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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种计算机通讯设备用支撑结构-CN202122803086.X有效
发明人：刘学爽;苏如意;杨佳争 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种计算机通讯设备用支撑结构，包括底板，底板的外部安装有安装座，安装座的外部设置有支撑组件；支撑组件包括对称转动连接在安装座内部的转杆，其中一侧的转杆由安装座的内部贯穿至外部，转杆远离安装座的一端安装有转动手柄，安装座靠近转杆的一侧开设有空腔，两侧的转杆位于空腔内的一侧之间共同绕设有皮带，转杆的外部安装有支撑板，支撑板的外部开设有与转杆相适配的通孔，支撑板的外部对称安装有弹簧。本实用新型通过支撑板、弹簧、限位板与转杆之间的配合使用，使得通讯设备的安装拆卸更加的方便，同时可以对通讯设备进行收纳，对通讯设备的保护效果更好，减少通讯设备的损坏，大大提高了支撑结构的实用性。
一种计算机通讯备用支撑结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110880528.2在审
发明人：王炜;杨伟臣;张耀中;苏如意;林彦谷;邹权炜;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括：位于衬底上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；设置在AlGaN层上的栅极堆叠件；设置在AlGaN层上并且由栅极堆叠件插入的源极部件和漏极部件；介电材料层设置在栅极堆叠件上；以及设置在介电材料层上并且电连接至源极部件的场板，其中，该场板包括阶梯式结构。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构、半导体装置及其形成方法-CN202110114826.0在审
发明人：张耀中;蔡俊琳;苏如意;王炜;杨伟臣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的各种实施例是针对一种包括设置在有源层与衬底之间的缓冲层的半导体结构。有源层上覆于衬底。衬底和缓冲层包括在远离有源层的方向上从有源层的底面垂直延伸的多个柱结构。顶部电极上覆于有源层的上表面。底部电极位于衬底之下。底部电极包括导电体和多个导电结构，多个导电结构分别沿着柱结构的侧壁从导电体连续地延伸到有源层的下表面。
半导体结构装置及其形成方法

[发明专利]一种提高黑曲霉的纤维素酶活力的方法及其试剂盒-CN201810756213.5有效
发明人：郭威;夏彦飞;方洁;赵丽娜;高思涵;卢娉婷;苏如意 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C12N15/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高黑曲霉的纤维素酶活力的方法及其试剂盒，本发明的发明人偶然发现将大豆斑疹病菌(X.axonopodis pv.glycines，简称Xag)的纤维素酶基因通过重组表达载体转入黑曲霉菌中，可以显著提高黑曲霉菌株的纤维素酶活力，由此发明了提高黑曲霉的纤维素酶活力的方法及其试剂盒，解决了目前黑曲霉的发酵生产纤维素酶方面的技术难题。
一种提高曲霉纤维素酶活力方法及其试剂盒

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201811133972.2有效
发明人：卡思克·穆鲁克什;江文智;蔡俊琳;霍克孝;吴国铭;陈柏智;苏如意;林炫政;陈益民;林宏洲;邱奕正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请的各个实施例涉及其中高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件与高压结终端(HVJT)器件集成的集成电路(IC)。在一些实施例中，第一漂移阱和第二漂移阱位于衬底中。第一漂移阱和第二漂移阱以环形图案交界且具有第一掺杂类型。外围阱位于衬底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。外围阱围绕并分离第一漂移阱和第二漂移阱。主体阱位于衬底中且具有第二掺杂类型。此外，主体阱位于第一漂移阱上方并且通过第一漂移阱与外围阱间隔开。栅电极位于第一漂移阱和主体阱之间的结上方。本申请还提供了集成电路的制造方法。
集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件和电路保护方法-CN201611170288.2有效
发明人：关文豪;姚福伟;苏如意;黄敬源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：半导体器件包括第一晶体管和钳位电路。第一晶体管布置为根据控制信号产生输出信号。钳位电路布置为根据输入信号产生控制信号，并且布置为当输入信号超过预定的信号电平时，将控制信号钳制在预定的信号电平处。本发明实施例涉及半导体器件和电路保护方法。
半导体器件电路保护方法

[发明专利]半导体结构-CN201610656637.5有效
发明人：关文豪;姚福伟;苏如意;蔡俊琳;亚历克斯·卡尔尼茨基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。
半导体结构

[发明专利]具有平行电阻器的高压器件-CN201210391197.7有效
发明人： 苏如意;杨富智;蔡俊琳;霍克孝;叶人豪;许竣为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体器件。该高压半导体器件包括具有栅极、源极和漏极的晶体管。源极和漏极形成在掺杂衬底中并且通过衬底的漂移区间隔开。栅极形成在漂移区上方以及位于源极和漏极的上方。晶体管被配置成处理至少几百伏的高电压条件。高压半导体器件包括形成在晶体管的源极和漏极之间的介电结构。介电结构突出进入衬底和突出到衬底之外。介电结构的不同部分具有不均匀的厚度。高压半导体器件包括形成在介电结构上方的电阻器。电阻器具有基本上均匀间隔开的多个绕组部分。本发明还提供了具有平行电阻器的高压器件。
具有平行电阻器高压器件

[发明专利]具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构-CN201310041931.1有效
发明人：霍克孝;郑志昌;苏如意;叶人豪;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是绝缘栅双极结型晶体管(IBGT)，以及其制造方法。该器件包括半导体衬底、形成在衬底上的栅极结构、形成在衬底内栅极结构的两侧的源极和漏极，形成在衬底内的第一掺杂阱以及形成在第一阱内的第二掺杂阱。栅极、源极、第二掺杂阱和第一阱的一部分以及漏极结构的一部分被在硅衬底中的深沟槽隔离部件和注氧层包围。本发明还公开了具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构。
具有衬底漏电绝缘栅双极型晶体管结构

[发明专利]具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管-CN201210557171.5有效
发明人：霍克孝;郑志昌;苏如意;叶人豪;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极结构；在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极；以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。
具有衬底泄露绝缘栅极双极型晶体管

[发明专利]具有高电压结终端的高电压电阻器-CN201110366213.2有效
发明人： 苏如意;杨富智;蔡俊琳;郑志昌;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。
具有电压终端电阻器

[发明专利]具有PIN二极管隔离的高压电阻器-CN201110406344.9有效
发明人： 苏如意;杨富智;蔡俊琳;郑志昌;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有PIN二极管隔离的高压电阻器，其中，提供了一种高压半导体器件，包括形成在衬底中PIN二极管结构。PIN二极管包括设置在第一掺杂阱和第二掺杂阱之间的本征区域。第一和第二掺杂阱具有相反的掺杂极性和大约本征区域的掺杂浓度等级。半导体器件包括形成在第一掺杂阱的一部分之上的绝缘结构。半导体器件包括形成在绝缘结构之上的伸长电阻器件。电阻器件具有分别设置在电阻器件的相对端处的第一和第二部分。半导体器件包括形成在电阻器件之上的互连结构。半导体器件包括电连接至第一掺杂阱的第一接触以及电连接至电阻器中位于第一和第二部分之间的第三部分的第二接触。
具有 pin 二极管隔离高压电阻器

[发明专利]具有偏置阱的高压电阻器-CN201110412650.3有效
发明人： 苏如意;杨富智;蔡俊琳;郑志昌;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。
具有偏置高压电阻器

[发明专利]使用漂浮导体的HV互连解决方案-CN201210008172.4有效
发明人： 苏如意;杨富智;蔡俊琳;霍克孝;郑志昌;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：器件包括在半导体衬底中的第一和第二重掺杂区域。至少一部分绝缘区域在半导体衬底中，其中该绝缘区域邻近第一和第二重掺杂区域。栅极绝缘层形成在半导体衬底的上方并且一部分栅极绝缘层位于一部分绝缘区域的上方。栅极形成在栅极绝缘层上方。漂浮导体位于绝缘区域上方并且与绝缘区域垂直地重叠。金属线包括位于漂浮导体上方的并且与漂浮导体垂直地重叠的一部分，其中金属线与第二重掺杂区域连接并且传输第二重掺杂区域的电压。本发明还提供了使用漂浮导体的HV互连解决方案。
使用漂浮导体 hv 互连解决方案

[发明专利]堆叠并可调谐的电源熔丝-CN201110329752.9有效
发明人：郑志昌;柳瑞兴;苏如意;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造这种半导体器件的方法。
堆叠调谐电源

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