“赵晋荣”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果62个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法-CN202311047857.4在审
发明人： 赵晋荣;李佳阳;杨光;董博宇;袁福顺;赵万辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂浓度大于所述功能层；从所述叠层结构中选择性地去除所述牺牲层。
半导体器件器件半导体结构制造方法

[发明专利]一种具有能量可回收功能的模具缓冲装置-CN202310840114.6在审
发明人：张世顺;陈福建;赵先进;王传英;赵晋荣;冯国明;王冬;王荣丰;韩啸;王恒发;王峰;高修华;黄敏;李国祯;田广伟 -专利权人：济南二机床集团有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有能量可回收功能的模具缓冲装置，涉及压力机模具冲压成型技术领域，采用的方案是：包括顶冠、滑轮机构、卷扬机、电动机和控制系统，顶冠通过滑轮机构与卷扬机连接，卷扬机与电动机连接；顶冠向下运动通过滑轮机构能够带动卷扬机和电动机转动；电动机还能够驱动卷扬机转动通过滑轮机构带动顶冠向上运动；控制系统能够通过调整电动机的扭矩、转速和转角来控制顶冠的力、速度和位置。本发明能够解决压机滑块下死点附近压边力不稳定的问题；同时还能够解决现有的模具缓冲装置所存在的冲击力较大、寿命短和效率低的问题；以及能够解决现有的模具缓冲装置所存在的结构复杂且安装空间大的问题。
一种具有能量可回收功能模具缓冲装置

[发明专利]遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法-CN201810085194.8有效
发明人：李冬冬;郭浩;赵梦欣;赵晋荣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供一种遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法。该遮挡压盘组件包括：遮挡压盘以及移动部件，遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；移动部件用于使遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在第一位置时，边缘部与基座承载的待加工件的边缘区域接触，且遮挡压盘在基座的支撑面上的投影完全覆盖待加工件在基座的支撑面上的投影；在第二位置时，在垂直于基座的支撑面的方向上，遮挡压盘与基座的支撑面不重叠。从而可以使晶片表面全部沉积上薄膜，又可以通入背吹气体对晶片进行有效冷却，提高产能。
遮挡组件半导体加工装置方法

[发明专利]电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法-CN202110996425.2有效
发明人：王景远;韦刚;田丰;陈星;葛军;张郢;赵晋荣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本申请公开一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法，所述电源组件包括壳体、第一电源、第二电源和输出接口，其中：所述第一电源和所述第二电源集成设置于所述壳体内，所述输出接口设置于所述壳体上；所述第一电源与所述输出接口连接，所述第二电源与所述输出接口连接；所述第一电源用于输出第一直流电压信号，所述第二电源用于输出脉冲电压信号，所述输出接口用于输出所述第一直流电压信号、所述脉冲电压信号或叠加信号，所述叠加信号由所述第一直流电压信号和所述脉冲电压信号叠加形成。上述方案能够解决相关技术中多电源结构布局会产生较强的寄生电感电容而影响工艺质量的问题。
电源组件等离子体浸没离子注入设备及其使用方法

[发明专利]一种隧道监测装置-CN202310227537.0在审
发明人：孙凤果;代志杭;张要发;赵池;赵晋荣;潘付刚;张改伟;张彦伟 -专利权人：中交国通公路工程技术有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F16M11/18 文献下载
摘要：一种隧道监测装置，包括安装板和支撑结构，安装板和支撑结构之间还包括角度调节机构，角度调整机构能够对安装板的水平角度自动调整，支撑结构可对安装板的高度进行调整，还包括位于安装板上的监测设备和位于安装板下方的控制箱，控制箱可通过电路控制安装板自动调整。解决目前监测设备的支撑机构存在的一些问题，降低监测偏差，提升测量结果的准确性，同时提升监测的效率，便于使用者使用。
一种隧道监测装置

[实用新型]一种标识喷标装置-CN202223317183.9有效
发明人：马伟;徐城;陈卫林;臧兴亚;赵晋荣;齐宏达 -专利权人：上海寰宇物流科技有限公司;寰宇东方国际集装箱（宁波）有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B05B12/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种标识喷标装置，属于标识喷涂技术领域，其包括标识框架、标识模板以及驱动件，所述标识模板安装于所述标识框架的内部，所述驱动件设置于喷涂车间墙壁上驱动所述标识框架向集装箱做靠近或远离的运动。本申请具有提高对集装箱侧壁上喷涂标识时工作效率的效果。
一种标识装置

[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备-CN202211347495.6有效
发明人： 赵晋荣;韦刚;吴东煜;王海莉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺腔室包括腔体、内衬和下电极结构，内衬和下电极结构设于腔体内；下电极结构包括基座、接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件；基座通过悬臂与腔体连接；接口件和承载件叠置于基座；内衬环设于下电极结构外，内衬一端与腔体电连接，另一端与接口件电连接；屏蔽件第一端连接至接口件，第二端连接至基座内壁；屏蔽件第一端的轴线与接口件的轴线不重合，且屏蔽件第一端的轴线远离悬臂偏移；射频馈入件穿设于屏蔽件内并与承载件连接。一种半导体工艺设备，包括上述半导体工艺腔室。本申请能够解决刻蚀设备中元件几何结构不对称影响刻蚀均匀性等问题。
半导体工艺工艺设备

[发明专利]一种管路用穿墙装置-CN202310104949.5在审
发明人：陈福建;王传英;张世顺;赵晋荣;张朋;王冬;赵兵 -专利权人：济南二机床集团有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： F16L5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种管路用穿墙装置，包括箱体侧壁、第一管路、第二管路，所述箱体侧壁外侧开设有第一螺纹孔，第一螺纹孔的一侧开设有侧壁通孔，侧壁通孔与第一螺纹孔相连通并安装有穿墙接头，所述穿墙接头的端部均延伸至箱体侧壁的两侧，所述第一管路安装在箱体侧壁外侧的穿墙接头一侧，所述第二管路安装在箱体侧壁内侧的穿墙接头另一侧。本发明通过在箱体侧壁外侧开设有第一螺纹孔，箱体侧壁内部无需再开设螺纹孔，解决了现有技术中所存在的箱侧壁内侧螺纹孔难以加工制作的问题，提高了加工的工作效率。
一种管路穿墙装置

[实用新型]承载装置及半导体反应腔室-CN202221939030.5有效
发明人： 赵晋荣;陈星;韦刚;张照;吴东煜;刘建 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种承载装置及半导体反应腔室，用于半导体工艺腔室，包括：静电卡盘，所述静电卡盘包括绝缘层，绝缘层上设有多个凸起支撑部，所述绝缘层设有贯穿其厚度的针孔和气孔，所述针孔用于和顶针装置配合，以升降晶圆，所述气孔用于和气源连通，以向所述绝缘层和所述晶圆之间通入导热气体；密封环，所述密封环设置于所述绝缘层的顶面，且环绕所述针孔设置，所述密封环的顶面位于所述绝缘层的顶面上方，所述密封环的顶面和凸起支撑部的顶面共同支撑所述晶圆；所述绝缘层的顶面上设有环形凹槽，所述环形凹槽环绕所述密封环设置。本实用新型提供的承载装置能够有效的阻滞密封环附近的热量泄漏，提高密封环附近的晶圆表面的温度均匀性。
承载装置半导体反应

[发明专利]用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备-CN202110776478.3在审
发明人： 赵晋荣;王松;韦刚;陈星;许金基;张郢 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构包括至少一个线圈组，线圈组包括第一子线圈组和第二子线圈组，第一子线圈组包括位于垂直于线圈组的轴线的第一平面内的至少一个第一平面线圈，第二子线圈组包括位于平行于第一平面的第二平面内的至少一个第二平面线圈，第一平面线圈与第二平面线圈串联，第二平面线圈在第一平面上的正投影与第一平面线圈呈镜像对称或者镜像非对称。本发明提供的用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，可以补偿线圈在径向上的电流分布差异，提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向上的分布均匀性，从而提高等离子体中的自由基及离子密度在径向上的分布均匀性。
用于产生等离子体线圈结构半导体工艺设备

[发明专利]用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备-CN202210586916.4在审
发明人： 赵晋荣;茅兴飞;王松;姚卫杰;杨纪鹏;陈星;韦刚;陈国动;王伟;李岩;戴庚霖;杨延铭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构中，每个线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个线圈组的结构相同，且相互并联；M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个平面线圈沿平面线圈的圆周方向相互间隔，且均匀分布；线圈组包括相互平行的N层平面线圈，N为大于等于4的偶数；N层平面线圈沿垂直于平面线圈所在平面的方向间隔设置，且依次首尾串接；每相邻两层平面线圈在平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称。本发明的技术方案，既可以提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向、角向上的分布均匀性，又可以提高线圈的整体耐压能力，从而可以实现大功率馈入。
用于产生等离子体线圈结构半导体工艺设备

[发明专利]上电极装置及半导体工艺设备-CN202211065071.0在审
发明人： 赵晋荣;陈星;韦刚;王海莉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种上电极装置及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备，包括相互嵌套，且半径由大至小依次设置的第一线圈、第二线圈和第三线圈，以及开关组件，其中，第一线圈和第三线圈相互并联，并与射频源电连接，且流经第一线圈的电流方向与流经第三线圈的电流方向相同；开关组件用于选择性地将第二线圈与射频源接通或断开，且在开关组件接通第二线圈与射频源时，流经第二线圈的电流方向与流经第一线圈的电流方向相反。本发明提供的上电极装置及半导体工艺设备，可以解决现有技术中无法适用于对刻蚀速率要求较高的工艺的问题。
电极装置半导体工艺设备

[发明专利]用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室-CN202210752579.1在审
发明人：佀昊;武小娟;王春;赵晋荣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室。半导体工艺腔室的顶部具有陶瓷上盖，上电极组件被置于陶瓷上盖的上方，上电极组件包括吸附电源以及从上至下依次设置的控温层、射频馈入层和匀热吸附层，其中，匀热吸附层包括电极层和置于电极层下方的第一匀热层，第一匀热层均匀传递热量，电极层设置有正电极和负电极，吸附电源用于分别向正电极和负电极加载正电压和负电压，以使电极和陶瓷上盖之间形成静电引力,第一匀热层能够与陶瓷上盖紧密贴合。根据本申请的技术方案，上电极组件与陶瓷上盖的整个接触面均可压紧，提高了热量传递的效率和均匀性，并且易于拆卸维护。
用于半导体工艺电极组件

[发明专利]阻抗匹配方法及匹配器-CN202210724592.6在审
发明人：成晓阳;吴韦;陈鹏;赵晋荣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种阻抗匹配方法及匹配器，包括：判断等离子体启辉是否成功；若否，则采用预设的启辉算法计算获得阻抗可变元件的调整方向和调整量，并根据调整方向及调整量，调节阻抗可变元件的数值；若是，则根据检测到的阻抗匹配网络的输出端的电压信号、电流信号和角度差信号，计算获得当前的负载阻抗，并根据负载阻抗，获得阻抗可变元件的目标值；根据阻抗可变元件的当前值和目标值，按多个设定步长和与每个设定步长对应的设定速度，分步调节阻抗可变元件的数值，以将负载阻抗从当前的实部值和虚部值同时调节至匹配点对应的实部值和虚部值。本发明提供的阻抗匹配方法，可以实现匹配器的稳定启辉和稳定匹配。
阻抗匹配方法配器

[发明专利]半导体工艺腔室-CN202210492946.9在审
发明人：王松;陈星;赵晋荣;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在腔体中的卡盘和设置在腔体上方的上电极组件，上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈，上射频电源用于通过上匹配器向射频线圈提供射频功率，以使射频线圈激发腔体中的气体产生等离子体，上电极组件还包括至少一个并联电容，射频线圈的第一端与上匹配器连接，射频线圈的第二端接地，并联电容连接在对应的射频线圈的第一端与第二端之间，并联电容与对应的射频线圈具有不低于射频电源的工作频率的固有谐振频率。在本发明中，并联电容与对应的射频线圈具有不低于工作频率的固有谐振频率，能够有效降低射频线圈上的欧姆损耗，提高上电极射频馈入效率，进而提升机台的稳定性及可靠性。
半导体工艺

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 62 条