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[发明专利]用于测试半导体装置的装置和方法-CN202080002670.0有效
发明人：李继华;章涛;林文杰 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种测试电路及其操作方法。所述测试电路包含第一电路和第二电路。所述第一电路具有第一电容器和第二电容器。所述第一电路被配置成将跨所述第一电容器的第一电压的至少一部分传递到所述第二电容器。所述第二电路具有所述第一电容器和所述第二电容器。所述第二电路被配置成将跨所述第二电容器的第二电压的至少一部分传递到所述第一电容器。
用于测试半导体装置方法

[发明专利]高边开关驱动电路、驱动方法和电源控制系统-CN202310860923.3在审
发明人：陈敏;盛健健;林逸铭;孔鹏举 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种高边开关驱动电路、驱动方法和电源控制系统，属于驱动电路领域，包括双向开关和驱动芯片，双向开关被配置成基于切换信号实现单向导通或双向导通或断开；驱动芯片被配置为获取控制信号、第一高边电压和第二高边电压，根据所述控制信号，从第一高边电压和第二高边电压中确定第一输出电压；根据所述第一输出电压，产生第二输出电压；将所述第一输出电压和所述第二输出电压作为切换信号输出至所述双向开关，以控制所述双向开关的通断模式。本发明通过双向开关取代背靠背开关，可实现对双向开关的控制，无需设置许多外部元件，降低高功率密度电池的驱动电路的复杂度。
开关驱动电路方法电源控制系统

[发明专利]自适应死区控制电路、控制方法和开关电源-CN202310802717.7在审
发明人：孟无忌 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应死区控制电路、控制方法和开关电源，涉及开关电源技术领域，包括检测模块和死区确定模块：检测模块用于检测开关电源的工作参数；死区确定模块用于获取用于控制开关电源的预设的第一开关控制信号，根据工作参数和预先确定的第一映射关系，确定死区时间，根据死区时间和第一开关控制信号，得到第二开关控制信号，其中，第一映射关系用于表征在开关电源的工作效率达到预设值的条件下，工作参数与死区时间之间的对应关系。本发明可以根据开关电源的工作参数实时调整死区时间，使得开关电源能够时刻工作在最佳的死区时间，降低电源电路的死区损耗，提高效率。
自适应死区控制电路控制方法开关电源

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310857416.4在审
发明人：朱月强;孙浩 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上；半导体层，设置在所述缓冲层上；栅极电极，设置在所述半导体层上；钝化层，具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的开口面积大于底面积，所述第二凹槽的开口面积大于底面积；源极电极，设置在所述第一凹槽中；漏极电极，设置在所述第二凹槽中。通过采用开口面积大于底面积的具有倾斜侧壁的沟槽结构设置源极电极和漏极电极，增大了电极金属层与钝化层的接触面积，能够明显缓解应力差异，从而有效稳定半导体器件的导通电阻，提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]低边开关驱动器、驱动方法和电源控制系统-CN202310861045.7在审
发明人：陈敏;盛健健;林逸铭;孔鹏举 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种低边开关驱动器、驱动方法和电源控制系统，属于驱动电路领域，包括双向开关和驱动芯片，双向开关被配置成基于切换信号实现单向导通或双向导通或断开；驱动芯片被配置为获取控制信号、第一低边电压、第二低边电压和高边电压，根据所述控制信号，从所述第一低边电压和所述第二低边电压中得到第一输出电压；根据所述高边电压和所述第一输出电压，得到第二输出电压；将所述第一输出电压和所述第二输出电压作为所述切换信号，输出至所述双向开关。本发明通过双向GaN器件取代背靠背开关，通过对双向GaN器件的控制，无需设置许多外部元件，降低高功率密度电池的驱动电路的复杂度。
开关驱动器驱动方法电源控制系统

[发明专利]具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310761579.2在审
发明人：王伟;何清源;郝荣晖;卢耿烽;郭海波;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法，包括外延层、第一氧化物层、第二氧化物层、扩散停止层、栅极、源极、漏极和场板，通过在第一氧化物层上生长扩散停止层，以防止第一氧化物层由于不受控制的扩散而导致扩散后剩余的氧化物层厚度不均匀，进而导致位于上方的场板底面倾斜无法形成等势体，避免了器件工作时由于电场分布不均匀引起的易击穿现象。设置扩散停止层后，使得位于扩散停止层上的场板底面所处的高度均匀稳定，工作时能够形成均匀的电场，提高氮化镓HEMT器件的耐压性。
具有板结氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202310915038.0在审
发明人：黄兴杰;郝荣晖;陈扶;赵杰;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供高电子迁移率晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，高电子迁移率晶体管包括：衬底；外延层，安置在衬底上；衬底和外延层形成原始结构；原始结构被分为第一结构、第二结构和离子隔离区；第一结构和第二结构中的任一结构均包括衬底和外延层；第一结构的外延层上安置有栅极结构、源极和漏极；第二结构的外延层上安置有第一电极和第二电极；其中，第二结构作为结温测试结构，第一电极和第二电极之间的电阻用于反馈第一结构的结温。本申请的高电子迁移率晶体管中包括作为结温测试结构的第二结构，第二结构的第一电极和第二电极之间的电阻可以反馈第一结构的结温，从而实现高电子迁移率晶体管工作温度的原位实时检测。
电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN202310681287.8在审
发明人：刘阳;杜子明;杜卫星 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件的制造方法包括：形成半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层；在所述第二氮化物半导体层上形成第三氮化物半导体层；在所述第三氮化物半导体层上形成栅极电极；在所述第二氮化物半导体层上第一次形成第四氮化物半导体层，第一次形成的第四氮化物半导体层覆盖所述第三氮化物半导体层和所述栅极电极；在第一次形成的第四氮化物半导体层上第二次形成第四氮化物半导体层；在所述第二氮化物半导体层上形成源极电极和漏极电极，能够提高VT/Rsh/IGSS等性能参数的精确度。
半导体器件以及制造方法

[实用新型]光罩夹持装置-CN202320180964.3有效
发明人：吴汉勇;谢俊 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光罩夹持装置，包括手持部以及夹持部，夹持部位于手持部的一端，夹持部具有两个夹持臂，该光罩夹持装置还设置有调节两个夹持臂之间距离的操控杆，操控杆的一端铰接在夹持部的一端；在操控杆的铰接位置设置有锁止件，锁止件可以在第一位置与第二位置之间运动，当锁止件在第一位置时锁定操控杆；其中，该光罩夹持装置还设置有锁止指示件，当锁止件在第一位置时锁止指示件为第一指示状态，当锁止件离开第一位置时锁止指示件为第二指示状态。本实用新型能够方便操作人员直观了解锁止件的状态，避免夹取光罩时光罩意外掉落。
夹持装置

[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN202310783729.X在审
发明人：孙驰 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成阻隔层，并在所述阻隔层上形成外延层；或在衬底上形成外延层，并将所述外延层转移至其他衬底上；所述阻隔层用于阻隔外延层中的杂质向所述衬底扩散。本申请实施例提供的半导体器件制备方法及半导体器件可以通过在衬底和外延层之间形成阻隔，或是将完成生长的外延层进行转移，避免外延层中的杂质向衬底扩散，进而避免寄生导电沟道的形成，防止因此造成的衬底损耗，提升半导体器件的效率和增益。
半导体器件制备方法

[实用新型]晶圆倒片装置及晶圆倒片组件-CN202320146539.2有效
发明人：吴汉勇;李登 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶圆倒片装置及晶圆倒片组件，该晶圆倒片装置包括底板，底板上设置有第一晶圆盒放置位以及第二晶圆盒放置位，第一晶圆盒放置位与第二晶圆盒放置位在底板上沿第一方向依次布置；第一晶圆盒放置位设置有第一定位槽，第二晶圆盒放置位设置有第二定位槽；底板在第一方向的第一端设置有滑动组件；并且，底板在第一方向的第二端设置有限位块，限位块自底板的上表面向上凸起，限位块设置在第二定位槽远离第一定位槽的一侧。该晶圆倒片组件包括上述的晶圆倒片装置。本实用新型能够可靠的将第二晶圆盒固定在底板上，避免晶圆转置时发生损坏的情况。
晶圆倒片装置组件

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202310615436.0在审
发明人：李啓珍 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，半导体器件结构包括：衬底；第一氮化物半导体层，安置于衬底上，第一氮化物半导体层背离衬底的一侧表面设置有v形凹槽；其中v形凹槽由位错形成；第二氮化物半导体层，安置于第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层背离第一氮化物半导体层的一侧表面平坦；第三氮化物半导体层，安置于第二氮化物半导体层上；电极层，安置于第三氮化物半导体层上。通过上述方式，本发明的第一氮化物半导体层设置有v形凹槽，v形凹槽边壁的带隙比较大，这种带隙差对位错附近的载流子形成势垒，载流子很难靠近位错。因此，v形凹槽减少了垂直漏电流，从而提高了半导体器件结构的垂直击穿电压。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体组件及半导体器件-CN202310944313.1在审
发明人：崔嘉杰;王怀锋 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体组件及半导体器件。所述半导体组件包括引线框架、第一芯片及第二芯片。引线框架具有多个引脚；第一芯片设于所述引线框架之上；所述第一芯片具有相互背离的正面和背面，所述第一芯片的正面设有控制极、第一极及第二极，所述第一芯片的正面朝向所述引线框架，所述第一芯片的控制极、第一极及第二极分别与多个所述引脚中的不同引脚对应连接；其中，至少所述第一芯片的第一极和第二极，与所连接的引脚直接接触连接；第二芯片具有相互背离的正面和背面，所述第二芯片的正面设有多个电极，所述第二芯片的背面朝向所述第一芯片的背面设置于所述第一芯片之上，且所述第二芯片的多个电极分别与多个所述引脚的不同引脚电性连接。
一种半导体组件半导体器件

[发明专利]具有栅极钝化区的氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310688335.6在审
发明人：李兴俊;郝荣晖;黄敬源 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有栅极钝化区的氮化镓HEMT器件及其制备方法，该器件包括沟道层、势垒层、应变层、钝化区和栅极；所述势垒层设于沟道层之上；所述栅极设于势垒层上，所述应变层覆盖所述栅极和所述势垒层，所述钝化区覆盖所述栅极，且所述钝化区使得栅极两侧下方的二维电子气的浓度降低。本发明是在栅极附近形成钝化区，该钝化区能够在势垒层中产生“陷阱”负电荷，耗尽栅极两侧下方的2DEG，从而降低栅极两侧下方的2DEG浓度，提高器件击穿场强和改善电流崩塌特性，而其余被应变层覆盖的地方对应的2DEG浓度会增加，因此器件整体的饱和电流和优值系数没有明显变化，但是器件的击穿电压和动态电阻特性可以得到明显的改善。
具有栅极钝化氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN202310582406.4在审
发明人：杜卫星;刘阳;游政昇 -专利权人： 英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极、第一钝化层、第一场板、第二场板。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。栅电极设置在第二氮化物半导体层上方。第一钝化层覆盖栅电极。第一场板设置在栅电极及第一钝化层的上方。第二场板设置在第二氮化物半导体层及第一钝化层的上方，其中第二场板相对第二氮化物半导体层的高度小于第二场板相对第二氮化物半导体层的高度，且第一场板与第二场板为彼此分隔开的。
氮化物半导体器件及其制造方法

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