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[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置-CN201810783756.6在审
发明人：杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
含金属膜图案化剂图案化硬掩模有机金属化合物方法和装置光致抗蚀剂金属硬掩模金属掩模纳米图案真空环境感光性金属盐抗蚀剂分辨率波长衬底光刻无光沉积半导体金属敏感暴露

[发明专利]用于电介质层上的无电镀覆的活化溶液-CN201610006183.7有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-12-20 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：所呈现的是一种活化氧化表面以进行金属的无电沉积的溶液。该溶液包含粘合剂，该粘合剂具有至少一个能够与该氧化表面形成化学键的官能团以及至少一个能够与催化剂形成化学键的官能团。还呈现了制造电子器件的方法以及使用该方法制造的电子器件。
用于电介质镀覆活化溶液

[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置-CN201510053668.7有效
发明人：杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
结合真空硬掩模工艺装置

[发明专利]用于增强自底向上特征填充的原子层蚀刻-CN201710604639.4在审
发明人：萨曼莎·坦;特塞翁格·金姆;游正义;普拉文·纳拉;诺维·特约克洛;阿尔图尔·科利奇;克伦·雅各布斯·卡纳里克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于增强自底向上特征填充的原子层蚀刻。原子层蚀刻(ALE)使得能够通过自底向上填充，例如钴的无电沉积(ELD)来有效地填充半导体和其他衬底上的小特征结构，例如触点和通孔。
用于增强向上特征填充原子蚀刻

[发明专利]用于锚定定缝隙填充金属的方法和材料-CN201380010792.4有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的一方面包括一种电子器件的制造方法。根据一种实施方式，所述方法包括提供具有与导电性表面区域相邻的电介质氧化物表面区域的衬底，以化学方式结合锚定化合物与所述电介质氧化物表面区域从而形成锚定层，使用导电性表面区域使金属开始生长，以及使金属生长从而使所述锚定层还与金属结合。所述锚定化合物具有至少一个能够与氧化物表面形成化学键的官能团并且具有至少一个能够与金属形成化学键的官能团。本发明的另一方面为一种电子器件。本发明的第三方面为含有所述锚定化合物的溶液。
用于锚定缝隙填充金属方法材料

[发明专利]用于穿硅通路金属化的粘合层-CN201410395895.3有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于穿硅通路金属化的粘合层。为了实现上述目的并且本发明目的，提供了一种用于在硅晶片中形成铜填充穿硅通路特征的方法。在硅上蚀刻穿硅通路。在穿硅通路内形成绝缘层。在穿硅通路内形成阻挡层。在阻挡层上沉积无氧硅、锗、硅锗粘合层。在粘合层上沉积种子层，然后晶片经过退火。用铜和铜合金填满特征。使堆层退火。
用于通路金属化粘合

[发明专利]用于金属化的方法、器件和材料-CN201180032025.4有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇;威廉·T·李;弗里茨·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制备电子器件的方法，在一种实施方式中该方法包括：提供衬底，在衬底的至少一部分上无电沉积阻挡金属，并使用如无电沉积等湿法化学过程以在该阻挡金属上沉积具有焊料浸润性的基本不含金的浸润层。一种电子器件，在一种实施方式中，该电子器件包括金属化叠层。该金属化叠层包括无电沉积的阻挡金属以及沉积在该阻挡金属层上的基本不含金的浸润层，并且该浸润层对焊料是可浸润的。
用于金属化方法器件材料

[发明专利]沉积后的晶片清洁配方-CN201610169603.3在审
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C11D1/88 文献下载
摘要：提供用于从基底的表面清洁金属帽层的腐蚀产物的方法和系统。根据一个实施方式，处理溶液包含表面活性剂、络合剂和pH调节剂。配制所述表面活性剂以增强基底表面的润湿，并抑制所述帽层的进一步腐蚀。配制所述络合剂以与从所述晶片表面解吸的金属离子结合。配置所述pH调节剂以调节pH至所需水平，从而促进所述腐蚀产物从所述基底表面解吸。
沉积晶片清洁配方

[发明专利]衬底清洁和无电沉积的方法和溶液-CN201510570414.2在审
发明人： 阿尔图尔·科利奇;李南海 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明关于器件制造。一个实施方式是用于集成电路的衬底清洁和无电沉积帽层的方法。该方法在具有包括金属和电介质大马士革金属化层的表面的衬底上进行。该方法包括将衬底的表面暴露于足以清洁该衬底表面的清洁溶液和将该衬底表面暴露于足以沉积帽层的无电沉积溶液。本发明的其他实施方式包括清洁衬底的溶液和完成无电沉积的溶液。
衬底清洁沉积方法溶液

[发明专利]金属化方法、混合物以及电子器件-CN201180032031.X有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇;弗里茨·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明的一方面提供处理基底的方法。在一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和无电沉积溶液的混合物，和无电沉积金属基体以及共沉积所述金属颗粒。在另一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和电化学镀溶液的混合物，和电化学镀金属基体以及共沉积所述金属颗粒。本发明的另一方面提供用于在基底上或内部形成导电体的混合物。本发明的另一方面提供一种电子器件。
金属化方法混合物以及电子器件

[发明专利]沉积后的晶片清洁配方-CN201080058890.1有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：提供用于从基底的表面清洁金属帽层的腐蚀产物的方法和系统。根据一个实施方式，处理溶液包含表面活性剂、络合剂和pH调节剂。配制所述表面活性剂以增强基底表面的润湿，并抑制所述帽层的进一步腐蚀。配制所述络合剂以与从所述晶片表面解吸的金属离子结合。配置所述pH调节剂以调节pH至所需水平，从而促进所述腐蚀产物从所述基底表面解吸。
沉积晶片清洁配方

[发明专利]在镀的过程中保持衬底表面湿润的工艺-CN201080062696.0有效
发明人：王亚新;李石建;弗里茨·雷德克;约翰·帕克斯;阿尔图尔·科利奇;衡石·亚历山大·尹;塔里克·苏万·德菲利佩;米哈伊尔·科罗利克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法和系统包括在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层。接着在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面。所述漂洗是受控的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上。所述衬底从所述无电沉积模块被移除，同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上。所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的。所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除，其便被移动到后沉积模块中，同时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。
过程保持衬底表面湿润工艺

[发明专利]用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变-CN201110410137.0无效
发明人： 阿尔图尔·科利奇;李南海;玛丽娜·波利扬斯基亚;马克·韦斯;詹森·科尔内耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-06-09 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变。半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。
用于污染表面退化最小化中间介电层改变

[发明专利]无电沉积溶液和工艺控制-CN200980160458.0有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C25D21/12 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式是制造集成电路的覆盖层无电沉积的方法。该方法包括控制无电沉积浴液组分以便实质上保持浴液的无电沉积属性。本发明的其他实施方式包括无电沉积溶液。本发明的另一实施方式是用于翻新无电沉积浴液的组分。
沉积溶液工艺控制

[发明专利]用于基底的清洁溶液配方-CN200980134112.3有效
发明人： 阿尔图尔·科利奇;弗里茨·雷德克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明的一个实施方案提供了一种清洁溶液，所述清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂。本发明的另一实施方案包括包含pH调节剂、任选络合剂和腐蚀抑制剂的清洁溶液。所述清洁溶液可任选存在增溶剂，可任选存在表面活性剂和可任选存在电介质蚀刻剂。
用于基底清洁溶液配方

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