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- [发明专利]一种半导体组件及半导体器件-CN202310944313.1在审
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崔嘉杰;王怀锋
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英诺赛科(珠海)科技有限公司
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2023-07-28
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2023-09-19
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H01L23/495
- 本申请提供一种半导体组件及半导体器件。所述半导体组件包括引线框架、第一芯片及第二芯片。引线框架具有多个引脚;第一芯片设于所述引线框架之上;所述第一芯片具有相互背离的正面和背面,所述第一芯片的正面设有控制极、第一极及第二极,所述第一芯片的正面朝向所述引线框架,所述第一芯片的控制极、第一极及第二极分别与多个所述引脚中的不同引脚对应连接;其中,至少所述第一芯片的第一极和第二极,与所连接的引脚直接接触连接;第二芯片具有相互背离的正面和背面,所述第二芯片的正面设有多个电极,所述第二芯片的背面朝向所述第一芯片的背面设置于所述第一芯片之上,且所述第二芯片的多个电极分别与多个所述引脚的不同引脚电性连接。
- 一种半导体组件半导体器件
- [发明专利]一种半导体器件及设备-CN202211544829.9在审
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王怀锋
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华为技术有限公司
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2019-02-03
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2023-04-07
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H01L29/78
- 一种半导体器件及设备。半导体器件包括:衬底(51);位于衬底(51)一侧的外延层(52);位于外延层(52)中的沟槽(53),沟槽(53)内具有栅极(54),沟槽(53)的内壁与栅极(54)的外壁之间具有氧化层(55、56);位于沟槽(53)两侧的的漂移区(57);分别位于沟槽(53)两侧的漂移区(57)内的第一漏极(581)和第二漏极(582);以及沟道(59),沟道(59)位于沟槽(53)底壁与衬底(51)之间且临近沟槽(53)的槽底;其中,衬底(51)、外延层(52)和沟道(59)的掺杂类型为第一类型,飘移区(57)、第一漏极(581)和第二漏极(582)的掺杂类型为第二类型;第一类型和第二类型中,其中一个为P型,另一个为N型。
- 一种半导体器件设备
- [发明专利]一种半导体器件及终端设备-CN201980044386.7有效
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王怀锋
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华为技术有限公司
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2019-02-03
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2022-12-06
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H01L29/78
- 一种半导体器件及终端设备。半导体器件包括:衬底(51);位于衬底(51)一侧的外延层(52);位于外延层(52)中的沟槽(53),沟槽(53)内具有栅极(54),沟槽(53)的内壁与栅极(54)的外壁之间具有氧化层(55、56);位于沟槽(53)两侧的的漂移区(57);分别位于沟槽(53)两侧的漂移区(57)内的第一漏极(581)和第二漏极(582);以及沟道(59),沟道(59)位于沟槽(53)底壁与衬底(51)之间且临近沟槽(53)的槽底;其中,衬底(51)、外延层(52)和沟道(59)的掺杂类型为第一类型,飘移区(57)、第一漏极(581)和第二漏极(582)的掺杂类型为第二类型;第一类型和第二类型中,其中一个为P型,另一个为N型。
- 一种半导体器件终端设备
- [发明专利]HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备-CN202011475578.4在审
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王怀锋;黄松;张栋梁;谭银炯;胡善柏
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华为技术有限公司
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2020-12-14
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2022-06-14
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H01L29/778
- 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备,HEMT器件包括:衬底、氮化物外延层、栅极结构层、场板层、第一漏电极、第二漏电极和第一绝缘介质层;栅极结构层包括第一半导体层,第一绝缘介质层覆盖栅极结构层的第二表面和部分第一表面,第一绝缘介质层的厚度小于第一半导体层的厚度;场板层包括:第一栅场板GFP和第一GFP延伸金属,第一GFP覆盖栅极结构层的部分第一表面、以及第一绝缘介质层的第二表面和部分第一表面,第一GFP延伸金属对称分布在第一GFP两侧,并覆盖第一绝缘介质层的部分第一表面。可以在实现双向关断的同时优化沟道电场,可以进一步缩小HEMT器件的元胞尺寸、降低器件的沟道电阻,进而减小HEMT器件的导通阻抗。
- hemt器件晶圆封装电子设备
- [发明专利]一种功率半导体器件及电子设备-CN202011379684.2在审
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王怀锋;张栋梁;杨成军;胡善柏
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华为技术有限公司
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2020-11-30
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2022-06-03
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H01L27/088
- 本申请提供了一种功率半导体器件及电子设备,功率半导体器件包括外延层以及两个场效应晶体管,外延层设置有一个沟槽,两个场效应晶体管镜像对称。每个场效应晶体管包括串联的第一MOS结构和第二MOS结构。第一MOS结构的第一沟道与第二MOS结构的第二沟道沿沟槽的深度方向间隔排列;第一MOS结构的第一栅极和第二MOS结构的第二栅极沿沟槽的深度方向间隔排列。在上述技术方案中,通过第一栅极和第二栅极沿所述沟槽深度方向纵向排布,从而减少场效应晶体管的横向占用的尺寸。第一MOS结构和第二MOS结构共享漂移区,降低了漂移区的电阻,并通过两个相同的场效应晶体管对称背靠背并联,降低了功率半导体器件单位面积特征导通电阻。
- 一种功率半导体器件电子设备
- [实用新型]一种防虫环保型板材-CN202122257282.1有效
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王波;章曙婷;陶学艳;李珍珍;王怀锋;徐晶晶;王明凤
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宿迁泽和新材料科技有限公司
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2021-09-17
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2022-02-11
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E04C2/30
- 本实用新型公开了一种防虫环保型板材,包括活动板和固定板,所述活动板包括套板和芯板,所述芯板的两侧靠近后端均设置有卡块,贯穿所述套板的前后端居中开设有套槽,所述套板的底端设置有若干个卡齿,所述套板的一侧设置有卡条,所述套板的另一侧开设有卡槽,贯穿套板的上端开设有若干个气孔,所述固定板包括板体,贯穿所述板体的四角均开设有安装孔,所述安装孔的内侧设置有固定螺丝,所述板体的上表面开设有若干道齿槽,所述芯板的尺寸与套槽的尺寸相互匹配,套槽的两侧靠近后端开设有对应卡块的卡口;本实用新型所述的一种防虫环保型板材,能够重复利用,并且降低了因板材损坏带来的更换成本,减小了更换时的工作量。
- 一种防虫环保板材
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