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- [发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201110388471.0有效
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苟鸿雁
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2011-11-29
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2017-07-11
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H01L29/739
- 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、发射极以及栅极；其中，在所述发射极中布置了沟槽填充区域，所述沟槽底部位于漂移区，且靠近发射极与漂移区的PN结处，所述沟槽填充区域中自底部到顶部依次填充了氧化物、多晶硅以及金属，所述金属形成了沟槽电极；并且所述沟槽电极与所述发射极相连接。根据本发明，当沟槽电极接地，最下端的集电极电极接正电压时，在N型的漂移区与垂直的旁路氧化硅界面处会反型出空穴，因此与传统的结构相比，可以提高发射结处的空穴浓度；因此在开态时，在集电极上加正压扫描时，会有更多的空穴参与导电，从而提高了绝缘栅双极型晶体管开态时的电导率。
- 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
- [发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210093721.2有效
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苟鸿雁
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2012-03-31
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2017-06-16
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H01L29/739
- 根据本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极；其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；集电区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三反型掺杂区；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第一掺杂类型，并且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第三反型掺杂区具有第二掺杂类型；并且，所述漂移区和所述第三反型掺杂区布置在所述第二掺杂区的相对两侧，所述漂移区和所述第三反型掺杂区不接触；所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三反型掺杂区两两彼此邻接。
- 绝缘栅双极型晶体管
- [发明专利]半导体结构形成方法-CN201210214976.X有效
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沈思杰;刘宪周;苟鸿雁
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2012-06-26
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2017-03-29
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H01L21/336
- 一种半导体结构形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域；在所述半导体衬底的第二区域内形成第一保护环，所述第一保护环围绕所述第一区域；在所述半导体衬底的第一区域内形成体区和贯穿所述体区的至少一个沟槽；利用同一光刻、刻蚀工艺，在所述半导体衬底的第二区域上成具有开口的多晶硅场板，在所述沟槽内形成栅氧化层和多晶硅栅，所述多晶硅场板的开口暴露出第一保护环的中间区域；在靠近所述多晶硅栅的体区内形成源区。由于所述多晶硅场板、栅氧化层和多晶硅栅在同一光刻、刻蚀工艺中形成，形成多晶硅场板、第一保护环、栅氧化层和多晶硅栅只需要2步光刻刻蚀工艺，提高了工艺集成度。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]肖特基二极管及其形成方法-CN201210301607.4有效
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苟鸿雁;唐树澍
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-08-22
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2012-11-21
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H01L21/329
- 一种肖特基二极管及其形成方法，所述肖特基二极管的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成若干沟槽；对所述半导体衬底进行倾斜P型离子注入，在所述靠近半导体衬底表面、沟槽侧壁和底部表面的半导体衬底内形成第一P型掺杂区；将多晶硅材料填充满所述沟槽；在靠近表面的半导体衬底和多晶硅材料内反型形成N型掺杂区；在所述半导体衬底表面和多晶硅材料表面形成肖特基金属层。由于相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的间距小于相邻沟槽之间的间距，当在肖特基二极管两端施加有反向电压时，所述肖特基二极管中相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的半导体衬底更容易被耗尽区夹断，从而可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。
- 肖特基二极管及其形成方法
- [发明专利]耗尽型MOS晶体管-CN201210191269.3有效
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吴小利;唐树澍;苟鸿雁
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-06-11
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2012-09-26
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H01L29/06
- 本发明提供了一种耗尽型MOS晶体管。根据本发明的耗尽型MOS晶体管包括：布置在衬底中的源极和漏极，源极和漏极中的一个的上方布置了轻掺杂区，源极和漏极中的另一个的上方未布置轻掺杂区；布置在衬底上方源极和漏极之间的栅极；布置在衬底中的栅极下方的第一导电沟道；以及布置在衬底中的源极和漏极之间的第二导电沟道；其中，所述第一导电沟道邻接所述栅极，并且所述第二导电沟道与所述第一导电沟道邻接，此外，所述第二导电沟道邻接所述源极和所述漏极中的所述另一个。所述第一导电沟道的掺杂浓度大于所述第二导电沟道的掺杂浓度。
- 耗尽mos晶体管
- [发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201210163198.6在审
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苟鸿雁;唐树澍
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-05-22
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2012-09-19
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H01L29/739
- 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：缓冲层；位于缓冲层上的漂移层；位于漂移层上的发射极层和源极层，所述发射极层与源极层通过发射极金属电极相连；位于漂移层和发射极层上的绝缘栅极层，所述绝缘栅极层与漂移层和发射极层通过栅极氧化层相互隔离；位于绝缘栅极层和源极层上的绝缘层，所述绝缘栅极层和发射极金属电极通过绝缘层相互隔离；位于缓冲层内的集电极层，所述集电极层包括至少一个掺杂区，所述掺杂区与缓冲层的掺杂类型相反；位于缓冲层下的集电极金属电极，所述集电极金属电极与所述缓冲层、所述集电极层的掺杂区均相互接触。本发明可以提高绝缘栅双极型晶体管的关断速度并降低其关断损耗。
- 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
- [发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210093547.1在审
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苟鸿雁;唐树澍
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-03-31
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2012-08-15
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H01L29/06
- 根据本发明提供的绝缘栅双极型晶体管包括：集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极，其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，所述漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；并且其中，所述缓冲区包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，其中所述第一掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二掺杂区域的掺杂浓度，并且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在所述缓冲区中交错布置。本发明提供了一种能够在保证关态的击穿电压特性以及导通压降特性不会退化的情况下改善切换速度的绝缘栅双极型晶体管。
- 绝缘栅双极型晶体管
- [发明专利]具有阶梯型氧化埋层的SOI结构-CN201110300466.X有效
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苟鸿雁
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上海宏力半导体制造有限公司
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2011-09-28
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2012-02-15
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H01L21/762
- 本发明提供两种具有阶梯型氧化埋层的SOI结构，第一种包括：P型半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型源区、N型漏区、以及N型源区、N型漏区及P型沟道下方的阶梯型氧化层；形成于P型沟道上方的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上的栅极；覆盖栅极及栅极绝缘层侧边的侧壁；其中，位于N型源区与N型漏区的氧化层厚度分别大于位于P型沟道下方的氧化层的厚度，靠近N型漏区一侧的侧墙下方对应的较薄氧化层的下方的P型半导体衬底内设置有P型元素重掺杂区。第二种结构与第一种结构区别在于衬底顶层为N型掺杂区，源区与漏区为P型。采用本发明的技术方案，可以解决现有的SOI结构出现的短沟道效应。
- 具有阶梯氧化soi结构
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