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[发明专利]一种碳化硅器件制备方法-CN201910145356.7有效
发明人：朱家从;蒋正勇;计建新;张伟民;盛况;郭清 -专利权人：无锡华润微电子有限公司;浙江大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅器件制备方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一导电类型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上开设有注入窗口；对碳化硅基底进行第二导电类型离子注入，使部分碳化硅基底晶格结构被破坏，形成具有预设形貌的晶格损伤区，第二导电类型与第一导电类型具有相反的导电性能；利用腐蚀液对碳化硅基底进行湿法刻蚀，以去除晶格损伤区内的碳化硅，形成具有预设形貌的沟槽。通过离子注入形成晶格损伤区，再利用湿法刻蚀晶格损伤区形成沟槽，该刻蚀方法形成的沟槽不会出现微沟槽，且选择离子注入的导电类型与基底的导电类型相反，可避免离子注入对基底掺杂浓度的影响。
一种碳化硅器件制备方法

[发明专利]一种高质量的SiC MOSFET器件栅氧化层的制作方法-CN202210850146.X在审
发明人：朱家从;甘新慧;计建新;王磊 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量的SiC MOSFET器件栅氧化层的制作方法，包括如下步骤：(1)在碳化硅晶圆推入高温炉管后，在高温炉管升温阶段通入小流量氧气，使得碳化硅晶圆表面形成二氧化硅薄层；(2)在所述高温炉管升温阶段通入二氧化硅腐蚀气体，去除所述二氧化硅薄层中的疏松表面膜层，形成基础缓冲层；(3)关闭所述高温炉管内的所述小流量氧气和所述二氧化硅腐蚀气体，然后通入大流量氧气，形成栅氧化层。本发明采用在高温炉管升温阶段同时通入小流量氧气和二氧化硅腐蚀气体，使得碳化硅晶圆表面二氧化硅薄层形成的期间，其中比较疏松的表面膜层被二氧化硅腐蚀气体去除，进而通入大流量氧气实现高质量的栅氧化层，提高了SiC MOSFET器件的栅极可靠性。
一种质量 sic mosfet 器件氧化制作方法

[发明专利]一种新型SiC MOSFET器件栅氧化层的制作方法-CN202210812261.8在审
发明人：甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张伟民;张建国 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型SiC MOSFET器件栅氧化层的制作方法，包括：N+碳化硅衬底；P阱区，对称设置在所述N+碳化硅衬底正面的两侧；N+离子注入区，设置在P阱区内；氮原子预注入层，设置在所述N+碳化硅衬底、所述P阱区和所述N+离子注入区上；栅氧化层，设置在所述氮原子预注入层上。本发明通过在栅氧化层氧化前预注入氮原子，栅氧化层沉积完成后再进行高温退火，使得氮原子填补氧化过程中的C晶格空位，降低SiC与SiO2的界面态密度，并且提升栅氧化层的质量，进而制作出高可靠性的SiC MOSFET器件。
一种新型 sic mosfet 器件氧化制作方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆背面减薄的制作方法-CN202210835423.X在审
发明人：朱家从;甘新慧;王磊;计建新 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶圆背面减薄的制作方法，包括如下步骤：(1)在已完成正面工艺加工的碳化硅晶圆的背面上采用离子注入工艺，形成预刻蚀注入层；(2)在预刻蚀注入层采用激光退火工艺进行氧化，形成氧化层；(3)在整个碳化硅晶圆的背面采用刻蚀工艺，去除氧化层。本发明通过在整个碳化硅晶圆的背面采用离子注入工艺，形成预刻蚀注入层，然后通过激光退火工艺使得注入的氧离子与碳化硅材料发生结合，分别形成氧化层和一氧化碳气体，一氧化碳以气态的形式挥发，最后采用刻蚀工艺去除氧化层，进而实现低成本的碳化硅晶圆减薄。
一种碳化硅背面制作方法

[发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管-CN202210808518.2在审
发明人：甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张建国 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管,包括：N+碳化硅衬底；一次N‑碳化硅外延层,形成在所述N+碳化硅衬底正面上；P型注入区，对称形成在所述一次N‑碳化硅外延层的两侧，并且嵌入在所述一次N‑碳化硅外延层内；二次N‑碳化硅外延层，形成在所述一次N‑碳化硅外延层和所述P型注入区上；P+离子注入区，对称形成在所述二次N‑碳化硅外延层的两侧，并且贯穿所述二次N‑碳化硅外延层与所述P型注入区连通；势垒金属层，形成在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上；金属PAD层，形成在所述势垒金属层上；欧姆金属层，形成在所述N+碳化硅衬底背面。本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管，其正向导通特性参数较传统器件优势明显。
一种新型碳化硅肖特基二极管

[发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法-CN202210812281.5在审
发明人：甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张伟民 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法,包括：在N+碳化硅衬底正面上外延生长一次N‑碳化硅外延层；在所述一次N‑碳化硅外延层上采用掩膜注入形成P型注入区；在所述P型注入区和所述一次N‑碳化硅外延层上外延生长二次N‑碳化硅外延层；在所述二次N‑碳化硅外延层上采用掩膜注入，形成P+离子注入区；在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上采用溅射沉积形成势垒金属层；在所述势垒金属层上采用溅射沉积形成金属PAD层；在所述N+碳化硅衬底背面采用溅射沉积形成欧姆金属层。本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法，可制备出正向导通性能优势明显的碳化硅肖特基二极管。
一种新型碳化硅肖特基二极管制备方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管-CN201910147139.1在审
发明人：甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新;盛况;郭清 -专利权人：无锡华润微电子有限公司;浙江大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅肖特基二极管。包括有源区和有源区外围的终端区，所述有源区包括掺杂区和未设置所述掺杂区的肖特基区，所述掺杂区的导电类型与所述有源区的衬底的导电类型相反，所述有源区被划分为有源区中心区域和所述有源区中心区域外围的有源区边缘区域，所述有源区边缘区域的S值比所述有源区中心区域的S值大，所述S值为所述肖特基区的面积与所述掺杂区的面积的比值，所述有源区边缘区域的面积占有源区总面积的40％‑80％。通过将有源区中心区域的掺杂区设置的更密集，改善了电子迁移率的问题，更好地避免了热点失效。
碳化硅肖特基二极管

[发明专利]半导体器件的复合型表面钝化结构及其制造方法-CN201810092164.X在审
发明人：甘新慧;张伟民;蒋正勇;韩冲;钱叶华;计建新;王国平 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的复合型表面钝化结构，包括绝缘介质层；掺磷二氧化硅层，形成于所述绝缘介质层上；回流层，包括掺硼二氧化硅层或掺硼磷二氧化硅层，所述回流层形成于所述掺磷二氧化硅层上；聚酰亚胺层，覆盖于所述回流层上。本发明通过采用绝缘介质层‑掺磷二氧化硅层‑回流层‑聚酰亚胺层形成复合型表面钝化结构，实现了对可移动的金属离子的捕捉，提高了半导体器件在高压下的热稳定性和可靠性。同时掺磷二氧化硅层还可以降低加热回流的温度；采用掺硼二氧化硅层或掺硼磷二氧化硅层作为回流层，可使得回流的效果更好，促进半导体器件表面的平坦化。采用聚酰亚胺层既可以降低可移动金属离子的影响，又可以保护半导体器件表面免于擦伤。
二氧化硅层回流层掺磷掺硼半导体器件聚酰亚胺层绝缘介质层表面钝化半导体器件表面金属离子可移动热稳定性平坦化擦伤捕捉覆盖制造

[发明专利]碳化硅激活退火方法-CN201711445000.2在审
发明人：张伟民;甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明一种碳化硅激活退火方法，包括以下步骤：在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层；在碳化硅晶片形成第一保护层的一侧表面形成第二保护层；将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理；退火处理时第二保护层的热稳定性优于第一保护层的热稳定性。通过在碳化硅表面形成第一保护层和第二保护层，在碳化硅晶片进行退火处理时，第二保护层可防止第一保护层在高温下融化及硅原子升华，第一保护层可有效阻挡碳化硅晶片表面硅原子升华和再沉积，通过两层保护层可解决退火过程中碳化硅表面硅原子的升华和沉积问题，提高了对碳化硅激活退火保护的可靠性。
第一保护层第二保护层碳化硅晶片退火退火处理碳化硅碳化硅表面表面形成热稳定性硅原子激活升华表面硅原子退火过程保护层再沉积两层沉积离子融化阻挡

[发明专利]GaN基LED制造工艺中的一种背面金属反射层阵列的制作方法-CN201210472863.X有效
发明人：王强;李国琪;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基LED制造工艺中的金属反射层阵列的制作方法，所述GaN基LED包括衬底、外延层、透明电极层、金属电极层和氧化物保护层，其中所述金属反射层阵列的制作方法包括步骤用光刻胶在衬底的、与所述外延层相对的另一面上制备阵列图形掩模；通过刻蚀工艺，借助于所述阵列图形掩模，在衬底上刻蚀出阵列图形结构；在所述阵列图形结构上形成金属反射层；去除光刻胶以便对光刻胶表面的金属反射层进行剥离，从而得到最终的金属反射层。
gan led 制造工艺中的一种背面金属反射层阵列制作方法

[发明专利]一种发光二极管灯丝及其制备方法-CN201410438955.5在审
发明人：王磊;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管灯丝及其制备方法，其中，所述发光二极管灯丝包括：第一基板，第二基板，与所述第一基板相对设置，导电线路，位于所述第一基板或所述第二基板上，至少一个发光二极管芯片，所述至少一个发光二极管芯片通过固晶透明胶固定在所述第一基板或第二基板上，导电连接胶，所述导电连接胶将所述至少一个发光二极管芯片的电极与所述导电线路连接，以将所述至少一个发光二极管芯片串联在所述导电线路中。本发明通过使用固晶透明胶固定发光二极管，能够提高发光二极管灯丝的成品率和可靠性；另外，第一基板和第二基板通过使用为钇铝石榴石晶体材料，能够有效延缓老化速度，以延长发光二极管灯丝的寿命。
一种发光二极管灯丝及其制备方法

[发明专利]高压发光二极管照明装置-CN201210242194.7无效
发明人：梅之烨;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高压发光二极管照明装置，该装置包括驱动装置和照明用高压发光二极管组件，该驱动装置包括对交流电进行整流的整流桥以及与该整流桥耦接从而输出恒定电流的恒流二极管，该恒流二极管输出的恒定电流流入所述高压发光二极管组件。本发明所述的驱动装置结构简单、体积小、且输出电流恒定。
高压发光二极管照明装置

[发明专利]一种功率集成电路-CN201210071578.7有效
发明人：魏峰;唐红祥;张新;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率集成电路（功率IC），属于恒流二极管功率器件技术领域。该功率IC包括：恒流二极管、与恒流二极管反向串联连接的耐压二极管、以及阳极引脚和阴极引脚两个引脚；其中，阳极引脚与所述耐压二极管耦接。该功率IC具有正向恒流、反向截止的输出特性，并且，工作电压宽；同时，只有两个引脚，装配简单、使用方便。
一种功率集成电路

[发明专利]一种恒流源电路结构-CN201110450161.7有效
发明人：唐红祥;张新;计建新 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒流源电路结构，它包含：第一晶体管；以及第二晶体管，第一晶体管的源极和其栅极耦合，第二晶体管的源极和其栅极耦合，第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极互相耦合在一起，从而，由第一晶体管的栅极和其栅极相耦合的端子以及第二晶体管的源极和其栅极相耦合的端子形成一个二端子元件。本发明的恒流源电路结构装配简单，使用方便。
一种恒流源电路结构

[发明专利]沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201110402562.5有效
发明人：唐红祥;孙永生;计建新;马卫清 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该制备方法包括步骤：（1）提供半导体衬底；（2）在所述半导体衬底的第一面上外延生长外延层；（3）在所述半导体衬底的第二面上制备形成所述沟槽型IGBT的栅极和发射极；（4）对所述外延层进行减薄以形成集电区；（5）在所述集电区上金属化以形成集电极。该制备方法成本低、制备形成的沟槽型IGBT的器件性能好。
沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

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