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[发明专利]一种小型化高稳定低相噪光电振荡器-CN202211375896.2在审
发明人：杨万里;陈国帅;尹怡辉;曾永福;谢仕锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十四研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种小型化高稳定低相噪光电振荡器，信号激光器输出光信号，光信号进入电光调制器经过调制后输出，输出的光信号由偏振分束器分成偏振态正交的两路光信号，两路光信号分别进入具有高Q值的可调谐振微腔，经过微腔振荡后的信号由偏振合路器合成一路信号并进入光电探测器，经过光电变换后输出由多个频率分量构成的微波信号，微波信号进入滤波器后得到10GHz的单频信号，1A路进入低噪声放大器放大后再由第二功分器分为两路，一路作为信号输出，一路作为振荡信号注入电光调制器，B路信号进入频率锁定模块，与参考频率做对比步完成锁相过程，解决现有的光电振荡器结构较大导致稳定性降低的问题。
一种小型化稳定低相噪光电振荡器

[发明专利]一种综合多业务光端机-CN202111604905.6在审
发明人： 谢仕锋;尹怡辉;王宏哲;覃勇;陈国帅;朱宏韬 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十四研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光端机技术领域，具体涉及一种综合多业务光端机，包括光端机本体、安装架、散热板、散热风机和水冷组件，散热板与安装架固定连接，并位于安装架的上方，光端机本体位于散热板的上方，散热风机与散热板固定连接；水冷组件包括进水管、出水管、循环管、水泵、冷却箱和半导体制冷片，通过散热板将光端机本体内部的热量导出，通过散热风机加快散热板周围的空气流速，进行初步散热，通过水泵将冷却箱内的冷却水导入循环管，冷却水通过循环管与散热板进行换热，同时进行水冷和风冷，控制综合多业务光端机的温度，防止出现过热和死机的情况。
一种综合业务光端机

[发明专利]一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法-CN201711035073.4有效
发明人：李海鸥;刘培;刘洪刚;李琦;陈永和;张法碧;高喜;谢仕锋;首照宇;傅涛;翟江辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths‑Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
一种应用于 mos 器件偏压温度不稳定性测试方法

[实用新型]LED结构-CN201921588845.1有效
发明人：刘召军;高凡;谢仕锋;林大野;莫炜静 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED结构，包括：ITO层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型半导体层、电流扩展层和第一电极层，所述ITO层、所述N型GaN层、所述多量子阱发光层、所述P型半导体层、所述电流扩展层和所述第一电极层依次堆叠。本实用新型的LED结构的N型GaN与ITO层连接，当ITO层通以和负电极相同的电压，可以来改变电子空穴的复合路径，进而解决LED结构中心电场线较弱的问题，使LED结构中心的电子空穴对复合几率增大，达到提升发光效率，减小LED结构中心亮度和四周亮度差异，增强阴极导电性的效果。
led 结构

[发明专利]LED结构的制备方法及LED结构-CN201910900471.0在审
发明人：刘召军;高凡;谢仕锋;林大野;莫炜静 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED结构的制备方法及LED结构。一种LED结构的制备方法，包括：剥离LED芯片的衬底和缓冲层以暴露N型GaN；在所述N型GaN上形成ITO层。本发明通过在N型GaN上形成ITO层，当ITO层通以和负电极相同的电压，可以来改变电子空穴的复合路径，进而解决LED结构中心电场线较弱的问题，使LED结构中心的电子空穴对复合几率增大，达到提升发光效率，减小LED结构中心亮度和四周亮度差异，增强阴极导电性的效果。
电子空穴制备导电性阴极发光效率复合几率复合路径亮度差异电场线负电极缓冲层衬底减小剥离暴露

[实用新型]一种Ka波段MMIC低噪声放大器-CN201721410659.X有效
发明人：李海鸥;谢仕锋;邹锋;首照宇;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李陈成 -专利权人：桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
第一级偏置网络栅极偏置漏极源极传输线低噪声放大器传输线结构两级放大器电容并联电阻网络场效应晶体管放大器第二级放大器本实用新型增益平坦度匹配网络通信领域网络连接噪声系数线性度

[发明专利]一种Ka波段MMIC低噪声放大器-CN201711034833.X在审
发明人：李海鸥;谢仕锋;邹锋;首照宇;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李陈成 -专利权人：桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
一种 ka 波段 mmic 低噪声放大器

[实用新型]一种III‑V族环栅场效应晶体管-CN201720041034.4有效
发明人：李海鸥;李跃;首照宇;李思敏;李琦;陈永和;谢仕锋;马磊;张法碧;傅涛;翟江辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
一种 iii 族环栅场效应晶体管

[发明专利]一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法-CN201710026314.2在审
发明人：李海鸥;李跃;首照宇;李思敏;李琦;陈永和;谢仕锋;马磊;张法碧;傅涛;翟江辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
一种 iii 族环栅场效应晶体管及其制备方法

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