“西安奕斯伟材料科技股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果111个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种物料搬运控制方法、装置、设备、系统及存储介质-CN202310944121.0在审
发明人：赵莉飞;王允斌;张超;刘永亮 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种物料搬运控制方法、装置、设备、系统及存储介质；该方法可以包括：当接收到工艺设备发送的准备上料指令时，获取工艺设备的上料口及上料口对应的物料临时存放位的物料存放状态信息；获取搬运设备执行一次搬运任务所需的搬送时长；相应于搬送时长大于工艺设备的单次制程时长，根据工艺设备的上料口及上料口对应的物料临时存放位的物料存放状态信息，确定批量下发第一搬运命令的描述信息；通过MES向RTD传输描述信息，以使得RTD批量生成相应数量的第一搬运命令并设定各第一搬运命令之间的触发间隔时长后，通过MES指示MCS按照生成的第一搬运命令以及触发间隔时长执行物料搬运。
一种物料搬运控制方法装置设备系统存储介质

[发明专利]晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法和确定装置-CN202310691714.0在审
发明人：梁万亮;杨文武 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：确定掺杂剂的掺杂效率；根据所述掺杂效率，确定实际拉晶工艺中掺杂剂的首次添加量a，a＝a′/η0，其中，a′为所需的融入到硅熔液中的掺杂剂的含量，η0为掺杂效率；其中，所述确定掺杂剂的掺杂效率，具体包括：将第一测试用掺杂剂加入至第一测试用硅熔液中，并拉制第一测试晶棒；根据所述第一测试晶棒的电阻率确定所述掺杂效率。本发明还涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定装置。根据拉制的晶棒的电阻率确定掺杂剂的掺杂效率，根据该掺杂效率可以确定掺杂剂的掺杂量，改善由于掺杂剂挥发导致的晶棒电阻率超规格报废的问题。
掺杂添加确定方法装置

[发明专利]基座支撑结构和外延生长装置-CN202311113432.9在审
发明人：刘宝阳;牛景豪;吴凡 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基座支撑结构，用于硅片外延生长基座的支撑，包括：支撑轴，以及由所述支撑轴向外延伸的支撑臂，还包括旋转部，所述旋转部包括套设于所述支撑轴外的旋转套筒，以及用于控制所述旋转套筒旋转的旋转驱动单元，所述旋转套筒与所述支撑轴采用过盈配合的方式连接，且所述旋转套筒被配置为带动所述支撑轴同步旋转。本发明还涉及一种外延生长装置。通过将所述旋转套筒与所述支撑轴之间采用过盈配合的方式进行连接，以使得所述旋转套筒和所述支撑轴之间无缝隙连接，避免在旋转过程中，支撑轴发生晃动，保持基座的稳定性。
基座支撑结构外延生长装置

[实用新型]边缘抛光检测装置及边缘抛光设备-CN202321003304.4有效
发明人：赵帅豪;许涛 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种边缘抛光检测装置及边缘抛光设备，属于半导体制造技术领域。边缘抛光检测装置，包括：用于承载待抛光的硅片的旋转台，所述旋转台包括与水平面平行的承载面，所述旋转台能够绕自身轴线旋转；设置在所述旋转台的至少一侧的光电传感器，用于在对所述硅片进行边缘抛光前，所述旋转台承载所述硅片进行旋转时，采集所述硅片的边缘的光量变化；与所述光电传感器连接的处理器，用于根据所述光量变化判断所述硅片的位置是否不良。本实用新型的技术方案能够避免硅片在边缘抛光时由于硅片位置不良导致碎片的情况，避免造成严重的资源浪费。
边缘抛光检测装置设备

[实用新型]晶圆盒识别装置及晶圆盒装载台-CN202321497397.0有效
发明人：吕天爽 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆盒识别装置及晶圆盒装载台，属于半导体制造技术领域。晶圆盒识别装置包括：承载台；设置在所述承载台上的多个晶圆盒垫脚支撑块，所述晶圆盒垫脚支撑块用以对晶圆盒的垫脚进行支撑，所述晶圆盒垫脚支撑块能够在垂直于所述承载台的方向上运动；与所述晶圆盒垫脚支撑块一一对应、为对应的晶圆盒垫脚支撑块提供向上运动所需作用力的弹性件；与所述晶圆盒垫脚支撑块一一对应的感应传感器，用于检测对应的晶圆盒垫脚支撑块的位置信息；控制器，用于根据所述位置信息确定所述承载台上载的晶圆盒的类型。本实用新型的技术方案能够识别不同类型的晶圆盒。
晶圆盒识别装置盒装

[发明专利]一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质-CN202310465364.6在审
发明人：余以杰;王贵石;范东方;刘永亮 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N15/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质；所述方法包括：获取待测硅片表面的检测结果数据；其中，所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量；根据所述待测硅片表面的检测结果数据，计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量；基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量，按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级。
一种判定硅片等级方法装置设备计算机存储介质

[发明专利]用于研磨硅片的磨轮、研磨设备和研磨方法-CN202311107930.2在审
发明人：贺云鹏 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本公开涉及用于研磨硅片的磨轮、研磨设备和研磨方法，所述磨轮包括：具有中心轴线的本体；研磨模块；弹性构件，所述弹性构件在所述中心轴线的方向上位于所述本体与所述研磨模块之间并且将所述研磨模块连接至所述本体；其中，所述弹性构件设置成通过弹性形变将来自所述本体的压力转换成弹力传递至所述研磨模块，以由所述研磨模块利用所述弹力对硅片进行研磨。
用于研磨硅片设备方法

[发明专利]一种晶棒滚磨装置-CN202311116943.6在审
发明人：姜辉;王磊磊 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶棒滚磨装置，属于半导体单晶棒滚磨技术领域。包括：支撑架；夹持机构，设置在所述支撑架上，所述夹持机构用于对待滚磨晶棒的两端进行相对抵压夹持；粗糙度检测机构，用于检测所述待滚磨晶棒的两端端面的粗糙度；控制机构，用于获取所述粗糙度，并根据所述粗糙度，判断所述待滚磨晶棒是否发生滑棒状况。本发明的技术方案，解决了相关技术难以对滑棒现象实现准确而及时地监控的问题。
一种晶棒滚磨装置

[发明专利]用于晶棒的支承设备、截断设备和支承方法-CN202310946107.4在审
发明人：王磊磊;姜辉;李岳 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于晶棒的支承设备、截断设备和支承方法，其中，该支承设备包括：支承台，其具有用于支承晶棒的第一支承平面，并且支承台包括沿第一支承平面支承晶棒的第一方向布置的多个支承部段，所述多个支承部段中的每一个均是可独立移动的且均具有第二支承平面，其中，所述多个支承部段的相应的多个第二支承平面沿第一方向形成第一支承平面，并且所述多个第二支承平面中的相邻两个在第一方向上是连续的；以及调整装置，其用于使所述多个支承部段中的每一个沿与第二支承平面垂直的第二方向独立移动以使所述多个第二支承平面处于同一平面。通过该支承设备、截断设备或支承方法，可以避免晶棒在被截断时其截面出现崩边和开裂现象。
用于支承设备截断方法

[实用新型]一种用于切割晶棒的切割线及切割机-CN202321355256.5有效
发明人：杨震;王琳;王娜;马强强;王雷 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于切割晶棒的切割线及切割机，所述切割线包括：钢质的内芯；包覆所述内芯的外鞘，所述外鞘的材质的耐磨损性能大于钢的耐磨损性能。由于直接与晶棒接触并且与晶棒之间产生磨擦的元件为外鞘，而外鞘的耐磨损性能与材质钢相比是相对较高的，因此与现有的钢质的切割线相比，根据本实用新型的切割线即使对晶棒进行长时间的切割，也不容易产生磨损，由此能够确保切割出的晶圆满足高精度尺寸要求，并且能够确保切割出的晶圆的表面质量满足要求，此外能够使切割线的使用期限增长，大大减少在对晶棒进行切割的过程中断线情况的发生，不会导致正被切割的晶棒的报废，避免生产损失。
一种用于切割切割机

[实用新型]晶圆检测装置及晶圆搬送设备-CN202321154792.9有效
发明人：邢东 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆检测装置及晶圆搬送设备，属于半导体行业技术领域。晶圆检测装置，包括：机械臂；设置在所述机械臂上的至少一个激光传感器，用于在所述机械臂夹取CST内的晶圆时，沿所述机械臂的运动方向发射光束，并将反射回的光信号转换为电信号；信号处理单元，与所述激光传感器连接，用于接收所述电信号，将所述电信号转换为距离值，根据所述距离值判断所述CST内的槽位内是否存在晶圆。本实用新型的技术方案能够提升晶圆的搬送效率。
检测装置晶圆搬送设备

[发明专利]一种外延生长装置及其加热组件-CN202310951497.4在审
发明人：张盼锋;俎世琦;张海博;王迪;王娜 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本公开提供一种外延生长装置及其加热组件，该加热组件用于加热所述外延生长装置内的硅片；所述加热组件包括至少一组加热灯组、及用于反射所述加热灯组的热辐射的至少一组反射板；所述反射板包括第一反射区和第二反射区，所述第一反射区被配置为将热辐射反射至沿着所述硅片的径向方向上的预定区域，所述第二反射区被配置为将热辐射反射至所述硅片中除所述预定区域之外的其他区域，所述第一反射区的反射率大于所述第二反射区的反射率。本公开实施例提供的外延生长装置及其加热组件，能够提高外延片电阻率均匀性。
一种外延生长装置及其加热组件

[发明专利]单晶炉加热结构和单晶炉-CN202310952401.6在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉加热结构，包括：绝缘底盘；多个加热单元，多个所述加热单元环绕设置于所述绝缘底盘的边缘；供电单元，用于向所述加热单元施加电信号；导电块，活动连接于相邻加热单元之间，使得多个所述加热单元相串联，并与所述供电单元相配合形成回路；绝缘连接组件，绝缘连接组件的一端与导电块连接，绝缘连接组件的另一端用于与坩埚支撑轴连接，绝缘连接组件随着坩埚轴升降，带动导电块进行升降运动，以改变加热单元的加热区在第一方向上的长度，第一方向为坩埚支撑轴的轴向方向。本发明还涉及一种单晶炉。改变加热部件的加热区在坩埚支撑轴的轴向方向上的长度，可以提高晶棒的轴向温度梯度的均匀性。
单晶炉加热结构

[实用新型]一种转运装置-CN202321218064.X有效
发明人：李宇卓;夏新超 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种转运装置，涉及设备定位技术领域。该装置包括：承载部以及多个激光接收器；承载部用于承载待转运设备；激光接收器用于接收目标激光发射器发射的激光光束，且多个激光接收器中的第一激光接收器和第二激光接收器设置于承载部两个相互垂直的侧面。本实用新型的方案，通过设置于转运装置承载部两个相互垂直的侧面的第一激光接收器和第二激光接收器是否接收到设置于预设位置的发射激光光束相互垂直的第一激光发射器和第二激光发射器发射的激光，判断转运装置是否移动到指定位置，从而对待转运设备进行精准的转运。解决了对转运后的设备使用人工进行定位，易发生偏差甚至倾斜，难以保证定位的精确度的问题。
一种转运装置

[发明专利]用于改善硅片表面平坦度的方法及系统-CN202211575366.2在审
发明人：郭宇轩 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本公开涉及用于改善硅片表面平坦度的方法及系统，该方法包括：检测硅片表面的平坦度以确定包括与平坦度相关联的最低点的低凹区域的位置；使该表面被覆盖特定材料层并去除特定材料层的与该位置对应的部分；在覆盖有特定材料层的该表面上沉积含硅层以在厚度上补偿低凹区域；以及去除特定材料层的其余部分。通过本公开的方法和系统，实现了对硅片表面平坦度的改善。
用于改善硅片表面平坦方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 111 条