;沈丽;黄建颖;余存旭 -专利权人：中杭监测技术研究院有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种万能式铜排组件，属于配电技术领域。万能式铜排组件包括转角铜排、可弯铜排及直板铜排；转角铜排包括相夹成预定角度的第一搭接铜板部与第一连接铜板部，第一搭接铜板部上设有腰圆状搭接通孔；可弯铜排包括第二搭接铜板、第二连接铜板及端部与二者导电固连的柔性连接段，柔性连接段由多层柔性铜片叠片压接而成；第二搭接铜板与第一连接铜板部通过第一连接机构可拆卸地电连接；直板铜排的搭接端部通过连接位置可调的第二可调连接机构与第二连接铜板可拆卸地电连接，连接端部上设有腰圆状连接通孔。可根据连接位置，对连接端部与第一搭接铜板部间的位置进行调节，从而能有效地增加所适配成套柜的规格类型，可广泛应用于配电领域。
一种万能式铜排组件

[发明专利]三维存储器的制作方法-CN201710733237.4有效
发明人：赵新梅;霍宗亮;唐兆云;隋翔宇;陆智勇;江润峰;王香凝;石晓静;王攀;王猛;闫伟明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种三维存储器的制作的方法，采用一步干蚀刻法，包括：蚀刻顶层多晶硅，停留在氮化物上；然后蚀刻硬掩膜SiN层，停留在氧化物上。其中蚀刻剂需要对SiN与氧化物具有高选择性，以使得氧化物的损失小于50埃。通过采用一步干蚀刻法，减少CMP的使用，以及取代通过湿蚀刻除去硬掩膜SiN，有利于消除了CMP工艺中的负载效应引起的不同阵列区域厚度的变化，同时有利于简化工艺，降低成本。
三维存储器制作方法

[发明专利]一种带封堵能力监测的开口管道防异物封堵装置-CN201911231246.9在审
发明人：刘鹏;陆智勇 -专利权人：三门核电有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： F16L55/128 文献下载
摘要：本发明提供一种带封堵能力监测的开口管道防异物封堵装置，包括上部压紧盘、下部压紧盘、设置在所述上部压紧盘与所述下部压紧盘之间的环形气囊以及操作杆，所述上部压紧盘上连接有套筒，所述操作杆穿过所述套筒，并贯穿所述上部压紧盘与所述下部压紧盘连接，所述套筒连接有装配块；所述环形气囊通过引压软管连接有压力监测表。该装置通过使操作杆上行，带动下部紧压盘对环形气囊进行压缩，使环形气囊产生外部形变，形变后的气囊与管道内壁密闭贴合，对流体管道起到封堵防异物作用，有着贴合度好，气密性强，可靠性高，操作方便，节省人工等优点。
一种封堵能力监测开口管道异物装置

[实用新型]管道流体冲击检测装置-CN201920933130.9有效
发明人：刘鹏;陆智勇 -专利权人：三门核电有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本实用新型属于管道维护检测技术领域，具体涉及一种管道流体冲击检测装置。包括：拉杆支架，包括拉杆、设于所述拉杆一端的管道支撑鞍座、设于所述拉杆另一端的连接头；支撑拉杆，包括支撑杆、设于所述支撑杆一端的固定部、设于所述支撑杆另一端的连接叉；轴销式测力传感器，用于轴接所述连接头和所述连接叉。在需要检测的管道上安装所述拉杆支架，拉杆支架另一端通过所述轴销式测力传感器连接支撑拉杆，并通过支撑拉杆的固定部固定在一静止面上。安装时，保持轴销式测力传感器的受力方向与支撑拉杆方向一致，即可使得轴销式传感器不仅可以起到固定支撑拉杆和拉杆支架的作用，还可以通过测量轴销的径向载荷来测量管道振动。
拉杆支架拉杆测力传感器支撑拉杆支撑杆轴销固定部连接叉连接头冲击检测装置固定支撑拉杆检测技术领域轴销式传感器本实用新型测量管道方向一致管道流体管道维护管道支撑径向载荷连接支撑测量轴鞍座受力轴接静止检测

[发明专利]防止选择性外延生长的硅损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存-CN201710724669.9有效
发明人： 陆智勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了防止选择性外延生长的硅损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存，所述方法包括，从沟道孔制备工艺到栅极线槽磷酸刻蚀氮化物牺牲介质层的过程中，在至少一个沟道孔结构刻蚀进行前，去除Si衬底背面的膜层，并通过后续沉积的多晶硅将衬底前面和后面电连接以释放刻蚀过程中产生的电荷；从而防止磷酸刻蚀过程中发生电化学反应而对选择性外延生长的硅造成损坏。进而可以防止3D结构的崩塌，并且降低底部选择栅极失效率；获得更高的产品收得率。
防止 seg 损坏 dnand 制备方法获得闪存

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810447748.4有效
发明人：崔梦豪;隋翔宇;张高升;张慧;赵治国;陆智勇;王香凝;周同;赵新梅;王攀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供衬底，所述衬底具有背对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有堆叠结构及至少覆盖所述堆叠结构侧面的介质层，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；至少在所述衬底的背面上形成第一应力层。所述第一应力层能够抵消衬底翘曲的应力，从而减少衬底翘曲的曲率，提高产品良率。
衬底半导体结构堆叠结构衬底翘曲应力层背面绝缘层曲率产品良率交错堆叠介质层牺牲层背对抵消垂直侧面覆盖

[发明专利]一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构-CN201610473868.2有效
发明人：隋翔宇;唐兆云;高晶;霍宗亮;陆智勇;许刚;洪培真;龚睿;刘藩东;何佳 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及三维器件制作领域，尤其涉及一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构，通过在堆栈结构中预埋对准标记，沉积硬掩模层并蚀刻使得该硬掩模层至少覆盖位于对准标记上方；然后沉积吸光膜，并蚀刻使得该吸光膜于对准标记上方具有一开口；接着进行对位测量，标记出栅极沟道对应于对准标记在硬掩模层上的待蚀刻标记；再根据该待蚀刻标记进行蚀刻以形成栅极沟道。本发明通过打开位于对准标记上方的吸光膜，使得在进行对位测量时入射光能够顺利穿透并反射，从而能够精准地量测出对准标记的位置，以保证沟道蚀刻时栅极图案的精确转移。
一种形成栅极沟道方法对应半导体结构

[实用新型]一种用于管道封堵的密封组件-CN201821545083.2有效
发明人：刘鹏;陆智勇;苏有学;孙超超 -专利权人：三门核电有限公司;陕西特种橡胶制品有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： F16L55/18 文献下载
摘要：一种用于管道封堵的密封组件，属于管道封堵技术领域。密封组件包括条形装配块、设于条形装配块两端的把手、封堵杆、紧固件、扳手、顶丝；所述封堵杆一端用于旋入并穿过所述条形装配块，所述封堵杆另一端的表面自其端头向条形装配块的方向设置孔塞；所述封堵杆伸出所述条形装配块的部分通过紧固件固定，且伸出部分的端头由所述扳手固定，使得所述封堵杆与所述条形装配块紧固连接且使孔塞密封管道；所述条形装配块上还固定有顶丝。本实用新型用于管道的临时封堵以及支持高压开口管道的打压或冲洗工作，在密封开口管道时，有着气密性好，可靠性高，拆装方便，节省人工等优点，更相较于其他封堵措施有着承压能力高，耐磨性能好等优点。
装配封堵杆管道封堵密封组件紧固件扳手顶丝孔塞伸出本实用新型拆装方便方向设置紧固连接开口管道临时封堵密封管道密封开口耐磨性能气密性好承压打压端头封堵旋入冲洗把手穿过