专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201710130993.8有效
  • 郑在烨;严命允;车东镐;刘庭均;朴起宽 - 三星电子株式会社
  • 2017-03-07 - 2023-07-04 - H01L27/088
  • 一种集成电路(IC)器件包括:彼此邻近的一对鳍形有源区,在其间有鳍分离区,所述一对鳍形有源区延伸成一行;以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构,其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区,第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角,并且其中鳍分离绝缘结构包括:下绝缘图案,覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁;以及上绝缘图案,在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分,上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。
  • 集成电路器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202210149711.X在审
  • 裵德汉;朴柱勳;严命允;李留利;李寅烈 - 三星电子株式会社
  • 2022-02-18 - 2022-10-21 - H01L21/8234
  • 提供一种半导体装置。该半导体装置包括:第一鳍状图案,在第一方向上纵向延伸;第二鳍状图案,在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸;第一栅电极,在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸;第二栅电极,在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸;第一栅极分离结构,将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平;第一连接源/漏接触件,在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域,第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210090283.8在审
  • 裴德汉;朴柱勋;严命允;李睿智;郑润永 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-25 - 2022-08-30 - H01L23/522
  • 一种半导体器件,包括:衬底,具有第一电源区、第二电源区以及单元区。所述单元区在所述第一电源区与所述第二电源区之间延伸。设置在所述单元区内并排延伸的第一有源区和第二有源区。设置在所述第一电源区内在第一方向上延伸的第一电源线路。设置连接所述第一有源区和所述第二有源区的第一源/漏接触部。设置连接所述第一有源区和所述第一电源线路的第二源/漏接触部。所述第一源/漏接触部包括:第一凹陷部,被设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间的中间区内。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202110766100.5在审
  • 李寅烈;郑润永;金辰昱;裵德汉;严命允 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-07 - 2022-01-07 - H01L27/088
  • 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;在衬底上在第一方向上延伸的有源图案;栅电极,在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸;栅极间隔物,沿着栅电极的侧壁在第二方向上延伸;层间绝缘层,接触栅极间隔物的侧壁;沟槽,在层间绝缘层中形成在栅电极上;第一覆盖图案,沿着沟槽的侧壁提供,第一覆盖图案的至少一个侧壁具有倾斜的轮廓;以及第二覆盖图案,在沟槽中提供在第一覆盖图案上。
  • 半导体器件
  • [发明专利]集成电路器件-CN202110243878.8在审
  • 裵德汉;朴柱勋;严命允;张光勇 - 三星电子株式会社
  • 2021-03-05 - 2021-09-28 - H01L27/02
  • 一种集成电路器件包括:鳍型有源区域,在衬底上沿第一水平方向延伸;栅极线,在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸;第一和第二源极/漏极区域,布置在鳍型有源区域上;第一源极/漏极接触图案,连接到第一源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有第一高度的第一区段;第二源极/漏极接触图案,连接到第二源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有小于第一高度的第二高度的第二区段;以及绝缘盖线,在栅极线上沿第二水平方向延伸并包括在第一区段与第二区段之间的不对称盖部分,该不对称盖部分具有在第一水平方向上的可变厚度。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201610151295.1有效
  • 刘庭均;朴世玩;成百民;严命允 - 三星电子株式会社
  • 2016-03-16 - 2021-09-21 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括:位于衬底上的场绝缘膜;第一鳍式图案,其形成在衬底上,并且从场绝缘膜的上表面向上突出;以及栅电极,其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分,所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部,所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201610545881.4有效
  • 刘庭均;金基一;朴起宽;成石铉;严命允 - 三星电子株式会社
  • 2016-07-12 - 2021-05-18 - H01L29/78
  • 提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
  • 半导体器件

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