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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201811329444.4有效
发明人： 金辰昱;金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在第一区域上的第一栅极结构；在第二区域上的第二栅极结构；在第三区域上的第三栅极结构；以及在第四区域上的第四栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、第一材料层和第一栅电极层。第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、第二材料层和第二栅电极层。第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、第三材料层和第三栅电极层。第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层。第一材料层、第二材料层和第三材料层具有不同的厚度。第一材料层包括下金属层、上金属层、以及其间的多晶硅层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110766100.5在审
发明人：李寅烈;郑润永;金辰昱;裵德汉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极间隔物，沿着栅电极的侧壁在第二方向上延伸；层间绝缘层，接触栅极间隔物的侧壁；沟槽，在层间绝缘层中形成在栅电极上；第一覆盖图案，沿着沟槽的侧壁提供，第一覆盖图案的至少一个侧壁具有倾斜的轮廓；以及第二覆盖图案，在沟槽中提供在第一覆盖图案上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610950591.8有效
发明人：金奇奂;朴起宽;刘庭均;申东石;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110180664.0在审
发明人：李寅烈;金柱然;金辰昱;朴柱勋;裵德汉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110078475.2在审
发明人：金柱然;裴德汉;金辰昱;朴柱勋;严命允;李寅烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源图案，沿第一水平方向在衬底上延伸；栅电极，沿第二水平方向跨有源图案延伸，并且包括第一部分和沿竖直方向从第一部分向上突起的第二部分；覆盖图案，沿第二水平方向在栅电极上延伸；以及栅极接触部，设置在栅电极的第二部分上，与有源图案重叠并且穿透覆盖图案以连接到栅电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610847647.7有效
发明人：金奇奂;刘庭均;朴起宽;申东石;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910747076.3在审
发明人：裵德汉;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。根据示例实施例，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比栅电极层的上表面低的高度处。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910283171.2在审
发明人：洪世基;金柱然;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一栅电极层，所述第一栅电极层位于所述第一区域上，并且包括第一导电层；以及第二栅电极层，所述第二栅电极层位于所述第二区域上，并且包括所述第一导电层、位于所述第一导电层上的第二导电层以及位于所述第二导电层上的阻挡金属层，其中，所述第一栅电极层的上表面位于比所述第二栅电极层的上表面低的水平高度上。
栅电极层第一导电层半导体器件第二导电层第二区域第一区域上表面衬底阻挡金属层

[发明专利]集成电路器件-CN201910007087.8在审
发明人：郑在烨;金一龙;金柱然;金辰昱;吕京奂;郑镛琦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。
第二区域第一区域隔离绝缘集成电路器件侧壁虚设栅极结构鳍型有源区栅极结构直线延伸相反侧基板延伸

[发明专利]集成电路器件-CN201910125807.0在审
发明人：郑在烨;金一龙;金柱然;金辰昱;吕京奂;郑镛琦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。
鳍型有源区隔离绝缘栅极结构集成电路器件基板鳍型彼此平行恒定的延伸节距

[发明专利]半导体装置-CN201910137418.X在审
发明人：金柱然;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；层间介电层，位于基底上，并具有第一开口和第二开口；第一栅极图案，位于第一开口中，并包括堆叠的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案；第二栅极图案，位于第二开口中。第二栅极图案包括第二逸出功图案和第二导电阻挡图案，第二逸出功图案包括与第一逸出功图案的材料相同的材料，第二导电阻挡图案位于第二逸出功图案上并填充第二开口。第二导电阻挡图案包括与导电图案的材料不同且与第一阻挡图案的材料不同的材料。
阻挡图案逸出功开口导电图案半导体装置栅极图案导电图案基底层间介电层堆叠填充

[发明专利]半导体器件-CN201811260335.1在审
发明人：洪世基;金柱然;金辰昱;尹泰应;河泰元;徐正埙;尹涩琪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。
源区栅电极场绝缘层基板半导体器件上栅电极横贯

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